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公开(公告)号：CN119816042A
公开(公告)日：2025-04-11
申请号：CN202411854576.4
申请日：2024-12-17
Applicant: 南昌大学 , 南昌实验室 , 南昌硅基半导体科技有限公司
IPC: H10H29/01 , H10H20/813 , H10H20/812 , H10H20/831 , H10H29/34
Abstract: 本发明提供一种微型LED多色芯片及其制备方法，通过在同一衬底上集成红、绿、蓝三种颜色的发光单元，可以避免将不同颜色的芯片分多次转移至驱动电路基板，简化了转移工艺的复杂性，同时提高了生产效率，并且便于制备小尺寸的全彩像素，有利于提高LED显示屏的分辨率。在芯片阵列制备时通过选择性刻蚀分别露出全彩像素的每个发光单元的阳极接触面和阴极接触面，然后将每个全彩像素的每个发光单元的阴极接触面通过金属粘结叠层形成共阴连接，降低了布线和集成工艺的难度，易于将本发明直接应用于规模生产。
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公开(公告)号：CN119395123A
公开(公告)日：2025-02-07
申请号：CN202411757588.5
申请日：2024-12-03
Applicant: 南昌大学 , 南昌硅基半导体科技有限公司 , 南昌实验室
IPC: G01N27/62
Abstract: 本发明公开了一种氮化物材料痕量元素的二次离子质谱分析方法，收集二次离子中待测元素与氮元素形成的原子团簇型负离子的信号，代替收集该待测元素离子，通过所述原子团簇型负离子的信号分析氮化物材料中待测元素的含量及其深度分布。仅通过改变收集离子信号的模式，提高检测灵敏度，操作简单，不增加额外成本，测试结果准确，尤其适用于氮化物材料痕量元素分布的检测。
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公开(公告)号：CN119170718A
公开(公告)日：2024-12-20
申请号：CN202411667045.4
申请日：2024-11-21
Applicant: 南昌大学 , 南昌硅基半导体科技有限公司 , 南昌实验室
Abstract: 本申请属于半导体材料制备技术领域，具体涉及一种在含InGaN层的氮化物薄膜上沉积p型层的方法。该方法通过在MOCVD沉积设备的沉积室中，在含InGaN层氮化物薄膜的待沉积面，交替采用第一工艺、第二工艺以沉积p型层，p型层包括通过第一工艺形成的第一p型层和通过第二工艺形成的第二p型层。本发明采用低温度和慢速率、高温度和快速率交替进行的沉积方式，在相同p型层沉积厚度需求下，减少了InGaN层在较高环境温度中的等待时间，缓解了InGaN层的原子扩散问题，减少了因p型层的低温度沉积而导致碳原子的浓度累积问题，使p型层中的碳原子浓度大幅降低，使p型层具有高空穴浓度与高空穴迁移率。
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公开(公告)号：CN113192820B
公开(公告)日：2023-04-11
申请号：CN202110272273.1
申请日：2021-03-12
Applicant: 南昌大学 , 南昌硅基半导体科技有限公司
IPC: H01L21/02
Abstract: 本发明公开了一种硅衬底氮化铝薄膜的制备方法，它是在高温下向反应室通入NH3和TMIn，对硅衬底表面进行预处理，可有效地降低AlN中的位错密度，减小AlN表面粗糙度，然后进行铺铝，最后生长AlN层，获得表面平整、无孔洞高质量的AlN薄膜。本发明的制备方法易于实现，便于大规模生产，可广泛应用于制造硅衬底III族氮化物LED以及电力电子器件等半导体器件领域。
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公开(公告)号：CN115692552A
公开(公告)日：2023-02-03
申请号：CN202211141166.6
申请日：2022-09-20
Applicant: 南昌大学 , 南昌硅基半导体科技有限公司
Abstract: 本发明公开了一种清洗InGaN基LED V型坑侧壁In的方法，该LED由衬底、N层、准备层、量子阱InGaN/GaN发光层、P层组成，量子阱InGaN/GaN发光层分为量子阱InGaN层、GaN盖层、量子垒GaN，GaN盖层包括平台区域和V型坑区域，GaN盖层分为两个生长阶段，即：第一生长阶段通入不含H2的气体生长GaN盖层，第二生长阶段通入含H2的气体进行清洗。这种生长方法达到清洗了量子阱InGaN层V型坑侧壁的中的In同时又保护量子阱InGaN层平台区域的In，清洗量子阱InGaN层V型坑侧壁的中的In后V型坑侧壁的禁带宽度增大，减少了电子向V型坑泄露，提高了LED发光效率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114823284A
公开(公告)日：2022-07-29
申请号：CN202210337909.0
申请日：2022-04-01
