-
公开(公告)号：CN112786753A
公开(公告)日：2021-05-11
申请号：CN201911093286.1
申请日：2019-11-11
Applicant: 厦门市三安光电科技有限公司
Abstract: 本发明涉及一种LED芯片及制作方法，本发明公开了一种LED芯片，包括透明的衬底，该衬底具有相对的正面和背面，该衬底的正面上具有LED单元，衬底上具有与正面平行设置的粗化层，该粗化层是由激光烧灼而形成的变质层。本发明还公开一种LED芯片出光面粗化的方法，其通过激光烧灼在衬底内形成变质层，变质层上的激光烧灼痕迹即作为粗化层的粗化结构，解决了现有的湿法或干法蚀刻来实现出光面粗化的方式效率低下的问题。
-
公开(公告)号：CN112786741A
公开(公告)日：2021-05-11
申请号：CN201911093315.4
申请日：2019-11-11
Applicant: 厦门市三安光电科技有限公司
Abstract: 本发明涉及一种LED芯片的制作方法及其产品，该制作方法将衬底先进行一次减薄后再进行隐形切割，然后再将衬底减薄至目标厚度，隐形切割形成的激光划痕可以释放衬底和外延结构的应力，改善了LED晶圆在第二次减薄时的曲翘，以解决现有的LED晶圆的衬底研磨至较薄厚度时，晶圆边缘曲翘严重，造成制程良率低问题。
-
公开(公告)号：CN110998878A
公开(公告)日：2020-04-10
申请号：CN201980003928.6
申请日：2019-03-19
Applicant: 厦门市三安光电科技有限公司
Abstract: 本发明提供一种半导体发光组件，包括：半导体叠层体和位于所述半导体叠层体之上的电极，所述电极含有：第一导电型电极、以及与所述第一导电型电极的导电型不同的第二导电型电极，所述第一导电型电极与第二导电型电极存在一定的间隙，定义该电极间隙的空间体积为V1，其特征在于：于所述第一导电型电极与第二导电型电极之间设置吸嘴吸附层，所述吸嘴吸附层的空间体积V2占所述电极间隙的空间体积V1的比例：V2/V1的比值介于50%~100%。
-
公开(公告)号：CN106449922B
公开(公告)日：2018-08-31
申请号：CN201610775319.0
申请日：2016-08-31
Applicant: 厦门市三安光电科技有限公司
Abstract: 本发明公开了一种发光二极管的制作方法，包括工艺步骤：提供一衬底，外延生长发光外延层，由N型半导体层、发光层以及P型半导体层堆叠而成，定义发光外延层上表面分为P型区域与N型区域；在发光外延层上形成金属膜层；采用快速热退火处理，使得金属膜层发生球聚，形成金属颗粒；在发光外延层及金属颗粒上形成掩膜层，并对掩膜层进行图案化，使得N型区域裸露出来；采用金属颗粒及掩膜层作为掩膜结构，进行蚀刻工艺，使得N型区域蚀刻至N型半导体层裸露出来，并将N型半导体层的上表面粗化；去除掩膜层，并保留P型半导体层上的金属颗粒，进行芯片制程。
-
公开(公告)号：CN110998878B
公开(公告)日：2022-11-22
申请号：CN201980003928.6
申请日：2019-03-19
Applicant: 厦门市三安光电科技有限公司
Abstract: 本发明提供一种半导体发光组件，包括：半导体叠层体和位于所述半导体叠层体之上的电极，所述电极含有：第一导电型电极、以及与所述第一导电型电极的导电型不同的第二导电型电极，所述第一导电型电极与第二导电型电极存在一定的间隙，定义该电极间隙的空间体积为V1，其特征在于：于所述第一导电型电极与第二导电型电极之间设置吸嘴吸附层，所述吸嘴吸附层的空间体积V2占所述电极间隙的空间体积V1的比例：V2/V1的比值介于50%~100%。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105720138A
公开(公告)日：2016-06-29
申请号：CN201610095213.6
申请日：2016-02-22
Applicant: 厦门市三安光电科技有限公司
CPC classification number: H01L33/385 , H01L33/007
