-
公开(公告)号：CN102663465B
公开(公告)日：2015-03-04
申请号：CN201210133364.8
申请日：2012-05-03
Applicant: 复旦大学
IPC: G06K19/00
Abstract: 本发明属于计算机通信技术领域，具体为一种卡片式USB接口信息存读取电子名片。该电子名片包括电路系统和外部塑料卡片；所述电路系统包括USB主控芯片、外围基本电路、存储芯片、LED灯、USB标准插头、USB标准插座；USB主控制芯片通过USB-OTG主从双重功能模块及MCU微控制器实现电子名片信息采集及保存,自带电源控制系统为主电子名片读取对方电子名片信息提供能源。外部塑料卡片作为电路系统保护层，制作成超薄型，同时在卡片表面印刷有个人信息。本电子名片能在交流名片时快速输出及读取对方信息，方便对客户名片信息进行管理，并可长久保存；本电子名片也可当U盘使用。
-
公开(公告)号：CN102650821B
公开(公告)日：2014-01-08
申请号：CN201210161659.6
申请日：2012-05-23
Applicant: 复旦大学
IPC: G03F1/68
Abstract: 本发明属于微电子技术领域，具体为一种耐高温硬掩膜版制备方法。此耐高温硬掩膜版采用氧化锌材料，具体表现为在衬底上利用传统光刻技术使用正性光刻胶转移图形，然后室温下淀积一层氧化锌薄膜，去除光刻胶及其上的氧化锌薄膜层则衬底上留下与光刻胶相反的图形。在此基础上，可以根据需要在高温下淀积各种高温生长材料，最后通过能快速腐蚀氧化锌但对所淀积材料影响忽略不计的稀浓度酸去除氧化锌及其上的材料,最终实现在衬底上形成各种图形淀积材料结构。
-
公开(公告)号：CN103412210A
公开(公告)日：2013-11-27
申请号：CN201310304913.8
申请日：2013-07-19
Applicant: 复旦大学
IPC: G01R31/00
Abstract: 本发明属于固态电介质应用技术领域，具体为一种铁电薄膜成核可逆电畴极化强度的测量方法。预极化铁电薄膜电畴极化方向至外加电压的反平行方向，通过施加不同脉冲宽度的电压后，测得不同铁电电容器电压时铁电电容器放电电荷面密度及铁电薄膜反转电畴极化强度；预极化铁电薄膜电畴极化方向至外加电压的平行方向，通过施加不同脉冲宽度的电压后，测得不同铁电电容器电压时铁电电容器放电电荷面密度；最终可计算出铁电薄膜成核可逆电畴极化强度。本发明方法可适应各种情况，而且测量精度高，便于深入了解铁电薄膜成核电畴生长运动的动力学机理，可应用在超高介电响应等新型器件中。
-
公开(公告)号：CN101943721B
公开(公告)日：2012-07-04
申请号：CN200910054686.1
申请日：2009-07-10
Applicant: 复旦大学
IPC: G01R31/00
Abstract: 本发明属微电子技术领域，涉及铁电薄膜印刻效应的测试方法。本发明通过测量铁电薄膜极化反转电流快速测量铁电薄膜印刻效应，其包括：(1)加一个产生印刻效应的脉冲电压后，立刻再加一个与此印刻电压相反极性的脉冲电压并测量铁电薄膜的反转电流；(2)加预置极化方向的脉冲电压，等待一段弛豫时间后加一个起印刻作用的正负双极性的脉冲电压，再等待一段时间以产生印刻效应，最后加一个与之前正负双极性脉冲电压完全相同的正负双极性电压以测量反转电流。本发明能代替传统的通过测量电滞回线得出Vc的方法，能大幅降低测试印刻效应所需时间，具有很好的应用前景。
-
公开(公告)号：CN101593755B
公开(公告)日：2012-02-01
申请号：CN200910053202.1
申请日：2009-06-17
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L27/115
Abstract: 本发明属半导体存储器件领域，涉及基于场效应管结构的非破坏性读取的非挥发存储器件。尤其涉及一种基于金属/反铁电薄膜/金属氧化物/半导体场效应管结构的存储器单元，包括：衬底；金属氧化物层，反铁电薄膜，栅电极；所述金属氧化物层置于半衬底表面；反铁电薄膜置于金属氧化物层远离衬底的表面；栅电极置于反铁电薄膜远离金属氧化物层的表面；源、漏，置于半导体表面两端。本发明采用反铁电薄膜代替了传统非挥发存储器的氧化硅、氧化氮层，在拥有快闪存储器优点的同时，大幅提高了编程、檫除速度，改善了保持特性，更好地满足了存储器工业化应用的需要，完全有潜力替代快闪存储器件而得到广泛的应用。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102279308A
公开(公告)日：2011-12-14
申请号：CN201110203557.1
申请日：2011-07-20
