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公开(公告)号：CN113380827B
公开(公告)日：2023-12-19
申请号：CN202110255533.4
申请日：2021-03-09
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 一种用于形成存储器件的方法，包括：在衬底上方依次形成第一层堆叠件和第二层堆叠件，其中第一层堆叠件和第二层堆叠件中的每个包括在衬底上方依次形成的介电层、沟道层和源极/漏极层；形成延伸穿过第一层堆叠件和第二层堆叠件的开口，其中，开口包括在第一层堆叠件和第二层堆叠件的边界内的第一开口，以及从第二层堆叠件的侧壁向第一开口延伸的第二开口；通过用介电材料取代由开口暴露的源极/漏极层的部分来形成内间隔层；用铁电材料加衬开口的侧壁；以及通过用导电材料填充开口，在第一开口中形成第一栅电极并在第二开口中形成伪栅电极。本发明的实施例还涉及一种存储器件。
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公开(公告)号：CN113517299B
公开(公告)日：2023-07-04
申请号：CN202110039606.6
申请日：2021-01-13
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 一种形成铁电随机存取存储器(FeRAM)器件的方法，包括：依次在衬底上形成第一层堆叠和第二层堆叠，其中，第一层堆叠和所述第二层堆叠具有相同的层状结构，层状结构包括在第一介电材料层上方的第一导电材料层，其中，第一层堆叠延伸超过第二层堆叠的横向范围；形成延伸穿过该第一层堆叠和第二层堆叠的沟槽；用铁电材料加衬该沟槽的侧壁和底部；在铁电材料的上方的沟槽中共形地形成沟道材料；用第二介电材料填充该沟槽；在第二介电材料中形成第一开口和第二开口；以及用第二导电材料填充第一开口和第二开口。本发明的实施例还涉及铁电随机存取存储器器件。
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公开(公告)号：CN116261324A
公开(公告)日：2023-06-13
申请号：CN202210799531.6
申请日：2022-07-08
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H10B12/00
Abstract: 本公开涉及垂直DRAM结构及形成方法。实施例提供了一种集成电容器，其设置在垂直栅极全环绕存储器单元晶体管正上方并与之对齐。在一些实施例中，可以在相邻字线之间提供气隙以在字线之间提供低k介质效应。在一些实施例中，底部位线结构可以跨多个层分开。在一些实施例中，第二层级的垂直单元可以定位在第一层级的垂直单元之上。
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公开(公告)号：CN115241194A
公开(公告)日：2022-10-25
申请号：CN202210513414.9
申请日：2022-05-12
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/108 , H01L21/8242
Abstract: 本公开涉及垂直DRAM结构及方法。本公开的实施例提供了一种利用具有侧沟道晶体管的垂直设计的侧沟道动态随机存取存储器(DRAM)单元和单元阵列。电介质层设置在衬底之上。栅极电极嵌入在电介质层中。沟道层环绕栅极电极，并且导电结构与沟道层相邻，其中沟道层介于栅极电极和导电结构之间。半导体结构还包括设置在导电结构和栅极电极之上的电介质结构，沟道层向上延伸穿过电介质结构。
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公开(公告)号：CN114975463A
公开(公告)日：2022-08-30
申请号：CN202210173372.9
申请日：2022-02-24
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/11568 , H01L27/11573 , H01L27/11575 , H01L27/11578
Abstract: 提供了一种集成电路。该集成电路包括三维存储器器件、第一字线驱动电路和第二字线驱动电路。三维存储器器件包括分别沿列方向延伸的堆叠结构。每个堆叠结构包括字线的堆叠。堆叠结构具有位于第一侧的第一阶梯结构和位于第二侧的第二阶梯结构。字线延伸到第一和第二阶梯结构的台阶。第一字线驱动电路和第二字线驱动电路位于三维存储器器件下方，且分别沿第一侧和第二侧延伸。每个堆叠结构中的一些字线从第一阶梯结构布线到第一字线驱动电路，每个堆叠结构中的其他字线从第二阶梯结构布线到第二字线驱动电路。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114284295A
