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公开(公告)号：CN106252470B
公开(公告)日：2018-08-14
申请号：CN201610758712.9
申请日：2016-08-30
Applicant: 厦门市三安光电科技有限公司
Abstract: 本发明提供一种氮化镓基发光二极管及其制作方法，提供一生长基板；在生长基板上制作发光外延层，其自下而上依次包括第一半导体层、发光层和第二半导体层；从第二半导体层蚀刻出开口结构，且延伸至第一半导体层，使得部分第一半导体层裸露；制作第一金属电极、第二金属电极层，分别覆盖于裸露的第一半导体层和第二半导体层之上；制作金属粘附层，并形成开口，分别形成于第一金属电极和第二金属电极层之上；在上述结构上沉积半导体保护层，并形成开口，露出部分金属粘附层以及金属电极层表面，作为封装打线区。
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公开(公告)号：CN105720138B
公开(公告)日：2018-07-06
申请号：CN201610095213.6
申请日：2016-02-22
Applicant: 厦门市三安光电科技有限公司
Abstract: 本发明公开了一种具有立体式扩展电极的发光二极管及其制作方法，其结构包括第一连接层、发光层、第二连接层，以及分别形成于所述第一连接层与第二连接层之上的第一金属电极和第二金属电极，所述第一金属电极包括电极主体和至少一个向外延伸的金属扩展部，所述金属扩展部与第一连接层的表面不完全接触，增加所述第一金属扩展部与所述发光层的距离，可降低金属电极的吸光，提升发光二极管元件效率，同时藉由三维结构的扩展电极可增加表面金属的表面积，进而增加元件的散热面积，使元件所产生的热能可更快被导出，降低元件的效率及可靠度的损耗。
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公开(公告)号：CN105185744B
公开(公告)日：2018-05-29
申请号：CN201510335626.2
申请日：2015-06-17
Applicant: 厦门市三安光电科技有限公司
IPC: H01L21/78 , H01L21/268 , H01L33/00 , B23K26/36
Abstract: 本发明提供氮化镓基发光二极管芯片及其制备方法，通过在距衬底背面向内10μm~40μm位置处聚焦，增加激光能量，调整激光频率，使得激光隐形切割在衬底内烧蚀形成孔洞贯穿至露出衬底背面，有效地排出激光隐形切割后留下的烧痕、碎屑等副产物，减少副产物的光吸收，增加发光二极管的侧壁出光，提升出光效率；此外，由于衬底与孔洞折射率不同，同时激光划痕类似将LED芯片侧面粗化，增大了光取出的角度，从而达到增加轴向光的目的，如此提高了LED芯片的整体发光效率。
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公开(公告)号：CN106252470A
公开(公告)日：2016-12-21
申请号：CN201610758712.9
申请日：2016-08-30
Applicant: 厦门市三安光电科技有限公司
Abstract: 本发明提供一种氮化镓基发光二极管及其制作方法，提供一生长基板；在生长基板上制作发光外延层，其自下而上依次包括第一半导体层、发光层和第二半导体层；从第二半导体层蚀刻出开口结构，且延伸至第一半导体层，使得部分第一半导体层裸露；制作第一金属电极、第二金属电极层，分别覆盖于裸露的第一半导体层和第二半导体层之上；制作金属粘附层，并形成开口，分别形成于第一金属电极和第二金属电极层之上；在上述结构上沉积半导体保护层，并形成开口，露出部分金属粘附层以及金属电极层表面，作为封装打线区。
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公开(公告)号：CN103996773B
公开(公告)日：2016-09-28
申请号：CN201410248717.8
申请日：2014-06-06
Applicant: 厦门市三安光电科技有限公司
CPC classification number: H01L33/46 , H01L33/20 , H01L33/38 , H01L33/405 , H01L33/44 , H01L2933/0016 , H01L2933/0025
Abstract: 本发明涉及一种倒装发光二极管及其制作方法，包括：一基板；一外延层，位于所述基板之上，所述外延层包括：第一半导体层、第二半导体层以及夹于第一半导体层与第二半导体层之间的发光层；至少一个开口结构，位于所述外延层的边缘位置之上，且延伸至基板表面，使得部分外延层的侧壁以及部分基板表面裸露，从而将外延层划分为外延主体层与阻隔栅结构；一绝缘层，位于所述开口结构之上，作为金属电极隔离层。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105633224A
