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公开(公告)号：CN116778986A
公开(公告)日：2023-09-19
申请号：CN202310736512.3
申请日：2023-06-21
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 读参考电压校准模型构建方法及装置、校准方法及装置，涉及固态存储技术领域。为解决现有技术总存在的，在校准读参考电压时，往往需要多次读取数据，以预测当前读参考电压，导致闪存读取延迟过大的问题，本发明提供的技术方案在于：读参考电压校准模型构建方法，所述方法包括：采集闪存样本数据的步骤；获取所述样本数据的读参考电压数据、对应的电压偏移系数和对应的位跳变数据的读取步骤；重复所述读取步骤至预设次数，构建所述位跳变数据与所述电压偏移系数的转化模型的步骤；基于3‑D闪存读参考电压的层和状态差异，将前述转化模型的优化范围从单个闪存页扩展至全闪存块的步骤。本发明提供的读参考电压校准模型构建方法，通用性强，适用于当前所有类型的3‑D NAND Flash。
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