-
公开(公告)号：CN113314184A
公开(公告)日：2021-08-27
申请号：CN202110614615.3
申请日：2021-06-02
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G11C29/50
Abstract: 本发明提出了一种基于闪存存储信道噪声频谱特征的可靠性评估及失效预警方法，所述方法对被监测闪存进行连续读操作，读取原始误码率数据；将测试数据进行时域频域转换，获取闪存信道噪声频谱特征；判断闪存信道噪声频谱特征的功率谱密度是否超过阈值；本发明能够迅速获取当前存储信道的噪声数据，能够利用噪声频谱特征对闪存当前数据可靠性进行评估及失效预警；不仅可以在不影响闪存正常工作的前提下实现全时段的内部数据可靠性监测并及时做出失效预警，还可以利用噪声频率熵函数计算阈值电压重叠区域的存储比特可靠度，对闪存存储比特LLR表进行动态更新。
-
公开(公告)号：CN112053726B
公开(公告)日：2022-04-12
申请号：CN202010941101.4
申请日：2020-09-09
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种基于Er态阈值电压分布的闪存误擦除数据恢复方法，涉及固态存储技术领域。本发明是为了解决针对用户误擦除操作导致闪存数据丢失的问题，目前尚没有任何误擦除数据的直接恢复方法。本发明面向闪存误擦除的数据恢复提供了一种基于测量Er态阈值电压的闪存数据恢复方法。该方法在实际使用过程中，利用擦除后的Er态阈值电压大小与闪存胞元被擦除之前的状态之间的数学关系，结合机器学习算法，为误擦除闪存的数据恢复提供了理论依据和实现方法。主要用于闪存误擦除数据的恢复。
-
公开(公告)号：CN113342570A
公开(公告)日：2021-09-03
申请号：CN202110672534.9
申请日：2021-06-17
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 本发明提出了一种适配3D TLC型NAND闪存数据存储的双目标状态消除编解码方法，通过编码器对胞元数据预处理，每个胞元内部均能够存储3比特信息，所述胞元共有8个状态N，将所述8个状态两两配对等分为4组，记为Gi；设其中一组GX为目标消除的双状态，将原始数据流按字线长度进行划分后，取4个胞元作为一个编码的码段，记录该4胞元码段中8种状态各自出现的个数num(N)，根据码段中的状态组合得到重映射编码方法；将重映射编码后的信息存储到闪存的不同块中；解码器根据标志位将4胞元码段重新映射为原始数据；本发明的方法可以作为一种通用方法，提升了3D TLC型NAND闪存的可靠性。
-
公开(公告)号：CN113342569A
公开(公告)日：2021-09-03
申请号：CN202110672532.X
申请日：2021-06-17
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 本发明提出了一种用于闪存胞元不可靠状态消除的等长编解码方法，通过编码器对胞元数据预处理，再将多级胞元所有状态等分为4组，然后根据码段中的状态组合得到重映射编码方法；将重映射编码后的信息存储到闪存的不同块中：解码器根据标志位将经过步骤三的3胞元码段反映射为原始数据；本发明基于等长编码的特性保证了所有码字的码长都相等，即原始数据流不会因为存储的调制数据中的比特翻转而发生窜动，实现一种以消除目标状态的数据形式对多级胞元闪存进行数据存储的编解码方法。对于MLC型闪存可消除一种状态，对于TLC型闪存可消除两种状态。
-
公开(公告)号：CN111341375B
公开(公告)日：2020-12-01
申请号：CN202010103028.3
申请日：2020-02-19
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种面向TLC型NAND Flash的阈值电压获取方法，涉及固态存储领域，为了解决由于NAND Flash的阈值电压只能通过NAND Flash读操作来间接测量而导致其可靠性差的问题。本发明通过首先将指定数据写入闪存；其次对NAND Flash执行READ‑OFFSET操作获得位翻转数据；最后对位翻转数据进行处理和拟合，最终获得阈值电压分布模型。有益效果为利用NAND Flash中开放的READ‑OFFSET功能，通过控制其读参考电压偏移的方法，找到参考电压和阈值电压分布的关系，间接测量出NAND Flash阈值电压分布；通过对不同状态的NAND Flash阈值电压分布测试，还可以找到其读干扰、编程干扰、驻留偏移、P/E磨损规律；可以用来预测NAND Flash使用寿命，也可以为ECC(Error Correction Code)强度匹配提供数据支撑，从而提高SSDs的读写性能。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111475926A