公开(公告)日：2022-04-05
申请号：CN202111198977.5
申请日：2021-10-14
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/1159 , H01L27/11597 , H01L27/11587
Abstract: 一种半导体结构，包括存储阵列、阶梯单元、导电桥接结构、字线驱动器以及导电布线。存储阵列设置在半导体结构的阵列区中并且包括字线。阶梯单元配置于被阵列区围绕的阶梯区中。阶梯单元包括从存储阵列的字线延伸的第一阶梯台阶和第二阶梯台阶。第一阶梯台阶和第二阶梯台阶彼此面对。导电桥接结构电连接第一阶梯台阶与第二阶梯台阶。字线驱动器设置于存储阵列与阶梯单元下方，其中字线驱动器的中央部分与阶梯单元的中央部分交叠。导电布线从第一阶梯台阶和第二阶梯台阶延伸到字线驱动器。
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公开(公告)号：CN113809093A
公开(公告)日：2021-12-17
申请号：CN202110105085.X
申请日：2021-01-26
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/11587 , H01L27/1159 , H01L27/11597
Abstract: 在一实施例中，一种三维记忆体装置制造的方法包括形成包含隔离材料及半导体材料的交替层的多层堆叠；将多层堆叠图案化以在多层堆叠的第一区域中形成第一通道结构，其中第一通道结构包含半导体材料；在第一通道结构上方沉积记忆体薄膜层；蚀刻贯穿多层堆叠的第二区域的第一沟槽以在第二区域中形成第一虚设位元线及第一虚设源极线，其中第一虚设位元线及第一虚设源极线各自包含半导体材料；及用导电材料置换第一虚设位元线及第一虚设源极线的半导体材料以形成第一位元线及第一源极线。
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公开(公告)号：CN113394232A
公开(公告)日：2021-09-14
申请号：CN202110126850.6
申请日：2021-01-29
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/1159 , H01L27/11597
Abstract: 形成存储器件的方法，包括：在衬底上方依次形成第一层堆叠件和第二层堆叠件，第一层堆叠件和第二层堆叠件具有相同的层状结构，层状结构包括介电材料，介电材料上方的沟道材料，以及沟道材料上方的源极/漏极材料；形成贯穿第一层堆叠件和第二层堆叠件的开口；通过用第一介电材料替换由开口所暴露的源极/漏极材料的部分，形成内部间隔件；用铁电材料做开口的侧壁的衬里；通过用导电材料填充开口以形成栅电极；形成穿过第一层堆叠件和第二层堆叠件的凹槽，凹槽从第二层堆叠件的侧壁朝向栅电极延伸；以及用第二介电材料填充凹槽。根据本申请的实施例，还提供了存储器件。
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公开(公告)号：CN113380821A
公开(公告)日：2021-09-10
申请号：CN202110220243.6
申请日：2021-02-26
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/11585 , H01L27/1159
Abstract: 一种存储器单元，包括位于半导体衬底上方的晶体管。晶体管包括沿着字线的侧壁布置的铁电层。铁电层包括具有5的化合价、7的化合价、或其组合的物质。氧化物半导体层电连接至源极线和位线。铁电层设置在氧化物半导体层和字线之间。本申请的实施例提供了存储器单元、存储器器件及其形成方法。
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公开(公告)号：CN113380288A
公开(公告)日：2021-09-10
申请号：CN202110243774.7
申请日：2021-03-05
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G11C11/22
Abstract: 存储电路包括存储器阵列和控制电路。存储器阵列的第一列包括选择线、第一位线和第二位线、耦合到阵列该选择线和该第一位线的存储器单元的第一子集，以及耦合到该选择线和该第二位线的存储器单元的第二子集。控制电路被配置为同时激活选择线和第一位线中的每个，并且在同时激活选择线和第一位线的时段内，激活第一多个字线，第一多个字线的每个字线耦合到存储器单元的第一子集的存储器单元。本发明的实施例还涉及将数据写入存储器阵列的方法。
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