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公开(公告)号:CN101499529A
公开(公告)日:2009-08-05
申请号:CN200910046664.0
申请日:2009-02-26
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明属电化学技术领域,具体涉及一种用于锂离子电池的磷化铟负极材料及其制备方法。该材料为薄膜形式,通过反应性脉冲激光沉积法制备获得。该薄膜制成的电极,具有良好的充放电循环可逆性,由磷化铟(InP)薄膜制成的电极的可逆比容量为620mAh/g左右。电极经30次循环后容量仍有460mAh/g。磷化铟(InP)电极材料化学稳定性好、比容量高、充放电平台的极化小、制备方法简单,适用于锂离子电池。
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公开(公告)号:CN1794488A
公开(公告)日:2006-06-28
申请号:CN200510029698.0
申请日:2005-09-15
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明属电化学技术领域,具体为一种阳极材料采用纳米尺寸硒化亚锡(SnSe)薄膜的锂离子电池及其制备方法。该薄膜材料采用脉冲激光沉积法制备获得,硒化亚锡(SnSe)薄膜的粒子尺寸为15-50nm,晶体结构属于正交晶系。薄膜电极的比容量为681mAh/g,在反复充放电过程中呈良好的稳定性。该种薄膜电极材料化学稳定性好、比容量高,制备方法简单,适用于薄膜锂离子电池。
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公开(公告)号:CN101499529B
公开(公告)日:2010-09-15
申请号:CN200910046664.0
申请日:2009-02-26
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明属电化学技术领域,具体涉及一种用于锂离子电池的磷化铟负极材料及其制备方法。该材料为薄膜形式,通过反应性脉冲激光沉积法制备获得。该薄膜制成的电极,具有良好的充放电循环可逆性,由磷化铟(InP)薄膜制成的电极的可逆比容量为620mAh/g左右。电极经30次循环后容量仍有460mAh/g。磷化铟(InP)电极材料化学稳定性好、比容量高、充放电平台的极化小、制备方法简单,适用于锂离子电池。
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公开(公告)号:CN100428536C
公开(公告)日:2008-10-22
申请号:CN200710040492.7
申请日:2007-05-10
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明属电化学技术领域,具体为一种可以作为锂离子电池阳极材料的三硒化二锑(Sb2Se3)。该材料为薄膜形式,通过反应性脉冲激光沉积法制备获得。该薄膜制成的电极,具有良好的充放电循环可逆性,由三硒化二锑薄膜制成的电极的可逆比容量为605mAh/g左右。电极经100次循环后容量仍有531mAh/g。三硒化二锑电极材料化学稳定性好、比容量高、制备方法简单,适用于锂离子电池。
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公开(公告)号:CN100395908C
公开(公告)日:2008-06-18
申请号:CN200610029710.2
申请日:2006-08-03
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明属电化学技术领域,具体为一种用于锂电池的阴极材料及其制备方法。该阴极材料是由铜和硒组成的化合物材料,具体为含有不同化学元素比例的铜-硒化合物:二硒化铜、硒化铜、硒化亚铜。该三种材料为薄膜形式,通过反应性脉冲激光沉积法制备获得。由这三种薄膜制成的电极,都具有良好的充放电循环可逆性,其中:由二硒化铜薄膜制成的电极的比容量保持在220mAh/g左右;由硒化铜薄膜制成的电极的比容量保持在160mAh/g左右:由硒化亚铜薄膜制成的电极的比容量保持在210mAh/g左右,三种电极经100次循环后容量都没有无明显的衰减。这三种电极材料化学稳定性好、比容量高、制备方法简单,适用于锂电池。
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公开(公告)号:CN100391035C
公开(公告)日:2008-05-28
申请号:CN200610029711.7
申请日:2006-08-03
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明属电化学技术领域,具体为一种阴极材料采用二硒化镍(NiSe2)薄膜的锂电池及其制备方法。该薄膜材料采用脉冲激光沉积法制备获得,二硒化镍(NiSe2)薄膜的粒子尺寸为30-60纳米,晶体结构属于立方晶系。薄膜电极的可逆比容量为467.5mAh/g,在反复充放电过程中具有一定的容量保持特性。该种薄膜电极材料化学稳定性好、比容量高,制备方法简单,适用于薄膜锂电池。
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公开(公告)号:CN1913203A
公开(公告)日:2007-02-14
申请号:CN200610029711.7
申请日:2006-08-03
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明属电化学技术领域,具体为一种阴极材料采用二硒化镍(NiSe2)薄膜的锂电池及其制备方法。该薄膜材料采用脉冲激光沉积法制备获得,二硒化镍(NiSe2)薄膜的粒子尺寸为30-60纳米,晶体结构属于立方晶系。薄膜电极的可逆比容量为467.5mAh/g,在反复充放电过程中具有一定的容量保持特性。该种薄膜电极材料化学稳定性好、比容量高,制备方法简单,适用于薄膜锂电池。
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公开(公告)号:CN100423330C
公开(公告)日:2008-10-01
申请号:CN200610117595.4
申请日:2006-10-26
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明属电化学技术领域,具体为一种锂电池的阴极材料及其制备方法,该村料为一种硒化亚铁(FeSe)薄膜,通过反应性脉冲激光沉积法制备获得。该薄膜制成的电极,具有良好的充放电循环可逆性,由硒化亚铁(FeSe)薄膜制成的电极的比容量保持在400mAh/g左右。电极经100次循环后容量没有无明显的衰减。硒化亚铁(FeSe)电极材料化学稳定性好、比容量高、制备方法简单,适用于锂电池。
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公开(公告)号:CN101051683A
公开(公告)日:2007-10-10
申请号:CN200710040492.7
申请日:2007-05-10
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明属电化学技术领域,具体为一种可以作为锂离子电池阳极材料的三硒化二锑(Sb2Se3)。该材料为薄膜形式,通过反应性脉冲激光沉积法制备获得。该薄膜制成的电极,具有良好的充放电循环可逆性,由三硒化二锑薄膜制成的电极的可逆比容量为605mAh/g左右。电极经100次循环后容量仍有531mAhg。三硒化二锑电极材料化学稳定性好、比容量高、制备方法简单,适用于锂离子电池。
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公开(公告)号:CN1949564A
公开(公告)日:2007-04-18
申请号:CN200610117595.4
申请日:2006-10-26
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明属电化学技术领域,具体为一种锂电池的阴极材料及其制备方法,该村料为一种硒化亚铁(FeSe)薄膜,通过反应性脉冲激光沉积法制备获得。该薄膜制成的电极,具有良好的充放电循环可逆性,由硒化亚铁(FeSe)薄膜制成的电极的比容量保持在400mAh/g左右。电极经100次循环后容量没有无明显的衰减。硒化亚铁(FeSe)电极材料化学稳定性好、比容量高、制备方法简单,适用于锂电池。
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