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公开(公告)号：CN1770486A
公开(公告)日：2006-05-10
申请号：CN200510030321.7
申请日：2005-09-30
Applicant: 南昌大学
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L33/145 , H01L33/0079 , H01L33/38 , H01L2933/0016
Abstract: 本发明公开了一种半导体发光器件及其制造方法。本发明的发光器件具有上下电极结构，通过使器件发光层两侧的两个欧姆电极在对应空间上形状互补或刻除挡光电极下面部分半导体层，可以减小传统上下电极发光器件中的电流拥挤现象，改善电流扩展、提高发光器件的出光效率。
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公开(公告)号：CN1770485A
公开(公告)日：2006-05-10
申请号：CN200510030320.2
申请日：2005-09-30
Applicant: 南昌大学
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L33/38 , H01L24/05 , H01L33/20 , H01L33/32 , H01L33/62 , H01L51/0072 , H01L51/0085 , H01L51/0088 , H01L51/0094 , H01L51/5012 , H01L2224/04042 , H01L2224/05 , H01L2224/0603 , H01L2224/45144 , H01L2224/48463 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01024 , H01L2924/01033 , H01L2924/01047 , H01L2924/01049 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/10329 , H01L2924/12041 , H01L2924/00
Abstract: 本发明公开了一种铟镓铝氮发光器件，它包括衬底、半导体叠层、引线电极和电极引线，半导体叠层中至少包括一个N型层和一个P型层，特征是在半导体叠层中至少N型层或至少P型层具有一空缺，该空缺位于所述引线电极的引线的正下方；或包括一个具有主面和背面的导电衬底，依次在衬底主面向上层叠的粘接金属层、反射/欧姆金属层、半导体叠层、引线电极和电极引线，该半导体叠层中至少包含一个N型层和一个P型层，特征是所述的反射/欧姆金属层具有一空缺，且该空缺位于所述引线电极的引线的正下方。本发明的电极引线的下方半导体层不发光，因此可以消除因引线挡光而导致的光损失，提高发光器件的出光效率。
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公开(公告)号：CN1697205A
公开(公告)日：2005-11-16
申请号：CN200510025179.7
申请日：2005-04-15
Applicant: 南昌大学
IPC: H01L33/00 , H01L21/203 , H01S5/323 , H01S5/343
CPC classification number: H01L33/007 , H01L21/02381 , H01L21/02458 , H01L21/0254 , H01L21/02658 , H01L21/78 , H01L33/0095
Abstract: 本发明公开了一种在硅衬底上制备铟镓铝氮薄膜及发光器件的方法，它是在硅衬底上形成台面和沟槽组成的图形结构。沟槽两侧台面上生长的铟镓铝氮薄膜互不相连。在生长完发光器件的叠层薄膜后，在每个台面的薄膜上或硅衬底背面制备欧姆电极。然后沿着沟槽将衬底划开，就得到分离的发光芯片。本发明是通过分割衬底表面的办法来减小应力。由于衬底表面被分割成许多区域，因此在每个区域内生长的铟镓铝氮材料在空间上就是分离的，具有多个自由面且尺寸相对较小，因此应力能够有效释放而不至于出现裂纹。
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公开(公告)号：CN1694271A
公开(公告)日：2005-11-09
申请号：CN200510026306.5
申请日：2005-05-27
Applicant: 南昌大学
CPC classification number: H01L33/0079 , H01L33/007 , H01L33/32 , H01L33/405
Abstract: 本发明提供一种具有上下电极结构的铟镓铝氮(InxGayAl1－x－yN，0＜＝x＜＝1，0＜＝y＜＝1)发光器件及其制造方法。该发光器件包括导电衬底，特征是在导电衬底上依次具有一粘接金属叠层和一光反射层，光反射层上为铟镓铝氮半导体叠层，该铟镓铝氮半导体叠层中的最下层为P型层，最上层为N型层，且该叠层铟镓铝氮材料上表面为氮面，在铟镓铝氮半导体叠层上和导电衬底背面各有一个欧姆电极。其中所述的光反射层至少包含一个铂层。
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公开(公告)号：CN111586399B
公开(公告)日：2022-03-22
申请号：CN202010249274.X
申请日：2020-04-01
Applicant: 南昌大学
