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公开(公告)号：CN106601812A
公开(公告)日：2017-04-26
申请号：CN201610651669.6
申请日：2016-08-10
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L29/78 , H01L21/336
Abstract: 半导体器件包括衬底、绝缘结构和栅极堆叠件。该衬底具有至少一个半导体鳍。该绝缘结构设置在衬底之上并且与半导体鳍分隔开以在其间形成间隙。该绝缘结构具有面向半导体鳍的侧壁。该栅极堆叠件覆盖至少部分半导体鳍并且至少设置在绝缘结构和半导体鳍之间的间隙中。该栅极堆叠件包括高k介电层和栅电极。高k介电层覆盖半导体鳍而留下绝缘结构的侧壁未被覆盖。栅电极设置在高k介电层之上并且至少位于绝缘结构和半导体鳍之间的间隙中。本发明的实施例还涉及半导体器件的制造方法。
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公开(公告)号：CN106252408A
公开(公告)日：2016-12-21
申请号：CN201510770373.1
申请日：2015-11-12
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L29/78 , H01L21/336 , H01L23/528 , H01L21/768
Abstract: 本发明提供了具有互连结构的鳍式场效应晶体管(FINFET)器件结构。提供了半导体器件结构。半导体器件结构包括形成在衬底上方的第一金属层和形成在第一金属层上方的互连结构。互连结构包括上部、中间部和下部，在上部和下部之间连接中间部。上部和下部均具有恒定的宽度，并且中间部具有从上部至下部逐渐减小的锥形宽度。
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公开(公告)号：CN106169500A
公开(公告)日：2016-11-30
申请号：CN201510811593.4
申请日：2015-11-20
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L29/78 , H01L29/423 , H01L21/336
Abstract: 提供半导体器件结构的结构和形成方法。该半导体器件结构包括位于半导体衬底上方的鳍结构。该半导体器件结构也包括覆盖部分鳍结构的栅极堆叠件。该栅极堆叠件包括第一部分和邻近鳍结构的第二部分，并且第一部分宽于第二部分。
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公开(公告)号：CN105895695A
公开(公告)日：2016-08-24
申请号：CN201510694354.5
申请日：2015-10-21
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L29/78 , H01L29/423 , H01L21/336
Abstract: 本发明提供了半导体结构及其形成方法。半导体结构包括衬底和形成在衬底上方的鳍结构。半导体结构进一步包括围绕鳍结构形成的隔离结构以及横跨鳍结构形成的栅极结构。此外，栅极结构包括形成在鳍结构上方的第一部分和形成在隔离结构上方的第二部分，并且栅极结构的第二部分包括延伸进隔离结构内的延伸部分。
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公开(公告)号：CN105280635A
公开(公告)日：2016-01-27
申请号：CN201410770314.X
申请日：2014-12-15
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/04 , H01L21/762
CPC classification number: H01L21/76235 , H01L21/76232 , H01L29/0649 , H01L29/785
Abstract: 本发明提供了一种半导体结构，包括半导体衬底和浅沟槽隔离(STI)。STI包括与半导体衬底相连接的侧壁。STI从半导体衬底的底部突出，并且STI包括与半导体衬底的底部接触的底面、与底面相对的顶面。底面的宽度大于顶面的宽度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104851913A
公开(公告)日：2015-08-19
申请号：CN201410338643.7
申请日：2014-07-16
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L29/78 , H01L29/423 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/66795 , H01L21/26586 , H01L21/32133 , H01L29/0649 , H01L29/0847 , H01L29/165 , H01L29/66545 , H01L29/6656 , H01L29/66636 , H01L29/7848 , H01L29/785
Abstract: 本发明提供了一种场效应晶体管(FET)结构。在一些实施例中，场效应晶体管(FET)结构包括第一半导体结构和栅极结构。第一半导体结构包括沟道区以及源极区和漏极区。源极区和漏极区分别形成在沟道区的相对两端。栅极结构包括中心区和基脚区。中心区形成在第一半导体结构上方。在中心区的相对两侧并且沿着中心区邻近于第一半导体结构的位置形成基脚区。本发明还提供了一种形成晶体管的方法。
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公开(公告)号：CN112447713B
公开(公告)日：2025-02-28
申请号：CN202010387082.5
申请日：2020-05-09
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 一种半导体器件，包括：隔离绝缘层，设置在衬底上；半导体鳍，设置在衬底上；半导体鳍的上部从隔离绝缘层突出；半导体鳍的下部嵌入隔离绝缘层中；栅极结构设置在半导体鳍的上部上方，并且包括栅极介电层和栅电极层；栅极侧壁间隔件，其设置在栅极结构的相对侧面上方；以及源极/漏极外延层。半导体鳍的上部包括由与半导体鳍的其余部分不同的半导体材料制成的第一外延生长增强层。第一外延生长增强层与源极/漏极外延层接触。栅极介电层覆盖包括第一外延生长增强层的半导体鳍的上部。本发明的实施例还涉及制造半导体器件的方法。
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公开(公告)号：CN113013249B
公开(公告)日：2025-01-14
申请号：CN202110191847.2
申请日：2015-10-21
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 本发明提供了半导体结构及其形成方法。半导体结构包括衬底和形成在衬底上方的鳍结构。半导体结构进一步包括围绕鳍结构形成的隔离结构以及横跨鳍结构形成的栅极结构。此外，栅极结构包括形成在鳍结构上方的第一部分和形成在隔离结构上方的第二部分，并且栅极结构的第二部分包括延伸进隔离结构内的延伸部分。
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公开(公告)号：CN115985912A
公开(公告)日：2023-04-18
申请号：CN202310157746.2
申请日：2018-05-09
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/088 , H01L21/8234
Abstract: 一种半导体器件，包括：设置在衬底上方的第一栅极结构。第一栅极结构沿第一方向延伸。第二栅极结构设置在衬底上方。第二栅极结构沿第一方向延伸。介电材料设置在第一栅极结构与第二栅极结构之间。气隙设置在介电材料内。本发明实施例涉及具有嵌入气隙的FINFET器件及其制造方法。
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公开(公告)号：CN115020406A
公开(公告)日：2022-09-06
申请号：CN202210806369.6
申请日：2016-08-17
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/088 , H01L21/8234 , H01L29/78 , H01L21/336
Abstract: 本发明的实施例提供了一种FinFET，包括衬底、设置在衬底上的多个绝缘体、栅极堆叠件和应变材料。衬底包括多个半导体鳍。半导体鳍包括至少一个有源鳍和设置在有源鳍的两个相对侧处的多个伪鳍。绝缘体设置在衬底上并且半导体鳍被绝缘体绝缘。栅极堆叠件设置在半导体鳍的部分上方以及绝缘体的部分上方。应变材料覆盖有源鳍的被栅极堆叠件显露的部分。另外，提供了一种用于制造FinFET的方法。本发明实施例涉及鳍式场效应晶体管及其制造方法。
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