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公开(公告)号：CN102332568A
公开(公告)日：2012-01-25
申请号：CN201110288087.3
申请日：2011-09-26
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明属于电化学技术领域，具体为一种氧化钴—类金刚石双层结构锂空电池正极材料及其制备方法。该正极材料为氧化钴—类金刚石双层薄膜材料，氧化钴薄膜厚度为80~120nm，通过脉冲激光沉积技术制备获得；类金刚石薄膜厚度为0.5~1um，通过电子束热蒸发法制备获得。由该双层结构薄膜制成的电极，氧化钴层对于发生在类金刚石薄膜层的氧还原过程及放电产物分解过程具有良好的催化效果，明显降低了充放电过电压，提高了电极循环性能，首次放电容量为824mAh/g，经过22次循环后放电容量升至2440mAh/g。该氧化钴—类金刚石双层结构电极材料化学稳定性好、比容量高、循环性能优异、制备方法简单，适用于锂空电池。
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公开(公告)号：CN101289176B
公开(公告)日：2011-05-04
申请号：CN200810037854.1
申请日：2008-05-22
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明属电化学技术领域，具体为一种用于锂离子电池的三磷化四锡阴极材料及其制备方法。该阴极材料为通过反应性脉冲激光沉积法制备获得的三磷化四锡(Sn4P3)薄膜。该薄膜制成的电极，具有良好的充放电循环可逆性，可逆比容量为552mAh/g左右。三磷化四锡(Sn4P3)电极材料化学稳定性好、比容量高、制备方法简单，适用于锂离子电池。
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公开(公告)号：CN101924214A
公开(公告)日：2010-12-22
申请号：CN201010279114.6
申请日：2010-09-13
Applicant: 复旦大学
IPC: H01M4/58 , H01M4/136 , H01M4/1397
Abstract: 本发明属锂离子薄膜电池技术领域，具体为一种用于锂离子电池的CrxON薄膜电极材料及其制备方法。CrxON薄膜电极材料采用直流反应溅射结合后退火工艺制备获得，CrxON薄膜的颗粒尺寸为50-100nm，厚度为100-500nm。薄膜电极的可逆比容量约为700mAh/g，在充放电循环过程中表现出优良的电化学性能。该薄膜电极材料比容量高，循环性能好，制备方法简单，适用于薄膜锂离子电池。
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公开(公告)号：CN101882678A
公开(公告)日：2010-11-10
申请号：CN200910050873.2
申请日：2009-05-08
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明属电化学技术领域，具体涉及一种用于锂离子电池的阴极的硒化锂-二硒化三铜纳米复合物(Li2Se-Cu3Se2)材料及其制备方法，该材料为薄膜形式，通过反应性脉冲激光沉积法制备获得。该薄膜制成的电极具有良好的充放电循环可逆性，首次比容量为110mAh/g，可逆比容量为60mAh/g，电极经21次循环后容量仍有12.5mAh/g。本发明材料化学稳定性好、比容量高、制备方法简单，适用于锂离子电池。
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公开(公告)号：CN101800314A
公开(公告)日：2010-08-11
申请号：CN201010023057.5
申请日：2010-01-21
Applicant: 复旦大学
IPC: H01M4/58 , H01M4/1397
Abstract: 本发明属电化学技术领域，具体为一种用于锂离子电池的硒化铟(InSe)纳米复合负极材料及其制备方法。该材料为薄膜形式，通过激光溅射沉积法制备获得。该薄膜制成的电极，具有良好的充放电循环可逆性，可作为锂离子电池的负极材料。硒化铟(InSe)纳米复合材料薄膜电极的可逆比容量约为527mAh/g。硒化铟(InSe)纳米复合电极材料化学稳定性好、比容量高、充放电平台的极化小、制备方法简单，适用于锂离子电池。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101499529A
公开(公告)日：2009-08-05
申请号：CN200910046664.0
申请日：2009-02-26
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明属电化学技术领域，具体涉及一种用于锂离子电池的磷化铟负极材料及其制备方法。该材料为薄膜形式，通过反应性脉冲激光沉积法制备获得。该薄膜制成的电极，具有良好的充放电循环可逆性，由磷化铟(InP)薄膜制成的电极的可逆比容量为620mAh/g左右。电极经30次循环后容量仍有460mAh/g。磷化铟(InP)电极材料化学稳定性好、比容量高、充放电平台的极化小、制备方法简单，适用于锂离子电池。
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公开(公告)号：CN101289176A
公开(公告)日：2008-10-22
申请号：CN200810037854.1
申请日：2008-05-22
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明属电化学技术领域，具体为一种用于锂离子电池的三磷化四锡阴极材料及其制备方法。该阴极材料为通过反应性脉冲激光沉积法制备获得的三磷化四锡(Sn4P3)薄膜。该薄膜制成的电极，具有良好的充放电循环可逆性，可逆比容量为552mAh/g左右。三磷化四锡(Sn4P3)电极材料化学稳定性好、比容量高、制备方法简单，适用于锂离子电池。
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公开(公告)号：CN101252186A
公开(公告)日：2008-08-27
申请号：CN200810035591.0
申请日：2008-04-03
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明属电化学技术领域，具体为一种用于锂离子电池的磷化铬负极材料及其制备方法。该材料为薄膜形式，通过反应性脉冲激光沉积法制备获得。该薄膜制成的电极，具有良好的充放电循环可逆性，由磷化铬(CrP)薄膜制成的电极初次放电容量为1150600mAh/g左右，可逆比容量为600mAh/g左右。磷化铬电极材料化学稳定性好、比容量高、制备方法简单，适用于锂离子电池。
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公开(公告)号：CN100391034C
公开(公告)日：2008-05-28
申请号：CN200610023257.4
申请日：2006-01-12
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明属电化学技术领域，具体为一种用于锂离子电池的电极活性材料及其制备方法。该材料是由Li2S与过渡金属元素Co构成的纳米复合薄膜，可通过脉冲激光沉积法制备获得，Li2S/Co纳米复合物粒径小于50nm。薄膜电极的比容量随过渡金属元素Co的不同在400-650mAh/g范围内变化，在反复充放电过程中呈良好的稳定性。该种薄膜电极材料比容量高，循环性能好，制备方法简单，适用于薄膜锂离子电池。
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公开(公告)号：CN100346524C
公开(公告)日：2007-10-31
申请号：CN200510028248.X
申请日：2005-07-28
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明属电化学技术领域，具体为一种“原位”沉积全固态薄膜锂电池的设备，以及采用该设备制备全固态薄膜锂电池的方法。该设备由四个沉积薄膜腔室和一个手套箱串联组成，不同薄膜分别在四个不同的腔室中制备：直流磁控溅射室制备电子集流体薄膜、直流或射频磁控溅射室制备阴极薄膜、射频磁控溅射室制备电解质薄膜以及真空热蒸发室制备金属锂阳极薄膜。本发明在不破坏真空的条件下实现了各种薄膜的“原位”沉积，避免了薄膜间界面被尘埃、水分和其他污染物沾污。采用该设备制备的全固态薄膜锂电池具有较小的界面电阻和电荷转移电阻，在充放电循环中表现出较小的容量衰减性能。
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