Abstract: 本发明公开了一种视频源中蓝光危害的评估方法，简单来讲，当视频源用色彩空间RGB表示时，就把每帧各像素的B值相加，除以此帧总像素，求得此帧的平均值，再对视频源的时长进行积分(累加)，所得的值便可反映整个视频源的蓝光危害程度。显然，也可给出每段视频源的蓝光危害值及某个视频源蓝光危害对时间的平均值；所有数字视频源格式均可转换成用色彩空间RGB表示；对于已是模拟视频源的信号，如，但不限于VGA格式，可将其中的蓝色信号通过A/D转换，再次变成反映蓝光强度的数字信号，故本发明依然有效。本发明能定量给出各种视频源，含PPT等图像的蓝光危害程度，尤其能定量描述少儿及影视节目的蓝光危害程度，对人类光健康有较大意义。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108398809B
公开(公告)日：2020-05-19
申请号：CN201810107818.1
申请日：2018-02-02
Applicant: 南昌大学
Abstract: 本发明涉及医疗设备技术领域，尤其涉及一种通过锻炼暗视觉来防治近视的装置及方法，包括镜框、镜片和镜臂，镜片上设有用于降低透光率的遮光构件；本发明通过具有不同遮光构件的镜片对其透光率进行特殊控制，使得使用者能够在使用时只能看清物体的轮廓，无法看清物体的颜色，从而达到锻炼暗视觉预防近视的目的；本发明主要提供在学生上语言类课并无需使用视觉时，戴上本发明装置锻炼暗视觉来预防近视的方法;青少年在微弱光下近看有积存远视之效，以便抵消近视发展；还能减少眼睛的光化学损伤及非视觉效应，不仅直接有防治近视的功效，还能通过防治内分泌失调、防治性早熟及肥胖症，达到保健及防治近视的目的。本发明的可操作性强，易普及。
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公开(公告)号：CN105200397B
公开(公告)日：2018-07-10
申请号：CN201510615788.1
申请日：2015-09-24
Applicant: 南昌大学
IPC: C23C16/455 , C30B25/14 , C23C16/02 , C30B25/02
Abstract: 本发明公开了一种喷头型MOCVD初始状态的稳定方法及耐氯双层喷头与制作方法，喷头用电火花直接打出III族源与V族源的喷孔，这些喷孔替代了内表面粗糙的不锈钢毛细管喷管，大幅减少了喷气孔内表面积，从而减少了外延的记忆效应；喷头制作时摒弃了不耐氯腐蚀的不锈钢毛细管真空钎焊工艺，所以喷头能耐受氯气在线清洗，从而可确保每炉外延生长初始状态恒定可控，使近耦合喷头型MOCVD能较完美地用于高铝组分的第三代半导体光电器件的批量生产；喷头的冷却水道及III族源与V族源的喷气孔均电火花加工而成，根除了毛细管壁薄漏水的隐患，能满足半导体行业苛刻的密封要求。
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公开(公告)号：CN103952685A
公开(公告)日：2014-07-30
申请号：CN201410147401.X
申请日：2014-04-14
Applicant: 南昌大学
IPC: C23C16/455
Abstract: 本发明公开了一种铟镓铝氮材料组分及掺杂能自由组合的MOCVD生长气路及方法，该生长气路包括：第一管路，第二管路，第三管路及与这三路管路相连的A、B双腔室垂直气流型MOCVD反应管喷头装置；生长方法是通过将铟、镓、铝、镁分开输运到不同生长区域的气路设置，克服了传统生长方法中将它们合并输运到衬底表面所带来的诸多不足，用全新的生长机理实现全系列x,y值的InxGa(1-x-y)AlyN材料体系的快速生长，且生长的温度与气压参数窗口变大，尤其能实现镁的快速δ掺杂。
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公开(公告)号：CN103938177A
公开(公告)日：2014-07-23
申请号：CN201410189925.5
申请日：2014-05-07
Applicant: 南昌黄绿照明有限公司 , 南昌大学
IPC: C23C16/06 , C23C16/455
Abstract: 本发明公开了一种可用氯气在线清洗的非钎焊MOCVD喷头，这种喷头用电火花加工成型的喷气缝代替传统粗糙的拉制不锈钢毛细管喷管，因此有较少的表面积，能减少外延记忆效应。由于喷头非钎焊，所以能使用氯气在线清洗，从而提高了MOCVD的生产效率，拓展了其应用范围。这种喷头制作简单，可靠性高，今后运行费用低。
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公开(公告)号：CN1801500A
公开(公告)日：2006-07-12
申请号：CN200510110566.0
申请日：2005-11-17
Applicant: 南昌大学
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L33/0066 , H01L21/02381 , H01L21/02433 , H01L21/02458 , H01L21/02472 , H01L21/02491 , H01L21/02502 , H01L21/02505 , H01L21/0254 , H01L21/02554 , H01L21/02565 , H01L33/0087 , H01L33/12
Abstract: 本发明公开了一种在硅衬底上制备高质量发光半导体薄膜的方法，它首先在硅衬底表面形成一层银过渡层，然后在银过渡层上形成半导体薄膜。所述的半导体薄膜的成分为铟镓铝氮(InxGayAl1－x－yN，0＜＝x＜＝1，0＜＝y＜＝1)或锌镁镉氧(ZnxMgyCd1－x－yO，0＜＝x＜＝1，0＜＝y＜＝1)。本发明具有可以保护衬底表面不与生长气氛接触、从而防止在铟镓铝氮材料或锌镁镉氧材料生长前形成无定型氮化硅层、提高薄膜质量的优点。
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