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公开(公告)号：CN116778986A
公开(公告)日：2023-09-19
申请号：CN202310736512.3
申请日：2023-06-21
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 读参考电压校准模型构建方法及装置、校准方法及装置，涉及固态存储技术领域。为解决现有技术总存在的，在校准读参考电压时，往往需要多次读取数据，以预测当前读参考电压，导致闪存读取延迟过大的问题，本发明提供的技术方案在于：读参考电压校准模型构建方法，所述方法包括：采集闪存样本数据的步骤；获取所述样本数据的读参考电压数据、对应的电压偏移系数和对应的位跳变数据的读取步骤；重复所述读取步骤至预设次数，构建所述位跳变数据与所述电压偏移系数的转化模型的步骤；基于3‑D闪存读参考电压的层和状态差异，将前述转化模型的优化范围从单个闪存页扩展至全闪存块的步骤。本发明提供的读参考电压校准模型构建方法，通用性强，适用于当前所有类型的3‑D NAND Flash。
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公开(公告)号：CN115543888B
公开(公告)日：2023-06-02
申请号：CN202211126299.6
申请日：2022-09-16
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种基于MiniVPX构架的机载测试系统涉及飞机机载测试系统技术领域。解决现有机载测试系统体积大的问题。本发明包括背板、主控板卡、功能板卡、电源板卡、存储板卡、转接板卡和触发板卡；背板包括双槽位接口单元、单槽位接口单元、PCIe总线、SMBus总线和SATA总线；主控板卡、电源板卡和转接板卡均嵌入在双槽位接口单元内，存储板卡、触发板卡和功能板卡均嵌入在单槽位接口单元内，主控板卡通过所述PCIe总线与所述功能板卡的数据端连接，主控板卡还通过SMBus总线与功能板卡的辅助数据端连接，存储板卡通过SATA总线与主控板卡连接，本发明适用于机载测试系统领域。
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公开(公告)号：CN115580016B
公开(公告)日：2023-04-11
申请号：CN202211258339.2
申请日：2022-10-14
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 本发明提供了一种基于ZYNQ的飞机交流远程配电单元及配电控制方法，通过配电处理器控制固态功率控制器实现机载交流设备配电功能。交流远程配电单元配电处理器基于ZYNQ平台，PS和PL分别完成不同功能，PL通过数据采集模块得到配电通道电压、电流、温度数据以及实现开关控制功能。PS端完成数据处理、本地存储、总线通信功能。PS与PL通过AXI总线进行数据通信，保证了数据获取与计算数据的实时性。同时，交流远程配电单元预留了网口，具备通过网络进行系统软件升级功能。
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公开(公告)号：CN115566672A
公开(公告)日：2023-01-03
申请号：CN202211258335.4
申请日：2022-10-14
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: H02J3/00 , H02J13/00 , B60R16/023 , B64D47/00
Abstract: 本发明公开了一种基于ZYNQ的飞机前端电源分配单元及其工作方法。所述主控模块分别与接触器开关模块、数据采集模块、本地存储及配电控制中心相连接，所述接触器开关模块包括驱动电路与接触器开关，所述驱动电路分别与主控模块和接触器开关相连接，所述数据采集模块包括A/D采集模块和传感器，所述A/D采集模块分别与传感器和主控模块相连接。用以解决由人工控制的前端电源分配，无法自动分配，不利于飞行员在飞机飞行时对飞机的操控的问题。
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公开(公告)号：CN115550098A
公开(公告)日：2022-12-30
申请号：CN202211126307.7
申请日：2022-09-16
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 基于MiniVPX构架的ARINC429总线通信组件及装置，涉及航空总线信号通信技术。针对现有技术中存在的先前设计的ARINC429通信板卡，因为电路芯片集成度低，需要实现通信功能的硬件电路使用元器件多、规模大、复杂程度高以及目前已经推出的ARINC429通信板卡数据处理功能固定的问题，本发明提供的技术方案为：基于MiniVPX构架的ARINC429总线通信组件，组件包括：FPGA模块、ARINC429协议芯片、驱动芯片和供电电路模块；FPGA模块连接ARINC429协议芯片，用于为协议芯片提供参数初始化配置；ARINC429协议芯片连接FPGA模块，用于通过驱动芯片实现数据发送功能，以及用于数据接收；供电电路模块用于为FPGA模块、协议芯片和驱动芯片供电。适合应用于基于MiniVPX构架的ARINC429总线通信板卡的研究领域以及总线通信的应用中。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115171760A