Applicant: 复旦大学
IPC: G01R19/00
CPC classification number: G01R31/025
Abstract: 本发明属于固态电介质性能测试技术领域，具体为一种绝缘/漏电铁电薄膜电畴反转电流测量与转换为电滞回线的方法。本发明首先在漏电的铁电薄膜上施加同极性的不同外加电压，由示波器记录并通过多项式/指数函数拟合求得铁电薄膜的漏电流和施加在铁电薄膜上的电压的函数关系。而后对薄膜施加双极性连续脉冲，利用漏电流与铁电薄膜两端电压函数关系扣除漏电流，得到电畴反转电流曲线。在任意时刻将电畴反转电流曲线对时间积分即得到对应该时刻铁电薄膜的极化值，与该时刻对应铁电薄膜两端电压逐点作图即得漏电铁电薄膜的电滞回线。本发明方法采用标准电阻取代了传统方法中的参考电容，测量速度更快，并且可以正确地测量漏电薄膜的电滞回线。
-
公开(公告)号：CN102116789A
公开(公告)日：2011-07-06
申请号：CN201110000987.3
申请日：2011-01-05
Applicant: 复旦大学
IPC: G01R19/04
CPC classification number: G01N27/041 , G01R27/2623
Abstract: 本发明属于固态电介质性能测试技术领域，具体为铁电畴运动速度可调脉冲电压测量铁电畴极化翻转的方法。在极化翻转过程中铁电电容上的电压等于其矫顽电压Vc，在外加脉冲电压为V时，总的电路电流表示为I=Vt/Rt=(V-Vc)/Rt。因此在不改变测量脉冲电压的条件下，可在电路中串联不同阻值的电阻实现对电流大小和Vc的调节，即实现在不同矫顽电压下对铁电极化翻转速度的调节。本发明提供了一种可以连续改变铁电极化翻转速度的方法，并且通过改变预置电压与测量脉冲电压极性关系（相反或相同）实现对铁电电容极化翻转和非极化翻转特性的测量。
-
公开(公告)号：CN102005383A
公开(公告)日：2011-04-06
申请号：CN200910195106.0
申请日：2009-09-03
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L21/314 , H01L21/3105 , H01L27/10
Abstract: 本发明属于微电子技术领域，涉及一种赝反铁电薄膜的制备方法。它通过一定剂量和能量的氢离子注入掺杂，在铁电薄膜中形成一种稳定分布的掺杂离子，通过电荷补偿模式改变铁电薄膜畴的翻转特性。通过本发明方法，能够在任意成份比例的铁电薄膜中实现薄膜的反铁电特性，能在高密度电荷存储领域有所应用。本发明方法不仅提供了新的赝反铁电薄膜的制备方法，同时也有利于铁电薄膜电畴翻转物理机制的进一步深入研究，在学术上有着重大的意义。
-
公开(公告)号：CN101943721A
公开(公告)日：2011-01-12
申请号：CN200910054686.1
申请日：2009-07-10
Applicant: 复旦大学
IPC: G01R31/00
Abstract: 本发明属微电子技术领域，涉及铁电薄膜印刻效应的测试方法。本发明通过测量铁电薄膜极化反转电流快速测量铁电薄膜印刻效应，其包括：(1)加一个产生印刻效应的脉冲电压后，立刻再加一个与此印刻电压相反极性的脉冲电压并测量铁电薄膜的反转电流；(2)加预置极化方向的脉冲电压，等待一段弛豫时间后加一个起印刻作用的正负双极性的脉冲电压，再等待一段时间以产生印刻效应，最后加一个与之前正负双极性脉冲电压完全相同的正负双极性电压以测量反转电流。本发明能代替传统的通过测量电滞回线得出Vc的方法，能大幅降低测试印刻效应所需时间，具有很好的应用前景。
-
公开(公告)号：CN101718810A
公开(公告)日：2010-06-02
申请号：CN200910199381.X
申请日：2009-11-26
Applicant: 复旦大学
IPC: G01R19/00
Abstract: 本发明属于固态电介质性能测试技术领域，具体为一种测量漏电铁电薄膜电滞回线的方法。本发明方法首先在漏电极化的铁电薄膜上施加同极性的外加电压，测定并记录薄膜两端不同电压下通过铁电薄膜的漏电流，经曲线拟合，得到漏电流和施加电压的函数方程，进而计算得到电畴翻转的极化电流随时间的变化关系。最后将位移电流对时间积分，计算出该外加电压下铁电薄膜产生的位移电荷密度。重复以上的测量和计算过程，得到该铁电薄膜的不同电压下所对应的电位移，从而测得整个漏电铁电薄膜的电滞回线。本发明解决了漏电铁电薄膜电学表征的难题，特别是为超薄铁电漏电薄膜电学性能研究提供了有力手段。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
98
records
(took 0.021 seconds)
