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公开(公告)号：CN117693287A
公开(公告)日：2024-03-12
申请号：CN202311625610.6
申请日：2023-11-30
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明公开一种光子突触器件及其制备方法。该光子突触器件包括：衬底；底电极，其为易氧化金属，形成在所述衬底上；具有光电导效应的异质结，形成在所述底电极上，包括第一介质层和第二介质层，均为具有感光特性的氧化物；顶电极，其为透明电极，形成在所述异质结上。
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公开(公告)号：CN116993965A
公开(公告)日：2023-11-03
申请号：CN202310939494.9
申请日：2023-07-28
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明涉及一种机器人目标物体抓取方法，该方法包括：步骤S1、使用大语言模型来解析用户需求，生成针对目标物体的描述模版；步骤S2、将目标物体的描述模版输入至二维视觉定位网络，生成目标物体的二维定位，处理后得到目标物体点云数据；步骤S3、基于目标物体点云数据，采用类级别位姿和尺寸估计网络对目标物体的位姿进行估计；步骤S4、根据目标物体位姿估计结果引导机械臂进行目标物体抓取。与现有技术相比，本发明具有人机交互效果好、准确性高的优点。
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公开(公告)号：CN116193866A
公开(公告)日：2023-05-30
申请号：CN202211603880.2
申请日：2022-12-13
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明公开一种柔性感存算一体存储器及其制备方法。该柔性感存算一体存储器包括以下步骤：在第一金属织物表面形成铁电存储功能层；在第二金属织物表面形成光电探测功能层；将具有光电探测功能层的第二金属织物采用经纬交织的方式与具有铁电存储功能层的第一金属织物进行交叉自组装，构建多端信号同步传入与处理的网络节点结构，用于构建柔性感存算一体化的神经计算网络与系统。
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公开(公告)号：CN113517285B
公开(公告)日：2023-01-06
申请号：CN202110248345.9
申请日：2021-03-08
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明属于半导体技术领域，具体为一种二维互补型存储器及其制备方法。本发明二维互补型存储器包括：衬底；底电极阵列，包括多条沿第一方向延伸，沿第二方向排列的线状底电极；在底电极阵列上依次形成的第一BN二维材料层、石墨烯二维材料层、第二BN二维材料层；以及顶电极阵列，包括多条沿第二方向延伸，沿第一方向排列的线状顶电极，其中，所述第一方向与所述第二方向垂直。本发明采用独立的互补型存储器解决交叉阵列中的“潜行电流”问题，提高了材料的选择范围，同时全二维材料构建的范德瓦尔斯异质结作为互补型存储器的功能层，可缩减至原子级别的厚度，有效提高二维存储器的高密度集成能力。
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公开(公告)号：CN115410910A
公开(公告)日：2022-11-29
申请号：CN202211112661.4
申请日：2022-09-14
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L21/28 , H01L21/02 , H01L21/336 , H01L29/423 , H01L29/51 , C23C14/06 , C23C14/58 , C23C16/02 , C23C16/04 , C23C16/40 , C23C16/455 , C23C16/50 , C23C28/00
Abstract: 本发明公开一种改善铪基铁电器件耐受性的方法。包括以下步骤：在Si衬底上形成第一HZO层，之后形成第一TiN层，并在氮气氛围下进行快速热退火处理，随后，刻蚀去除所述第一TiN层；形成ZrO2层和第二HZO层，之后形成第二TiN层，并在氮气氛围下进行快速热退火处理，通过调控ZrO2层的厚度使其具有适当的反铁电特性，从而削弱铁电器件在极化反转过程中的极化电流的强度，改善铪基铁电器件耐受性；光刻刻蚀所述第二TiN层，形成删极；进行离子注入掺杂，在栅极两侧的硅衬底中形成源区和漏区，并高温退火以激活杂质。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115410904A
公开(公告)日：2022-11-29
申请号：CN202211112662.9
申请日：2022-09-14
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明公开一种通过界面技术改善铁电MOS电容性能的方法。该方法包括以下步骤：在Si衬底上形成TiN底电极；在所述TiN底电极上形成ZrO2层；在所述ZrO2层上沉积铪基铁电层；在所述铪基铁电层上形成ZrO2层；在所述ZrO2层上形成TiN顶电极；在氮气氛围下进行快速热退火处理。
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公开(公告)号：CN115410903A
公开(公告)日：2022-11-29
申请号：CN202211112658.2
申请日：2022-09-14
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明公开一种通过插层技术优化铁电MOS电容性能的方法。该方法包括以下步骤：在Si衬底上形成金属底电极；在所述金属底电极上沉积高k介电层；在所述高k介电层上沉积金属氮化物作为应力夹持层；在所述应力夹持层上沉积铪基铁电层；在所述铪基铁电层上形成金属顶电极；在氮气氛围下进行快速热退火处理。
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公开(公告)号：CN112331772B
公开(公告)日：2022-11-15
申请号：CN202011155918.5
申请日：2020-10-26
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明公开一种感存算一体的柔性有机忆阻器及其制备方法。该感存算一体的柔性有机忆阻器包括：柔性衬底(100)；底层电极(101)，其以一定间隔分布在柔性衬底(100)上；有机功能层(102)，其形成底层电极(101)上，具有紫外光响应，并且可以在紫外光脉冲的激励下进行电荷的存储与擦除，撤去光脉冲后的电流状态与施加光脉冲前的初始电流状态不同，且能保持较长的时间；顶层电极(103)，其以一定间隔分布在有机功能层(102)上，且其延伸方向与底层电极(101)的延伸方向垂直；当利用紫外光脉冲源对所形成的感存算一体的柔性有机忆阻器进行照射时，忆阻器可感应到光信号并产生电流信号，相应的电流信号可被忆阻器存储记忆并用于多态神经计算，从而实现感存算一体化。
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公开(公告)号：CN115172586A
公开(公告)日：2022-10-11
申请号：CN202210896285.6
申请日：2022-07-28
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L45/00
Abstract: 本发明公开一种嗅觉感存算一体化忆阻器及其制备方法。该嗅觉感存算一体化忆阻器包括：衬底；底层叉指电极，形成在所述衬底上；电阻调控功能层，其为高k介质薄膜，形成在所述底层叉指电极上；气体探测功能层，其为SnO2薄膜，形成在所述电阻调控功能层上；顶层叉指电极，形成在所述气体探测功能层上，其叉指延伸方向与底层叉指电极的叉指延伸方向正交，在同一个忆阻器体系中实现硫化氢气体的感知、处理与记忆功能：释放硫化氢气体，器件的电导变大，实现嗅觉功能；撤除气体后电导被保持记忆，实现存储功能；器件能够对连续的硫化氢气体产生阶梯式响应，用于神经形态计算并对气体种类进行识别判断，实现计算功能。
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公开(公告)号：CN115172585A
公开(公告)日：2022-10-11
申请号：CN202210896282.2
申请日：2022-07-28
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明公开一种新型可穿戴存储器及其制备方法。以第一织物型金属线作为底电极；在所述第一织物型金属线表面包覆一层金属氧化物薄膜，作为阻变功能层；在具有金属氧化物薄膜的第一织物型金属线上缠绕第二织物型金属线作为顶电极，获得新型可穿戴存储器。在电压的激励下，氧化物薄膜中形成氧空位，迁移积累形成导电通道，实现电阻由高阻态向低阻态的转变；在相反的电压下，氧空位导电通道断裂，器件由低阻态转变回高阻态。
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