公开(公告)日：2022-10-11
申请号：CN202210552386.1
申请日：2022-05-20
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G11C16/34
Abstract: 本发明提出了一种基于标记层的3DNAND型闪存块粒度阈值电压分布感知方法，首先在数据存储的初期离线获取块中的标记层，并将其记录到存储元数据区域，在数据存储的周期中，可以通过对标记层的感知快速获取块粒度的阈值电压分布，并进而得到优化读参考电压等基于阈值电压分布的可靠性管理参数；本发明通过对闪存阈值电压分布层间差异的深入表征，利用提出的标记层方法，显著减少了获取块粒度阈值电压分布的管理开销，提升了读取性能；实现了块粒度优化读参考电压的快速感知，可适配于现有的诸多基于读参考电压优化的闪存可靠性管理策略。
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公开(公告)号：CN115083492A
公开(公告)日：2022-09-20
申请号：CN202210550598.6
申请日：2022-05-20
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 本发明提出了一种基于3DNAND型闪存阈值电压分布对称性的优化读参考电压感知方法，首先执行一对相邻状态间VOPT的感知，设扫描范围是[VL，VR]，读取所述一对相邻状态在VOPT附近的OCD曲线，将三个采样点设为一个判别组，对OCD曲线进行滑动检索；对于每个判别组，在获取三个采样点的OCD值后，计算该判别组的判别式γ，其用于衡量左右两个采样点关于中心点成中心对称的程度；采用双级精度的判别组滑动扫描，先进行粗精度扫描确定VOPT所在的offset范围，再进行细精度扫描最终得到VOPT的offset值，本发明可以有效克服小粒度存储样本量阈值电压分布上噪声对优化参考电压感知的影响；采用双级精度的扫描方法，仅需要少数几次的读取采样操作，引入的读取开销较少。
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公开(公告)号：CN113342570B
公开(公告)日：2022-03-08
申请号：CN202110672534.9
申请日：2021-06-17
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 本发明提出了一种适配3D TLC型NAND闪存数据存储的双目标状态消除编解码方法，通过编码器对胞元数据预处理，每个胞元内部均能够存储3比特信息，所述胞元共有8个状态N，将所述8个状态两两配对等分为4组，记为Gi；设其中一组GX为目标消除的双状态，将原始数据流按字线长度进行划分后，取4个胞元作为一个编码的码段，记录该4胞元码段中8种状态各自出现的个数num(N)，根据码段中的状态组合得到重映射编码方法；将重映射编码后的信息存储到闪存的不同块中；解码器根据标志位将4胞元码段重新映射为原始数据；本发明的方法可以作为一种通用方法，提升了3D TLC型NAND闪存的可靠性。
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公开(公告)号：CN113342569B
公开(公告)日：2022-02-11
申请号：CN202110672532.X
申请日：2021-06-17
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 本发明提出了一种用于闪存胞元不可靠状态消除的等长编解码方法，通过编码器对胞元数据预处理，再将多级胞元所有状态等分为4组，然后根据码段中的状态组合得到重映射编码方法；将重映射编码后的信息存储到闪存的不同块中：解码器根据标志位将经过步骤三的3胞元码段反映射为原始数据；本发明基于等长编码的特性保证了所有码字的码长都相等，即原始数据流不会因为存储的调制数据中的比特翻转而发生窜动，实现一种以消除目标状态的数据形式对多级胞元闪存进行数据存储的编解码方法。对于MLC型闪存可消除一种状态，对于TLC型闪存可消除两种状态。
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公开(公告)号：CN109947588B
公开(公告)日：2021-01-12
申请号：CN201910133439.4
申请日：2019-02-22
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 本发明公开了一种基于支持向量回归法的NAND Flash位错误率预测方法，根据NAND Flash芯片中数据驻留时间和P/E周期数对位错误率影响较大的特性，以及支持向量回归小样本、高准确度的特性，对芯片进行人为磨损实验，获得数据，通过已有数据，建立位错误率与数据驻留时间及P/E周期数之间的三维模型，从而对芯片的位错误率进行预测，以此来指导纠错算法的适配，提高数据的存储可靠性，相较于传统的利用神经网络法进行预测，本发明的基于支持向量回归法的位错误率预测方法在精确度相同的情况下，效率提高了五倍多。
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