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公开(公告)号：CN115083492B
公开(公告)日：2025-01-03
申请号：CN202210550598.6
申请日：2022-05-20
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 本发明提出了一种基于3DNAND型闪存阈值电压分布对称性的优化读参考电压感知方法，首先执行一对相邻状态间VOPT的感知，设扫描范围是[VL，VR]，读取所述一对相邻状态在VOPT附近的OCD曲线，将三个采样点设为一个判别组，对OCD曲线进行滑动检索；对于每个判别组，在获取三个采样点的OCD值后，计算该判别组的判别式γ，其用于衡量左右两个采样点关于中心点成中心对称的程度；采用双级精度的判别组滑动扫描，先进行粗精度扫描确定VOPT所在的offset范围，再进行细精度扫描最终得到VOPT的offset值，本发明可以有效克服小粒度存储样本量阈值电压分布上噪声对优化参考电压感知的影响；采用双级精度的扫描方法，仅需要少数几次的读取采样操作，引入的读取开销较少。
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公开(公告)号：CN113314184B
公开(公告)日：2022-03-08
申请号：CN202110614615.3
申请日：2021-06-02
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G11C29/50
Abstract: 本发明提出了一种基于闪存存储信道噪声频谱特征的可靠性评估及失效预警方法，所述方法对被监测闪存进行连续读操作，读取原始误码率数据；将测试数据进行时域频域转换，获取闪存信道噪声频谱特征；判断闪存信道噪声频谱特征的功率谱密度是否超过阈值；本发明能够迅速获取当前存储信道的噪声数据，能够利用噪声频谱特征对闪存当前数据可靠性进行评估及失效预警；不仅可以在不影响闪存正常工作的前提下实现全时段的内部数据可靠性监测并及时做出失效预警，还可以利用噪声频率熵函数计算阈值电压重叠区域的存储比特可靠度，对闪存存储比特LLR表进行动态更新。
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公开(公告)号：CN112053726A
公开(公告)日：2020-12-08
申请号：CN202010941101.4
申请日：2020-09-09
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种基于Er态阈值电压分布的闪存误擦除数据恢复方法，涉及固态存储技术领域。本发明是为了解决针对用户误擦除操作导致闪存数据丢失的问题，目前尚没有任何误擦除数据的直接恢复方法。本发明面向闪存误擦除的数据恢复提供了一种基于测量Er态阈值电压的闪存数据恢复方法。该方法在实际使用过程中，利用擦除后的Er态阈值电压大小与闪存胞元被擦除之前的状态之间的数学关系，结合机器学习算法，为误擦除闪存的数据恢复提供了理论依据和实现方法。主要用于闪存误擦除数据的恢复。
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公开(公告)号：CN113314184A
公开(公告)日：2021-08-27
申请号：CN202110614615.3
申请日：2021-06-02
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G11C29/50
Abstract: 本发明提出了一种基于闪存存储信道噪声频谱特征的可靠性评估及失效预警方法，所述方法对被监测闪存进行连续读操作，读取原始误码率数据；将测试数据进行时域频域转换，获取闪存信道噪声频谱特征；判断闪存信道噪声频谱特征的功率谱密度是否超过阈值；本发明能够迅速获取当前存储信道的噪声数据，能够利用噪声频谱特征对闪存当前数据可靠性进行评估及失效预警；不仅可以在不影响闪存正常工作的前提下实现全时段的内部数据可靠性监测并及时做出失效预警，还可以利用噪声频率熵函数计算阈值电压重叠区域的存储比特可靠度，对闪存存储比特LLR表进行动态更新。
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公开(公告)号：CN115171760A
公开(公告)日：2022-10-11
申请号：CN202210552386.1
申请日：2022-05-20
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G11C16/34
Abstract: 本发明提出了一种基于标记层的3DNAND型闪存块粒度阈值电压分布感知方法，首先在数据存储的初期离线获取块中的标记层，并将其记录到存储元数据区域，在数据存储的周期中，可以通过对标记层的感知快速获取块粒度的阈值电压分布，并进而得到优化读参考电压等基于阈值电压分布的可靠性管理参数；本发明通过对闪存阈值电压分布层间差异的深入表征，利用提出的标记层方法，显著减少了获取块粒度阈值电压分布的管理开销，提升了读取性能；实现了块粒度优化读参考电压的快速感知，可适配于现有的诸多基于读参考电压优化的闪存可靠性管理策略。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115083492A
