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公开(公告)号：CN105810791A
公开(公告)日：2016-07-27
申请号：CN201610328141.5
申请日：2016-05-18
Applicant: 厦门市三安光电科技有限公司
CPC classification number: H01L33/405 , H01L33/46 , H01L2933/0016
Abstract: 本发明公开了倒装LED芯片的制作方法，LED芯片包括：基板；发光外延层，位于基板之上；ITO层，位于发光外延层之上；通过对ITO进行蚀刻处理后，实现对ITO表面粗化和氟化的改善处理，在ITO层上沉积金属反射层；短时间的蚀刻起到增强金属反射层在ITO表面的附着性的效果，同时，由于ITO表面的氟化处理，有效提升由外延层表面膜层、透明导电膜层、金属反射层组成的全方位反射镜（ODR）结构的反射率，实现LED光萃取效率的提升。
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公开(公告)号：CN110088922B
公开(公告)日：2022-04-15
申请号：CN201880004805.X
申请日：2018-04-08
Applicant: 厦门市三安光电科技有限公司
Abstract: 本发明提供一种发光二极管芯片结构及其制作方法，结构包括：衬底；发光外延结构，位于所述衬底上，包括依次层叠的第一导电型半导体层、量子阱层以及第二导电型半导体层；电流扩展层，形成于所述外延结构的部分表面；绝缘层，包裹所述电流扩展层的侧壁，所述绝缘层具有一系列图案化通孔结构；金属层，形成于所述绝缘层表面，所述一部分金属层通过部分通孔结构与所述透明导电层接触，另一部分金属层通过部分通孔结构与所述发光外延结构接触。
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公开(公告)号：CN105789402A
公开(公告)日：2016-07-20
申请号：CN201610325068.6
申请日：2016-05-17
Applicant: 厦门市三安光电科技有限公司
CPC classification number: H01L33/405 , H01L33/46 , H01L2933/0016
Abstract: 本发明公开了倒装LED芯片的制作方法，LED芯片包括：基板；发光外延层，位于基板之上；ITO层，位于发光外延层之上；通过对ITO进行蚀刻处理后，实现对ITO表面粗化和氟化的改善处理，在ITO层上沉积金属反射层；短时间的蚀刻起到增强金属反射层在ITO表面的附着性的效果，同时，由于ITO表面的氟化处理，有效提升由外延层表面膜层、透明导电膜层、金属反射层组成的全方位反射镜（ODR）结构的反射率，实现LED光萃取效率的提升。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110088922A
公开(公告)日：2019-08-02
申请号：CN201880004805.X
申请日：2018-04-08
Applicant: 厦门市三安光电科技有限公司
Abstract: 本发明提供一种发光二极管芯片结构及其制作方法，结构包括：衬底；发光外延结构，位于所述衬底上，包括依次层叠的第一导电型半导体层、量子阱层以及第二导电型半导体层；电流扩展层，形成于所述外延结构的部分表面；绝缘层，包裹所述电流扩展层的侧壁，所述绝缘层具有一系列图案化通孔结构；金属层，形成于所述绝缘层表面，所述一部分金属层通过部分通孔结构与所述透明导电层接触，另一部分金属层通过部分通孔结构与所述发光外延结构接触。
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公开(公告)号：CN114695609A
公开(公告)日：2022-07-01
申请号：CN202210249461.7
申请日：2018-04-08
Applicant: 厦门市三安光电科技有限公司
Abstract: 本发明提供一种发光二极管芯片结构及其制作方法，结构包括：衬底；发光外延结构，位于所述衬底上，包括依次层叠的第一导电型半导体层、量子阱层以及第二导电型半导体层；电流扩展层，形成于所述外延结构的部分表面；绝缘层，包裹所述电流扩展层的侧壁，所述绝缘层具有一系列图案化通孔结构；金属层，形成于所述绝缘层表面，所述一部分金属层通过部分通孔结构与所述透明导电层接触，另一部分金属层通过部分通孔结构与所述发光外延结构接触。
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公开(公告)号：CN105789402B
公开(公告)日：2019-02-19
申请号：CN201610325068.6
申请日：2016-05-17
Applicant: 厦门市三安光电科技有限公司
Abstract: 本发明公开了倒装LED芯片的制作方法，LED芯片包括：基板；发光外延层，位于基板之上；ITO层，位于发光外延层之上；通过对ITO进行蚀刻处理后，实现对ITO表面粗化和氟化的改善处理，在ITO层上沉积金属反射层；短时间的蚀刻起到增强金属反射层在ITO表面的附着性的效果，同时，由于ITO表面的氟化处理，有效提升由外延层表面膜层、透明导电膜层、金属反射层组成的全方位反射镜（ODR）结构的反射率，实现LED光萃取效率的提升。
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公开(公告)号：CN304951865S
公开(公告)日：2018-12-18
申请号：CN201830022210.X
申请日：2018-01-17
Applicant: 厦门市三安光电科技有限公司
Abstract: 1．本外观设计产品的名称：LED芯片电极。
2．本外观设计产品的用途：本外观设计产品用于一种LED芯片的电极。
3．本外观设计产品的设计要点：如图中所示的外观设计的整体，特别是产品的电极具有多个的孔状、条状图案。
4．最能表明本外观设计设计要点的图片或照片：设计1主视图。
5．指定基本设计：设计1。-
公开(公告)号：CN304762833S
公开(公告)日：2018-08-07
申请号：CN201830021890.3
申请日：2018-01-17
Applicant: 厦门市三安光电科技有限公司
Abstract: 1．本外观设计产品的名称：LED芯片电极。
2．本外观设计产品的用途：本外观设计产品用于一种LED芯片的电极。
3．本外观设计产品的设计要点：如图中所示的外观设计的整体，特别是产品的电极具有多个的孔状、条状图案。
4．最能表明本外观设计设计要点的图片或照片：设计1主视图。
5．指定基本设计：设计1。
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