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公开(公告)号：CN102544268A
公开(公告)日：2012-07-04
申请号：CN201210055499.7
申请日：2012-03-05
Applicant: 复旦大学 , 上海半导体照明工程技术研究中心
IPC: H01L33/00
Abstract: 本发明提供一种半导体发光二极管表面处理方法，该方法包括以下步骤：提供待处理的半导体发光二极管芯片；提供等离子体处理设备，该等离子体处理设备具有等离子体真空腔体和等离子体放电功能；清洁待处理的半导体发光二极管芯片并将其干燥；将清洁并干燥后的待处理的半导体发光二极管芯片放入等离子体设备的真空腔体内；将等离子体真空腔体抽真空；在抽过真空的等离子体真空腔体内注入氩气或者氮气，并控制真空腔体内的真空度；对等离子体真空腔体内的惰性气体加高压，处理一定时间后结束放电过程，退出等离子体真空腔体。本发明能够去除芯片表面至亚表面的损伤层，降低漏电流，结合后续钝化工艺，进一步改善钝化的效果，降低漏电流。
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公开(公告)号：CN102683727A
公开(公告)日：2012-09-19
申请号：CN201210176087.9
申请日：2012-05-31
Applicant: 复旦大学
CPC classification number: Y02E60/128
Abstract: 本发明属电化学技术领域，具体为一种锂空电池氧化锰-石墨烯纳米复合催化剂及其制备方法。该纳米复合催化剂材料通过液相超声混合氧化锰和石墨烯分散液制备获得。由该复合催化剂制成的薄膜电极用于锂空电池正极材料，具有极高的放电比容量、良好的充放电循环可逆性，充放电过电压明显降低，在75mA/g电流密度下可逆比容量达到11235mAh/g；当容量限制在1500mAh/g时，电池能循环30次以上。基于该氧化锰-石墨烯（MnO2-GNS）纳米复合催化剂的正极材料化学稳定性好、比容量高、循环性能优异、制备方法简单，适用于锂空电池。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102569122B
公开(公告)日：2014-12-24
申请号：CN201210054565.9
申请日：2012-03-05
Applicant: 复旦大学 , 上海半导体照明工程技术研究中心
Abstract: 本发明公开了一种LED侧面钝化层质量的测试结构，通过在LED芯片的侧面及衬底的背面上制备G电极，从而可对LED芯片的侧面钝化层的等效电阻进行测量，并进一步对LED芯片的侧面钝化层的质量进行检测；同时，还公开了一种LED侧面钝化层质量的测试方法，通过测量LED芯片P区钝化层的等效电阻及N区钝化层的等效电阻，并分别与一标准LED芯片样品的P区钝化层的等效电阻及N区钝化层的等效电阻进行比较，从而可对LED芯片的侧面钝化层的质量进行检测；该方法简单方便，并且成本较低。
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公开(公告)号：CN102423703B
公开(公告)日：2013-11-27
申请号：CN201110405944.3
申请日：2011-12-08
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明属电化学技术领域，具体为一种锂空电池石墨烯-铂（RGO-Pt）纳米复合催化剂及其制备方法。该纳米复合催化剂材料通过液相脉冲激光烧蚀技术（LP-PLA）制备获得。由该复合催化剂制成的薄膜电极用于锂空电池正极材料，具有良好的充放电循环可逆性，充放电过电压明显降低，在100mA/g电流密度下可逆比容量超过4000mAh/g。基于该石墨烯-铂（RGO-Pt）纳米复合催化剂的薄膜正极材料化学稳定性好、比容量高、循环性能优异、制备方法简单，适用于锂空电池。
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公开(公告)号：CN102569122A
公开(公告)日：2012-07-11
申请号：CN201210054565.9
申请日：2012-03-05
Applicant: 复旦大学 , 上海半导体照明工程技术研究中心
Abstract: 本发明公开了一种LED侧面钝化层质量的测试结构，通过在LED芯片的侧面及衬底的背面上制备G电极，从而可对LED芯片的侧面钝化层的等效电阻进行测量，并进一步对LED芯片的侧面钝化层的质量进行检测；同时，还公开了一种LED侧面钝化层质量的测试方法，通过测量LED芯片P区钝化层的等效电阻及N区钝化层的等效电阻，并分别与一标准LED芯片样品的P区钝化层的等效电阻及N区钝化层的等效电阻进行比较，从而可对LED芯片的侧面钝化层的质量进行检测；该方法简单方便，并且成本较低。
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公开(公告)号：CN102423703A
公开(公告)日：2012-04-25
申请号：CN201110405944.3
申请日：2011-12-08
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明属电化学技术领域，具体为一种锂空电池石墨烯-铂（RGO-Pt）纳米复合催化剂及其制备方法。该纳米复合催化剂材料通过液相脉冲激光烧蚀技术（LP-PLA）制备获得。由该复合催化剂制成的薄膜电极用于锂空电池正极材料，具有良好的充放电循环可逆性，充放电过电压明显降低，在100mA/g电流密度下可逆比容量超过4000mAh/g。基于该石墨烯-铂（RGO-Pt）纳米复合催化剂的薄膜正极材料化学稳定性好、比容量高、循环性能优异、制备方法简单，适用于锂空电池。
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公开(公告)号：CN102332568A
公开(公告)日：2012-01-25
申请号：CN201110288087.3
申请日：2011-09-26
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明属于电化学技术领域，具体为一种氧化钴—类金刚石双层结构锂空电池正极材料及其制备方法。该正极材料为氧化钴—类金刚石双层薄膜材料，氧化钴薄膜厚度为80~120nm，通过脉冲激光沉积技术制备获得；类金刚石薄膜厚度为0.5~1um，通过电子束热蒸发法制备获得。由该双层结构薄膜制成的电极，氧化钴层对于发生在类金刚石薄膜层的氧还原过程及放电产物分解过程具有良好的催化效果，明显降低了充放电过电压，提高了电极循环性能，首次放电容量为824mAh/g，经过22次循环后放电容量升至2440mAh/g。该氧化钴—类金刚石双层结构电极材料化学稳定性好、比容量高、循环性能优异、制备方法简单，适用于锂空电池。
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