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公开(公告)号:CN114937642A
公开(公告)日:2022-08-23
申请号:CN202210159986.1
申请日:2022-02-22
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/31 , H01L23/29 , H01L23/16 , H01L21/56 , H01L25/065
Abstract: 提供了半导体器件及其制造方法,其中,形成第一再分布结构,将半导体器件接合至第一再分布结构,并且将半导体器件密封在密封剂中。第一开口形成在密封剂内,诸如沿着密封剂的拐角,以帮助减轻应力并减少裂纹。
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公开(公告)号:CN114220775A
公开(公告)日:2022-03-22
申请号:CN202111208945.9
申请日:2021-10-18
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 提供一种半导体装置封装以及形成半导体装置封装的方法。半导体装置封装包括基板、第一封装部件、第二封装部件、以及至少一个虚设晶粒。第一封装部件以及第二封装部件设置于基板之上,且结合至基板。第一封装部件以及第二封装部件为提供不同功能的不同类型的电子部件。虚设晶粒设置于基板之上,且附接至基板。虚设晶粒位在第一封装部件以及第二封装部件之间,且与基板电性隔绝。
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公开(公告)号:CN220021087U
公开(公告)日:2023-11-14
申请号:CN202321196918.9
申请日:2023-05-17
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/24 , H01L23/31 , H01L23/498
Abstract: 一种半导体封装体,包括中介层、接合到中介层的一或多个封装元件、位于中介层上的封装胶以及位于中介层上的多个支撑结构。在俯视图中,一或多个支撑结构设置在中介层的每个角落上。多个支撑结构包括第一金属,并且嵌入在封装胶中。
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