公开(公告)日：2020-07-31
申请号：CN202010194216.1
申请日：2020-03-18
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 本发明是一种基于嵌入式CPU与FPGA的异构计算结构的飞机模拟电负载控制系统。基于嵌入式CPU与可重构的FPGA架构的控制器，根据需求配置了不同I/O功能模块，搭建飞机模拟点负载功率计算与调节系统平台，提升系统性能并简化了嵌入式控制和监测系统的设计。本发明对软、硬件分别实现的功能进行合理划分，充分利用了FPGA可完全重配置与提供硬件定时的快速性与稳定性，实现数据采集与控制逻辑；也充分利用了嵌入式CPU能够完成复杂算法计算优势实现了差值匹配算法与良好的交互界面。
-
公开(公告)号：CN115083492B
公开(公告)日：2025-01-03
申请号：CN202210550598.6
申请日：2022-05-20
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 本发明提出了一种基于3DNAND型闪存阈值电压分布对称性的优化读参考电压感知方法，首先执行一对相邻状态间VOPT的感知，设扫描范围是[VL，VR]，读取所述一对相邻状态在VOPT附近的OCD曲线，将三个采样点设为一个判别组，对OCD曲线进行滑动检索；对于每个判别组，在获取三个采样点的OCD值后，计算该判别组的判别式γ，其用于衡量左右两个采样点关于中心点成中心对称的程度；采用双级精度的判别组滑动扫描，先进行粗精度扫描确定VOPT所在的offset范围，再进行细精度扫描最终得到VOPT的offset值，本发明可以有效克服小粒度存储样本量阈值电压分布上噪声对优化参考电压感知的影响；采用双级精度的扫描方法，仅需要少数几次的读取采样操作，引入的读取开销较少。
-
公开(公告)号：CN113314184B
公开(公告)日：2022-03-08
申请号：CN202110614615.3
申请日：2021-06-02
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G11C29/50
Abstract: 本发明提出了一种基于闪存存储信道噪声频谱特征的可靠性评估及失效预警方法，所述方法对被监测闪存进行连续读操作，读取原始误码率数据；将测试数据进行时域频域转换，获取闪存信道噪声频谱特征；判断闪存信道噪声频谱特征的功率谱密度是否超过阈值；本发明能够迅速获取当前存储信道的噪声数据，能够利用噪声频谱特征对闪存当前数据可靠性进行评估及失效预警；不仅可以在不影响闪存正常工作的前提下实现全时段的内部数据可靠性监测并及时做出失效预警，还可以利用噪声频率熵函数计算阈值电压重叠区域的存储比特可靠度，对闪存存储比特LLR表进行动态更新。
-
公开(公告)号：CN112053726A
公开(公告)日：2020-12-08
申请号：CN202010941101.4
申请日：2020-09-09
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种基于Er态阈值电压分布的闪存误擦除数据恢复方法，涉及固态存储技术领域。本发明是为了解决针对用户误擦除操作导致闪存数据丢失的问题，目前尚没有任何误擦除数据的直接恢复方法。本发明面向闪存误擦除的数据恢复提供了一种基于测量Er态阈值电压的闪存数据恢复方法。该方法在实际使用过程中，利用擦除后的Er态阈值电压大小与闪存胞元被擦除之前的状态之间的数学关系，结合机器学习算法，为误擦除闪存的数据恢复提供了理论依据和实现方法。主要用于闪存误擦除数据的恢复。
-
公开(公告)号：CN109582224A
公开(公告)日：2019-04-05
申请号：CN201811340564.4
申请日：2018-11-12
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G06F3/06
Abstract: 本发明公开了提出了一种基于自恢复效应的NAND Flash存储可靠性优化方法，该方法不仅考虑数据块的P/E次数，当数据块P/E次数相等时，优先选择上次写入时间最早的数据块，以此可延长数据的驻留时间。本发明目的在于通过存储数据块所经历的P/E次数并存储该块上次写入数据的时间，来研究磨损程度不同的块在不同程度的自恢复效应时数据驻留错误的变化规律，从而提高NAND Flash的可靠性。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
19
records
(took 0.02 seconds)