Abstract: 本发明公开了一种具有立体式扩展电极的发光二极管及其制作方法，其结构包括第一连接层、发光层、第二连接层，以及分别形成于所述第一连接层与第二连接层之上的第一金属电极和第二金属电极，所述第一金属电极包括电极主体和至少一个向外延伸的金属扩展部，所述金属扩展部与第一连接层的表面不完全接触，增加所述第一金属扩展部与所述发光层的距离，可降低金属电极的吸光，提升发光二极管元件效率，同时藉由三维结构的扩展电极可增加表面金属的表面积，进而增加元件的散热面积，使元件所产生的热能可更快被导出，降低元件的效率及可靠度的损耗。
-
公开(公告)号：CN106449922A
公开(公告)日：2017-02-22
申请号：CN201610775319.0
申请日：2016-08-31
Applicant: 厦门市三安光电科技有限公司
Abstract: 本发明公开了一种发光二极管的制作方法，包括工艺步骤：提供一衬底，外延生长发光外延层，由N型半导体层、发光层以及P型半导体层堆叠而成，定义发光外延层上表面分为P型区域与N型区域；在发光外延层上形成金属膜层；采用快速热退火处理，使得金属膜层发生球聚，形成金属颗粒；在发光外延层及金属颗粒上形成掩膜层，并对掩膜层进行图案化，使得N型区域裸露出来；采用金属颗粒及掩膜层作为掩膜结构，进行蚀刻工艺，使得N型区域蚀刻至N型半导体层裸露出来，并将N型半导体层的上表面粗化；去除掩膜层，并保留P型半导体层上的金属颗粒，进行芯片制程。
-
公开(公告)号：CN106252470B
公开(公告)日：2018-08-14
申请号：CN201610758712.9
申请日：2016-08-30
Applicant: 厦门市三安光电科技有限公司
Abstract: 本发明提供一种氮化镓基发光二极管及其制作方法，提供一生长基板；在生长基板上制作发光外延层，其自下而上依次包括第一半导体层、发光层和第二半导体层；从第二半导体层蚀刻出开口结构，且延伸至第一半导体层，使得部分第一半导体层裸露；制作第一金属电极、第二金属电极层，分别覆盖于裸露的第一半导体层和第二半导体层之上；制作金属粘附层，并形成开口，分别形成于第一金属电极和第二金属电极层之上；在上述结构上沉积半导体保护层，并形成开口，露出部分金属粘附层以及金属电极层表面，作为封装打线区。
-
公开(公告)号：CN105720138B
公开(公告)日：2018-07-06
申请号：CN201610095213.6
申请日：2016-02-22
Applicant: 厦门市三安光电科技有限公司
Abstract: 本发明公开了一种具有立体式扩展电极的发光二极管及其制作方法，其结构包括第一连接层、发光层、第二连接层，以及分别形成于所述第一连接层与第二连接层之上的第一金属电极和第二金属电极，所述第一金属电极包括电极主体和至少一个向外延伸的金属扩展部，所述金属扩展部与第一连接层的表面不完全接触，增加所述第一金属扩展部与所述发光层的距离，可降低金属电极的吸光，提升发光二极管元件效率，同时藉由三维结构的扩展电极可增加表面金属的表面积，进而增加元件的散热面积，使元件所产生的热能可更快被导出，降低元件的效率及可靠度的损耗。
-
公开(公告)号：CN106252470A
公开(公告)日：2016-12-21
申请号：CN201610758712.9
申请日：2016-08-30
Applicant: 厦门市三安光电科技有限公司
Abstract: 本发明提供一种氮化镓基发光二极管及其制作方法，提供一生长基板；在生长基板上制作发光外延层，其自下而上依次包括第一半导体层、发光层和第二半导体层；从第二半导体层蚀刻出开口结构，且延伸至第一半导体层，使得部分第一半导体层裸露；制作第一金属电极、第二金属电极层，分别覆盖于裸露的第一半导体层和第二半导体层之上；制作金属粘附层，并形成开口，分别形成于第一金属电极和第二金属电极层之上；在上述结构上沉积半导体保护层，并形成开口，露出部分金属粘附层以及金属电极层表面，作为封装打线区。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
16
records
(took 0.04 seconds)
