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公开(公告)号：CN119316395A
公开(公告)日：2025-01-14
申请号：CN202411445309.1
申请日：2024-10-16
Applicant: 中国电子信息产业集团有限公司第六研究所 , 哈尔滨工业大学(威海)
IPC: H04L61/5046 , H04L61/5007 , H04L101/69
Abstract: 本申请提供了DoH服务器的检测方法、装置、电子设备及存储介质，通过对目标网络端口的扫描，获取至少一个IP地址；针对于每一个IP地址，基于该IP地址所属的地址段信息、地理位置信息、自治系统信息以及组织信息，确定该IP地址的IP特征向量；将确定出的各个IP特征向量输入至预先训练好的DoH服务器分布评分模型，输出各个IP地址的地址评分；针对于地址评分大于预设评分阈值的至少一个目标IP地址，进行全量DoH服务器探测，确定DoH服务器的分布信息。这样，可以减少需要全量查询筛选的IP地址的数量，进而提升DoH服务器的检测效率。
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公开(公告)号：CN117038354A
公开(公告)日：2023-11-10
申请号：CN202311103180.1
申请日：2023-08-30
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: H01G11/86 , H01G11/30 , C01B32/921 , B82Y40/00
Abstract: 本发明涉及电极材料技术领域，特别是涉及一种MXene薄膜的制备方法、产品及应用。本发明方法包括以下步骤：将Ti3C2Tx的前驱体加入到刻蚀剂中进行刻蚀，之后离心，清洗所得固体得到Ti3C2Tx沉淀；将所述Ti3C2Tx沉淀加入到去离子水中超声处理，得到含有Ti3C2Tx纳米片的悬浊液；将所述含有Ti3C2Tx纳米片的悬浊液进行一次氧化，之后加入氢氟酸进行刻蚀，得到一次氧化刻蚀后的Ti3C2Tx纳米片悬浊液；将所述一次氧化刻蚀后的Ti3C2Tx纳米片悬浊液进行二次氧化，之后加入氢氟酸进行刻蚀，抽滤，得到所述MXene薄膜。本发明方法简单，所制备的MXene薄膜具有高的比电容。
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公开(公告)号：CN115747901A
公开(公告)日：2023-03-07
申请号：CN202211418323.3
申请日：2022-11-14
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C25D3/22 , C25D5/50 , C22F1/16 , C22F1/08 , C22F1/02 , C23C18/52 , C23C18/16 , C21D9/00 , C23C14/16 , C23C14/58
Abstract: 本发明公开了一种抑制纳米孪晶铜界面裂纹生成的保护层及其制备方法和应用，属于电子封装与互连技术技术领域。本发明解决了现有纳米孪晶铜作为焊盘使用时，其内部存在大量空位阱及硫元素，在焊点服役过程中不断富集，最终导致焊点界面开裂的问题。本发明应用金属元素在纳米孪晶铜镀层表面形成镀层，并配合低温热处理使金属镀层合金化，在保持焊盘纳米孪晶结构的基础上抑制界面裂纹的产生，提高纳米孪晶铜焊点的服役可靠性。本发明在孪晶铜镀层表面形成的合金化镀层，可以明显抑制硫元素扩散并且预防空位阱聚集，防止界面裂纹的产生以及界面柯肯达尔孔洞的生成。此外，提供的保护层的制备方法简单，适用于工业化生产，拓宽了纳米孪晶铜焊盘的应用。
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公开(公告)号：CN115650233A
公开(公告)日：2023-01-31
申请号：CN202211350266.X
申请日：2022-10-31
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C01B32/921
Abstract: 一种基于气液界面作用的超薄MXenes膜的制备方法，本发明属于纳米材料技术领域。本发明要解决现有MXenes薄膜的制备方法，或存在无法制备纳米级别薄膜，或存在无法获得纯净的纳米级别薄膜的问题。方法：一、MXenes湿膜的制备；二、超薄MXenes膜的制备。本发明用于基于气液界面的超薄MXenes膜的制备。
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公开(公告)号：CN113511884A
公开(公告)日：2021-10-19
申请号：CN202110873829.2
申请日：2021-07-30
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C04B35/10 , C04B35/48 , C04B35/626
Abstract: 一种柱状晶氧化铝/氧化锆复合陶瓷粉末的制备方法，涉及氧化铝/氧化锆复合陶瓷领域，是要解决现有方法制备的柱状晶陶瓷诱发的柱状晶含量少，分布不均匀，晶粒尺寸大导致陶瓷的强度和韧性不足的问题。方法：一、将铝粉和稀释剂进行干燥；二、将铝粉和稀释剂混合，球磨，过筛，得到混合物料；三、将混合物料装入高压反应器中，充入O2或O2混合气体，下端设有喷嘴，点燃混合物料，进行高温燃烧合成反应，反应结束后形成高温熔体，保温，开启喷嘴，熔体喷出，经液相冷却，即得到柱状晶氧化铝/氧化锆复合陶瓷粉末。本发明制备的陶瓷粉末具有纳米柱状晶晶种，且柱状晶晶种含量高，经烧结后具有较高的强度和韧性。本发明方法用于柱状晶陶瓷领域。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115747901B