公开(公告)日：2022-09-20
申请号：CN202210550598.6
申请日：2022-05-20
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 本发明提出了一种基于3DNAND型闪存阈值电压分布对称性的优化读参考电压感知方法，首先执行一对相邻状态间VOPT的感知，设扫描范围是[VL，VR]，读取所述一对相邻状态在VOPT附近的OCD曲线，将三个采样点设为一个判别组，对OCD曲线进行滑动检索；对于每个判别组，在获取三个采样点的OCD值后，计算该判别组的判别式γ，其用于衡量左右两个采样点关于中心点成中心对称的程度；采用双级精度的判别组滑动扫描，先进行粗精度扫描确定VOPT所在的offset范围，再进行细精度扫描最终得到VOPT的offset值，本发明可以有效克服小粒度存储样本量阈值电压分布上噪声对优化参考电压感知的影响；采用双级精度的扫描方法，仅需要少数几次的读取采样操作，引入的读取开销较少。
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公开(公告)号：CN113342570B
公开(公告)日：2022-03-08
申请号：CN202110672534.9
申请日：2021-06-17
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 本发明提出了一种适配3D TLC型NAND闪存数据存储的双目标状态消除编解码方法，通过编码器对胞元数据预处理，每个胞元内部均能够存储3比特信息，所述胞元共有8个状态N，将所述8个状态两两配对等分为4组，记为Gi；设其中一组GX为目标消除的双状态，将原始数据流按字线长度进行划分后，取4个胞元作为一个编码的码段，记录该4胞元码段中8种状态各自出现的个数num(N)，根据码段中的状态组合得到重映射编码方法；将重映射编码后的信息存储到闪存的不同块中；解码器根据标志位将4胞元码段重新映射为原始数据；本发明的方法可以作为一种通用方法，提升了3D TLC型NAND闪存的可靠性。
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公开(公告)号：CN113342569B
公开(公告)日：2022-02-11
申请号：CN202110672532.X
申请日：2021-06-17
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 本发明提出了一种用于闪存胞元不可靠状态消除的等长编解码方法，通过编码器对胞元数据预处理，再将多级胞元所有状态等分为4组，然后根据码段中的状态组合得到重映射编码方法；将重映射编码后的信息存储到闪存的不同块中：解码器根据标志位将经过步骤三的3胞元码段反映射为原始数据；本发明基于等长编码的特性保证了所有码字的码长都相等，即原始数据流不会因为存储的调制数据中的比特翻转而发生窜动，实现一种以消除目标状态的数据形式对多级胞元闪存进行数据存储的编解码方法。对于MLC型闪存可消除一种状态，对于TLC型闪存可消除两种状态。
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公开(公告)号：CN112053726B
公开(公告)日：2022-04-12
申请号：CN202010941101.4
申请日：2020-09-09
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种基于Er态阈值电压分布的闪存误擦除数据恢复方法，涉及固态存储技术领域。本发明是为了解决针对用户误擦除操作导致闪存数据丢失的问题，目前尚没有任何误擦除数据的直接恢复方法。本发明面向闪存误擦除的数据恢复提供了一种基于测量Er态阈值电压的闪存数据恢复方法。该方法在实际使用过程中，利用擦除后的Er态阈值电压大小与闪存胞元被擦除之前的状态之间的数学关系，结合机器学习算法，为误擦除闪存的数据恢复提供了理论依据和实现方法。主要用于闪存误擦除数据的恢复。
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公开(公告)号：CN113342570A
公开(公告)日：2021-09-03
申请号：CN202110672534.9
申请日：2021-06-17
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 本发明提出了一种适配3D TLC型NAND闪存数据存储的双目标状态消除编解码方法，通过编码器对胞元数据预处理，每个胞元内部均能够存储3比特信息，所述胞元共有8个状态N，将所述8个状态两两配对等分为4组，记为Gi；设其中一组GX为目标消除的双状态，将原始数据流按字线长度进行划分后，取4个胞元作为一个编码的码段，记录该4胞元码段中8种状态各自出现的个数num(N)，根据码段中的状态组合得到重映射编码方法；将重映射编码后的信息存储到闪存的不同块中；解码器根据标志位将4胞元码段重新映射为原始数据；本发明的方法可以作为一种通用方法，提升了3D TLC型NAND闪存的可靠性。
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