公开(公告)号：CN104148993A

公开(公告)日：2014-11-19

申请号：CN201410400477.9

申请日：2014-08-14

Applicant: 厦门大学

Inventor： 王振忠 ,  杨旭 ,  叶世蔚

IPC: B24B1/00 ,  B24B1/04 ,  B24B41/06

CPC classification number: B24B1/005 ,  B24B1/04 ,  B24B41/067

Abstract: 微型焊针内孔研磨装置，涉及内孔研磨装置。设有工作台、焊针存放盘、研磨槽、立柱横梁、X轴导轨、X轴伺服电机、X轴丝杆、X轴移动块、Z轴旋转电机、Z轴旋转块、Z轴导轨、Z轴伺服电机、Z轴丝杆、主轴电机、主轴、焊针夹头、超声换能器、旋转电机和磁铁。采用磁力研磨方式对焊针进行加工，可解决微型焊针内孔的抛光问题，使焊针内孔的表面质量得到显著提高，从而可使焊针在焊接使用过程中焊接剂的畅通，使焊接质量得到保证。此外，结构简单，易于实际生产，焊针夹头采用气动型，小巧方便，装夹快捷；同时，流线式的生产能大大减小加工时间，工效显著提高。

公开(公告)号：CN103557417A

公开(公告)日：2014-02-05

申请号：CN201310587009.2

申请日：2013-11-20

Applicant: 厦门大学

Inventor： 郭隐彪 ,  张东旭 ,  杨平 ,  杨旭

IPC: F16M11/34 ,  F16M11/36

Abstract: 一种三脚架的辅助定位装置，涉及三脚架。设有张角调节机构、伸缩机构、导向机构和螺纹紧固装置；所述张角调节机构包括手轮、丝杆、丝杆螺母、连接杆和固定套；伸缩机构设有连杆伸缩机构和支撑杆伸缩机构，所述连杆伸缩机构和支撑杆伸缩机构均包括第1螺钉、套筒、第2螺钉、调节螺母和轴承；导向机构包括滑块、第1导轨、第2导轨、第3导轨、紧固螺钉、调节螺栓、导轨基座和固定螺栓。结构简单，方便装卸，便于携带，可用于大多数三脚架的定位中，具有普遍性。操作简单，使用时只需旋动手轮、调节螺母、紧固螺钉等，就可实现仪器的定位，省时省力。与三脚架本身独立，不影响其原有特性。

公开(公告)号：CN119767869A

公开(公告)日：2025-04-04

申请号：CN202411985256.2

申请日：2024-12-31

Applicant: 厦门大学 ,  嘉庚创新实验室

Inventor： 黄凯 ,  徐溢聪 ,  万子昂 ,  陈孟瑜 ,  李金钗 ,  杨旭 ,  张荣

IPC: H10F77/20 ,  H10F71/00 ,  H10F30/222 ,  H10F30/28

Abstract: 本发明涉及半导体结构技术领域，公开了一种可调谐双波段紫外光电探测器及其制备方法，可调谐双波段紫外光电探测器包括衬底；缓冲氮化镓层，位于衬底的一侧表面；P型氮化镓层，位于缓冲氮化镓层背向衬底一侧的表面；氧化镓层，位于P型氮化镓层背向缓冲氮化镓层的一侧表面；第二电极，位于氧化镓层的侧部的P型氮化镓层表面；第二电极与P型氮化镓层形成电接触；叉指电极，位于氧化镓层背向P型氮化镓层的一侧表面；叉指电极包括第一电极和第三电极，第一电极和第三电极分别与氧化镓层形成电接触。与相关技术相比，本发明可以在单个光电探测器上实现可调谐的双波段紫外光探测，提高探测效率，扩宽器件的应用场景。

