公开(公告)号：CN1719631A

公开(公告)日：2006-01-11

申请号：CN200510027807.5

申请日：2005-07-13

Applicant: 南昌大学

Inventor： 江风益 ,  王立 ,  方文卿 ,  周毛兴 ,  刘和初

IPC: H01L33/00

Abstract: 本发明提供一种具有内陷电极的半导体发光元件，该元件包括一个具有主面和背面的衬底、形成于衬底主面之上的第一导电类型半导体层、形成于第一半导体层之上的第二导电类型半导体层、形成在衬底背面的第一欧姆电极和形成于第二导电类型半导体层上的第二欧姆电极，特征是第二导电类型半导体层表面具有一凹坑，凹坑的深度大于第二欧姆电极的厚度，且第二欧姆电极形成于凹坑内。衬底和第一导电类型半导体层之间有一金属叠层。所述的第一导电类型半导体层为P型层，所述的第二导电类型半导体层为N型层，N型层和P型层之间还有一发光层。本发明可改善传统半导体发光元件的电极牢固度问题，从而解决影响欧姆接触性能和元件长期工作的可靠性的难题。

公开(公告)号：CN1953220A

公开(公告)日：2007-04-25

申请号：CN200610072230.4

申请日：2006-04-14

Applicant: 南昌大学

Inventor： 江风益 ,  方文卿 ,  王立 ,  莫春兰 ,  刘和初 ,  周毛兴

IPC: H01L33/00 ,  H01L21/20

Abstract: 本发明公开了一种在硅衬底上制备铟镓铝氮薄膜的方法，包括在硅衬底表面形成具有沟槽和台面的图形结构和在衬底表面沉积铟镓铝氮薄膜步骤，其中所述的沟槽的深度大于6微米，并且沟槽两侧台面上生长的铟镓铝氮薄膜水平方向上互不相连。用本发明的方法可以通过简单的衬底处理而生长出高质量、无裂纹和面积较大的铟镓铝氮薄膜。本发明同时还公开了一种使用硅衬底制备铟镓铝氮发光器件的方法。

公开(公告)号：CN1697205A

公开(公告)日：2005-11-16

申请号：CN200510025179.7

申请日：2005-04-15

Applicant: 南昌大学

Inventor： 江风益 ,  方文卿 ,  王立 ,  莫春兰 ,  刘和初 ,  周毛兴

IPC: H01L33/00 ,  H01L21/203 ,  H01S5/323 ,  H01S5/343

CPC classification number: H01L33/007 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02658 ,  H01L21/78 ,  H01L33/0095

Abstract: 本发明公开了一种在硅衬底上制备铟镓铝氮薄膜及发光器件的方法，它是在硅衬底上形成台面和沟槽组成的图形结构。沟槽两侧台面上生长的铟镓铝氮薄膜互不相连。在生长完发光器件的叠层薄膜后，在每个台面的薄膜上或硅衬底背面制备欧姆电极。然后沿着沟槽将衬底划开，就得到分离的发光芯片。本发明是通过分割衬底表面的办法来减小应力。由于衬底表面被分割成许多区域，因此在每个区域内生长的铟镓铝氮材料在空间上就是分离的，具有多个自由面且尺寸相对较小，因此应力能够有效释放而不至于出现裂纹。

公开(公告)号：CN1694271A

公开(公告)日：2005-11-09

申请号：CN200510026306.5

申请日：2005-05-27

Applicant: 南昌大学

Inventor： 江风益 ,  王立 ,  熊传兵 ,  方文卿 ,  刘和初 ,  周毛兴

IPC: H01L33/00 ,  H01S5/323

CPC classification number: H01L33/0079 ,  H01L33/007 ,  H01L33/32 ,  H01L33/405

Abstract: 本发明提供一种具有上下电极结构的铟镓铝氮(InxGayAl1－x－yN，0＜＝x＜＝1，0＜＝y＜＝1)发光器件及其制造方法。该发光器件包括导电衬底，特征是在导电衬底上依次具有一粘接金属叠层和一光反射层，光反射层上为铟镓铝氮半导体叠层，该铟镓铝氮半导体叠层中的最下层为P型层，最上层为N型层，且该叠层铟镓铝氮材料上表面为氮面，在铟镓铝氮半导体叠层上和导电衬底背面各有一个欧姆电极。其中所述的光反射层至少包含一个铂层。