Applicant: 南昌大学 , 南昌硅基半导体科技有限公司
Abstract: 本发明公开了一种Si衬底GaN外延薄膜的生长方法，该生长方法是在Si衬底上生长GaN薄膜时避免了AlN或AlN/AlGaN缓冲层的生长，通过对Si衬底预处理，形成隔离Si与Ga的界面，避免Ga与Si反应产生回熔；通过调整GaN应力调控层与GaN层的生长温度，调节材料生长过程产生的应力，从而形成连续完整的单晶GaN薄膜。该方法避免了AlN或AlN/AlGaN缓冲层的生长，从而有效地减少AlN在反应室中石墨和喷头等位置的沉积，降低外延生长的成本，减少因为沉积物导致的不稳定性和沉积物处理引起的不确定性和成本增加，有效地降低外延生长的成本和沉积物处理的频率，提高外延生长的稳定性、可靠性和产品良率，在所述GaN薄膜上可生长其他结构或功能层，应用于功率电子器件、照明等领域。
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公开(公告)号：CN114388663A
公开(公告)日：2022-04-22
申请号：CN202111519076.1
申请日：2021-12-14
Applicant: 南昌大学 , 南昌硅基半导体科技有限公司
Abstract: 本发明公开了一种Si衬底无孔洞AlN薄膜的制备方法，包括步骤：在硅衬底先进行表面改性处理：将做改性处理的所述表面先进行铺Al，得到铺Al层，在所述铺Al层表面上在700‑900度下生长一层低温AlN层，然后升温到1100‑1350度生长高温AlN层。本发明对Si衬底表面改性后先生长低温AlN层再生长高温AlN层，使得AlN薄膜表面无孔洞，同时AlN薄膜中的螺位错明显降低，有利于制备高性能的AlN及AlGaN基器件。
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公开(公告)号：CN111827377A
公开(公告)日：2020-10-27
申请号：CN202010846191.9
申请日：2020-08-21
Applicant: 江西联保工程咨询有限公司 , 南昌大学设计研究院 , 江西诚规检测咨询有限公司
IPC: E02D33/00
Abstract: 本发明涉及一种荷载箱防水性能检测校准装置，属于土木工程领域。一种基桩自平衡承载力荷载箱整体防水性能检测校准装置，所述检测校准装置包括承载板装置、独立反立柱装置和动态水位测试装置；承载板装置包括承载板和密封条，承载板作为荷载箱的支撑板，密封条用于防止荷载箱在防水检测过程中出现溢水现象；独立反立柱装置安装固定在承载板上，为动态水位测试装置提供支撑；动态水位测试装置用于记录荷载箱内液位的变化情况。本发明具有如下优点：1、荷载箱加载试验完成后，能够确保缸外注浆质量；2、符合江西省工程建设标准中对Ⅰ类荷载箱的防水性检测的要求；3、能及时了解产品防水性能，从而注入有效浆液，提高了桩身截面强度。
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公开(公告)号：CN108337557B
公开(公告)日：2020-09-22
申请号：CN201810143663.7
申请日：2018-02-11
Applicant: 南昌大学
IPC: H04N21/436 , H04N21/4363 , H04N21/41 , H04B10/116 , G08C23/04
Abstract: 本发明涉及一种可见光多屏幕同屏显示装置和方法，包括终端A和终端B。终端A可通过LED发送单元一发送同屏请求信号和同屏视频信号，终端A可接收来自终端B发送的同屏允许信号和同屏视频信号，终端B可通过LED发送单元二发送同屏允许信号和同屏视频信号，终端B可接收来自终端A发送的同屏请求信号和同屏视频信号，终端B的红外接收单元可接收遥控器的红外信号。多个终端A的USB接口分别与多个电脑相连，终端B的HDMI接口与投影仪相连，两者组成了可见光多屏幕同屏显示的场景，本发明通信速率高，保密性强，实现多屏幕同屏，让用户获得更佳的观感。
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公开(公告)号：CN106513055B
公开(公告)日：2019-01-29
申请号：CN201610802950.5
申请日：2016-09-06
Applicant: 南昌大学
IPC: B01J31/38 , C02F1/30 , C02F101/30
Abstract: 一种PDMS‑TiO2‑SiO2薄膜的制备方法及其在固定床光降解反应器中的应用，以正硅酸四乙酯为原料，乙醇作溶剂，磷酸为催化剂，并添加TiO2纳米粒子和具有弹性基团的聚二甲基硅氧烷，采用溶胶‑凝胶法和常压恒温干燥技术得到。所述的光降解反应器主体由支架、灯管、流量计、控温磁力搅拌器、循环泵、储液槽和PDMS‑TiO2‑SiO2薄膜载体等组成。本发明将传统分散液搅拌光降解改变为固定床薄膜反应器形式，克服了TiO2微小颗粒易流失，与废水的分离缓慢且昂贵，悬浮粒子对光线的吸收阻挡影响光的辐射深度等一系列问题，同时制备的PDMS‑TiO2‑SiO2薄膜无开裂、疏水性强，能有效的处理有机染料废水。
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