公开(公告)日：2016-06-01
申请号：CN201610000869.5
申请日：2016-01-04
Applicant: 厦门市三安光电科技有限公司
CPC classification number: H01L33/007 , H01L33/38 , H01L33/405 , H01L2933/0016
Abstract: 本发明公开了一种LED芯片电极与芯片结构及其制作方法，包括步骤：在一底材上形成负胶，定义电极图案，去除图案区的负胶形成电极窗口；在所述电极窗口上形成反射结构；采用离子源助镀法在所述反射结构上形成金属表面层，其完成包裹所述反射结构的顶面及侧壁，即增大反射结构的包覆范围，有效地简化了工艺流程，节约制作成本，适合于规模化生产。此外，采用离子源助镀法形成金属表面层，制得紧凑、内应力小且表面光滑的电极结构，从而提高发光二极管的可靠性。
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公开(公告)号：CN103996773A
公开(公告)日：2014-08-20
申请号：CN201410248717.8
申请日：2014-06-06
Applicant: 厦门市三安光电科技有限公司
CPC classification number: H01L33/46 , H01L33/20 , H01L33/38 , H01L33/405 , H01L33/44 , H01L2933/0016 , H01L2933/0025 , H01L33/0075 , H01L33/24
Abstract: 本发明涉及一种倒装发光二极管及其制作方法，包括：一基板；一外延层，位于所述基板之上，所述外延层包括：第一半导体层、第二半导体层以及夹于第一半导体层与第二半导体层之间的发光层；至少一个开口结构，位于所述外延层的边缘位置之上，且延伸至基板表面，使得部分外延层的侧壁以及部分基板表面裸露，从而将外延层划分为外延主体层与阻隔栅结构；一绝缘层，位于所述开口结构之上，作为金属电极隔离层。
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公开(公告)号：CN101950784A
公开(公告)日：2011-01-19
申请号：CN201010273168.1
申请日：2010-09-06
Applicant: 厦门市三安光电科技有限公司
IPC: H01L33/00
Abstract: 本发明提供一种交流发光二极管的制作工艺，用以改进目前ACLED芯片制程使用中制作绝缘体时采用先填充再蚀刻的工艺；本发明在制作微型发光二极管之间的绝缘体时，采用先填充绝缘材料再研磨的工艺，使得绝缘体的表面高度与微型发光二极管的表面高度一致，且一并实现微型发光二极管的表面粗化均匀，提升交流发光二极管的发光效率，提高交流发光二极管芯片的生产效率和产品良率。
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公开(公告)号：CN111201595B
公开(公告)日：2023-07-14
申请号：CN201980004676.9
申请日：2019-04-03
Applicant: 厦门市三安光电科技有限公司
Abstract: 一种显示装置的制造方法，包括步骤：提供N个LED芯片集合，N个LED芯片集合由N个晶圆切割而来，没有重新排列，其中第一个LED芯片集合产自第一个晶圆，第二个LED芯片集合产自第二个晶圆，……第N个LED芯片集合产自第N个晶圆，其中N为大于2的整数；提供电路板（200），电路板（200）的上表面有一系列的LED芯片安装区（210）；从N个LED芯片集合选取LED并转移到电路板（200），直至芯片安装区（210）排满LED芯片，来自不同LED芯片集合的芯片混合排列；对LED芯片进行封装，形成显示装置。还提供一种显示装置。
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公开(公告)号：CN110088922B
公开(公告)日：2022-04-15
申请号：CN201880004805.X
申请日：2018-04-08
Applicant: 厦门市三安光电科技有限公司
Abstract: 本发明提供一种发光二极管芯片结构及其制作方法，结构包括：衬底；发光外延结构，位于所述衬底上，包括依次层叠的第一导电型半导体层、量子阱层以及第二导电型半导体层；电流扩展层，形成于所述外延结构的部分表面；绝缘层，包裹所述电流扩展层的侧壁，所述绝缘层具有一系列图案化通孔结构；金属层，形成于所述绝缘层表面，所述一部分金属层通过部分通孔结构与所述透明导电层接触，另一部分金属层通过部分通孔结构与所述发光外延结构接触。
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