公开(公告)号：CN119092609A

公开(公告)日：2024-12-06

申请号：CN202411266439.9

申请日：2024-09-10

Applicant: 厦门大学 ,  嘉庚创新实验室

Inventor： 毕朝霞 ,  刘春煜 ,  黄凯 ,  李金钗 ,  杨旭 ,  张荣

IPC: H01L33/06 ,  H01L33/12 ,  H01L33/32 ,  H01L33/02 ,  H01L23/60

Abstract: 本发明涉及一种抗静电的LED器件及其制备方法。器件结构依次包括：衬底层；第一半导体层；第一应力释放层；第二应力释放层；有源层；第二半导体层；电极层；还包括：第一抗静电层，位于所述第一应力释放层和第二应力释放层之间，所述第一抗静电层为n型掺杂GaN层；其中，第一半导体层和第二半导体层是导电类型相反的半导体层；第一抗静电层的硅掺杂浓度与第一应力释放层的硅掺杂浓度不同，第一抗静电层的硅掺杂浓度与第二应力释放层的硅掺杂浓度不同。本发明提供的抗静电的LED器件能有效提高LED器件的抗静电能力和电学性能，进而提高器件在各种应用中的可靠性和寿命。

公开(公告)号：CN118738197A

公开(公告)日：2024-10-01

申请号：CN202410769561.1

申请日：2024-06-14

Applicant: 厦门大学 ,  昆山厦大创新中心

Inventor： 黄凯 ,  刘祥炜 ,  李金钗 ,  杨旭 ,  张荣

IPC: H01L31/109 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/18 ,  H01L31/0304 ,  H01L31/032

Abstract: 本发明涉及半导体光电器件技术领域，公开了一种高线性动态范围的紫外光电探测器及制备方法。探测器包括半导体衬底、氮化镓层、氧化镓层和电极结构层，氮化镓层设置于半导体衬底上，氮化镓层为第一导电类型；氧化镓层设置于氮化镓层远离半导体衬底一侧的表面上，氧化镓层为与第一导电类型相反的第二导电类型，氧化镓层的电阻率高于氮化镓层的电阻率；电极结构层位于氧化镓层远离半导体衬底一侧的表面上，电极结构层包括间隔设置在同一平面上的第一电极和第二电极以及镂空设置的透光区。有效降低器件的响应时间，扩大器件的线性动态范围，可以在较低的电压下便具有较好的响应性能，且在一定的电压范围内光电流几乎不发生变化。

公开(公告)号：CN118136754A

公开(公告)日：2024-06-04

申请号：CN202311755494.X

申请日：2023-12-19

Applicant: 厦门大学 ,  嘉庚创新实验室

Inventor： 黄凯 ,  赵政仰 ,  李金钗 ,  杨旭 ,  张荣

IPC: H01L33/14 ,  H01L33/06 ,  H01L33/36 ,  H01L33/00

Abstract: 本发明提供了Micro‑LED发光器件及其制备方法。Micro‑LED发光器件包括：层叠的半导体衬底层、N型半导体层；发光量子阱层，位于N型半导体层远离半导体衬底层的一侧表面；p型半导体层，位于发光量子阱层远离半导体衬底层的一侧；p型半导体层包括本征p型半导体层和掺杂p型半导体层，掺杂p型半导体层的电阻值高于本征p型半导体层；第一电极；位于掺杂p型半导体层一侧的本征p型半导体层远离半导体衬底层的一侧；第二电极；位于掺杂p型半导体层另一侧的本征p型半导体层远离半导体衬底层的一侧。本发明提供的Micro‑LED发光器件的发光效率高，且生产成本低，为后续工艺提供较大窗口。

公开(公告)号：CN118136752A

公开(公告)日：2024-06-04

申请号：CN202311824432.X

申请日：2023-12-26

Applicant: 厦门大学 ,  嘉庚创新实验室

Inventor： 卢卫芳 ,  王梦童 ,  包洋 ,  黄凯 ,  李金钗 ,  杨旭 ,  张荣

IPC: H01L33/12 ,  H01L33/06 ,  H01L33/00

Abstract: 本发明涉及半导体发光器件技术领域，具体涉及一种LED芯片结构及其制备方法，其中，LED芯片结构包括：衬底层；GaN缓冲层；若干间隔排布的第一N型GaN层，位于GaN缓冲层背离衬底层的一侧表面，任意的第一N型GaN层的宽度自衬底层至GaN缓冲层方向逐渐递减；若干间隔排布的第二N型GaN层，位于第一N型GaN层背离衬底层的一侧表面，任意第二N型GaN层中具有纳米孔，第二N型GaN层与第一N型GaN层一一对应；若干间隔排布的I nGaN/GaN发光层，位于第二N型GaN层背离所述衬底层的一侧，I nGaN/GaN发光层与第二N型GaN层一一对应；P型GaN层。LED芯片结构的发光效率高。