公开(公告)日：2024-12-27
申请号：CN202211418323.3
申请日：2022-11-14
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C25D3/22 , C25D5/50 , C22F1/16 , C22F1/08 , C22F1/02 , C23C18/52 , C23C18/16 , C21D9/00 , C23C14/16 , C23C14/58
Abstract: 本发明公开了一种抑制纳米孪晶铜界面裂纹生成的保护层及其制备方法和应用，属于电子封装与互连技术技术领域。本发明解决了现有纳米孪晶铜作为焊盘使用时，其内部存在大量空位阱及硫元素，在焊点服役过程中不断富集，最终导致焊点界面开裂的问题。本发明应用金属元素在纳米孪晶铜镀层表面形成镀层，并配合低温热处理使金属镀层合金化，在保持焊盘纳米孪晶结构的基础上抑制界面裂纹的产生，提高纳米孪晶铜焊点的服役可靠性。本发明在孪晶铜镀层表面形成的合金化镀层，可以明显抑制硫元素扩散并且预防空位阱聚集，防止界面裂纹的产生以及界面柯肯达尔孔洞的生成。此外，提供的保护层的制备方法简单，适用于工业化生产，拓宽了纳米孪晶铜焊盘的应用。
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公开(公告)号：CN115866866A
公开(公告)日：2023-03-28
申请号：CN202211559321.6
申请日：2022-12-06
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: H05H3/02
Abstract: 本发明公开一种高通量中性原子氧束流发生系统及发生方法，其系统包括包括等离子输出模块、供气模块、真空室和磁场约束模块，所述等离子输出模块和供气模块均与真空室连接，磁场约束模块安装于等离子输出模块和真空室的连接处；本发明采用等离子输出模块中的微波输出单元对放电等离子枪输出微波，并利用放电等离子枪对真空室输出微波等离子体，同时配合供气模块对真空室输出的高密度氧气产生高密度氧等离子体，再与被施加负偏压的中性化靶板进行碰撞复合，以反射生成高通量的中性原子氧束流，相比传统的发生中性原子氧束流的方法效率更高，获得的原子氧束流通量更高，动能更小，可以满足航天器表面材料耐原子氧测试试验中对原子氧束流的要求。
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公开(公告)号：CN112365040B
公开(公告)日：2022-03-01
申请号：CN202011208966.6
申请日：2020-11-03
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 本发明公开了一种基于多通道卷积神经网络和时间卷积网络的短期风电功率预测方法。步骤1：对风电功率历史数据提取相关特征并形成样本集；步骤2：利用多层LSTM神经网络模型对样本集中短期预测风速数据进行修正；步骤3：对修正后的样本集数据进行归一化处理，并划分为训练集和测试集；步骤4：分别对三通道CNN‑LSTM神经网络初始化设置和TCN时间卷积网络初始化设置，利用训练集分别对两个网络进行训练；步骤5：将测试集分别输入两个神经网络模型，并利用加权平均方法进行模型融合，输出最终的预测结果；步骤6：按预定义的各种评价指标对预测结果进行评价。实验证明，本发明针对短期风电功率预测具有较高的准确度和鲁棒性。
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公开(公告)号：CN112382403A
公开(公告)日：2021-02-19
申请号：CN202011064838.9
申请日：2020-09-30
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 本发明公开了一种基于人员聚集度的SEIQR传染病模型的构建方法，属于传染病模型领域。建立改进的SEIQR‑I模型的微分方程，再对所述SEIQR‑I模型进行改进，得到SEIQR‑II模型。本发明的一种基于人员聚集度的SEIQR传染病模型的构建方法，其构造的基于人员聚集度的SEIQR模型充分考虑了COVID‑19疫情传播的特点并结合了具体的防疫政策，实现了疫情在世界范围、国内省、市范围内的不同粒度分析，模型预测精度达到了90％以上；本发明根据疫情传播特征分阶段建模，模型架构更好地贴合了实际情况，通过可根据模型反演出在不同防疫措施下基本再生数R0的变化情况，可据此判断防疫政策的有效程度。
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公开(公告)号：CN115831627B
公开(公告)日：2025-04-29
申请号：CN202211467957.8
申请日：2022-11-22
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种MXenes超级电容器电极的辐照改性方法，本发明属于纳米材料技术领域。本发明要解决现有MXenes电极的改性方法或存在电极柔性差的问题，或存在造成MXenes晶体结构破坏并产生氧化的问题，且现有Mxenes的改性方法不适于大规模生产。方法：一、MXenes电极的制备及预处理；二、利用质子束进行辐照改性。本发明用于MXenes超级电容器电极的辐照改性。
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