公开(公告)号：CN115249725A

公开(公告)日：2022-10-28

申请号：CN202211043484.9

申请日：2022-08-29

Applicant: 厦门大学 ,  嘉庚创新实验室

Inventor： 张箫巍 ,  黄凯 ,  李金钗 ,  杨旭 ,  张荣

IPC: H01L27/15 ,  H01L33/62 ,  H01L33/00 ,  H01L33/14

Abstract: 本发明提供一种显示面板及其制备方法，制备方法包括：提供第一基板，第一基板的一侧有若干间隔的Mi cro‑LED芯片；提供第二基板，第二基板的一侧表面有若干导电层；在第二基板上形成隔离层，隔离层中有若干开口组，每个开口组均包括暴露出导电层的表面的第一开口和第二开口，第一开口的宽度小于P型电极的宽度，第二开口的宽度小于N型电极的宽度；在第一开口中形成第一键合层，在第二开口中形成第二键合层；以隔离层对芯片本体支撑将P型电极与第一键合层进行键合的同时将N型电极与第二键合层进行键合，P型电极嵌入第一键合层中，N型电极嵌入第二键合层中。所述方法避免M i cro‑LED芯片与第一键合层、第二键合层之间键合失效。

公开(公告)号：CN112117356B

公开(公告)日：2021-09-17

申请号：CN202010813127.0

申请日：2020-08-13

Applicant: 厦门大学

Inventor： 杨旭 ,  李金钗 ,  李书平 ,  康俊勇

IPC: H01L33/38 ,  H01L27/15 ,  H01L33/00

Abstract: 本发明涉及一种全彩有源寻址Micro‑LED芯片结构及其制作方法，包括具有驱动电路阵列的支撑衬底、位于支撑衬底上的堆叠层，以及贯穿堆叠层与驱动电路阵列连接的互联电极，其中堆叠层从下至上包括有衬底金属键合层、多色发光外延层上下表面覆盖有透明导电层的多层夹心结构、介质填充层、滤光层、钝化层，互联电极包括连接第一外延层的p型面与驱动像素的阵列电极、连接第二外延层p型面与驱动像素的贯穿阵列电极、连接第三外延层p型面与驱动像素的贯穿阵列电极、贯穿堆叠层分别与多色发光外延层n型面连接的共用电极。本发明技术方案可制造出高分辨率且高效的全彩驱动融合Micro‑LED芯片。

公开(公告)号：CN112234118A

公开(公告)日：2021-01-15

申请号：CN202011042977.1

申请日：2020-09-28

Applicant: 厦门大学

Inventor： 杨旭 ,  李金钗 ,  李书平 ,  康俊勇

IPC: H01L31/153 ,  H01L31/18 ,  H04B10/114 ,  H04B10/116 ,  H04B10/40 ,  H04J14/02

Abstract: 本发明涉及一种可见光通信的微型阵列光收发集成芯片及制作方法，包括具有信号处理电路的支撑衬底、位于支撑衬底上的微型收发单元阵列以及互联电极，其中每个微型收发单元包括由下至上的衬底金属键合层、多个堆叠外延层上下表面覆盖有透明导电层的多层夹心结构、介质填充层、滤光层、光接收台面和钝化层，互联电极包括连接第一外延层的p型面与光发射模块像素的阵列电极、连接第二外延层p型面与光发射模块像素的贯穿阵列电极、贯穿微型收发单元阵列分别与每个外延层n型面连接的共用电极。使用本发明技术方案可制造出实用化、高速、多场景应用的可见光通信终端产品。