-
公开(公告)号：CN1794476A
公开(公告)日：2006-06-28
申请号：CN200510030868.7
申请日：2005-10-27
Applicant: 南昌大学
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L33/0079 , H01L33/32 , H01L33/40 , H01L33/641
Abstract: 本发明公开了一种含有金属铬基板的铟镓铝氮半导体发光元件及其制造方法，该半导体发光元件包含：一个含铬的支撑基板，层叠于支撑基板之上的第一欧姆电极，层叠于第一欧姆电极之上的铟镓铝氮(InxGayAl1－x－yN，0＜＝x＜＝1，0＜＝y＜＝1)半导体叠层，层叠于铟镓铝氮半导体叠层之上的第二欧姆电极。制造上述发光元件的方法，包括以下步骤：在硅衬底上形成铟镓铝氮(InxGayAl1－x－yN，0＜＝x＜＝1，0＜＝y＜＝1)半导体叠层，在铟镓铝氮半导体叠层上形成第一欧姆电极，在第一欧姆电极上形成铬支撑基板，把硅衬底去除，在铟镓铝氮半导体叠层上形成第二欧姆电极。该发光元件具有成本较低、发光效率高、散热特性好等优点。
-
公开(公告)号：CN103938177A
公开(公告)日：2014-07-23
申请号：CN201410189925.5
申请日：2014-05-07
Applicant: 南昌黄绿照明有限公司 , 南昌大学
IPC: C23C16/06 , C23C16/455
Abstract: 本发明公开了一种可用氯气在线清洗的非钎焊MOCVD喷头，这种喷头用电火花加工成型的喷气缝代替传统粗糙的拉制不锈钢毛细管喷管，因此有较少的表面积，能减少外延记忆效应。由于喷头非钎焊，所以能使用氯气在线清洗，从而提高了MOCVD的生产效率，拓展了其应用范围。这种喷头制作简单，可靠性高，今后运行费用低。
-
公开(公告)号：CN104269470A
公开(公告)日：2015-01-07
申请号：CN201410483423.3
申请日：2014-09-22
Applicant: 南昌大学 , 南昌黄绿照明有限公司
Abstract: 本发明公开了一种能够释放应力的垂直结构LED薄膜芯片的制作方法及结构，在科学选择设计阻挡层，特别是第一键合层、中间层和第二键合层材料及结构的基础之上，设计LED薄膜和基板之间的金属或合金在去除衬底后通过低温退火处理熔化或部分熔化，从而使得LED薄膜在此熔化过程中可以自由伸展、自平坦化，达到了有效释放LED薄膜中的残余应力的效果，且又不会因退火熔化的温度过高而破坏LED芯片的光电性能。其结构包括：衬底，在衬底上设置有包括缓冲层、n型层、发光层和P型层在内的LED薄膜，在LED薄膜上依次沉积有反射接触层、阻挡层，特征是在阻挡层下方形成有混合层，在混合层下方有基板正面保护层、基板、基板反面保护层和接触层。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103938177B
公开(公告)日：2015-12-30
申请号：CN201410189925.5
申请日：2014-05-07
Applicant: 南昌黄绿照明有限公司 , 南昌大学
IPC: C23C16/06 , C23C16/455
Abstract: 本发明公开了一种可用氯气在线清洗的非钎焊MOCVD喷头，这种喷头用电火花加工成型的喷气缝代替传统粗糙的拉制不锈钢毛细管喷管，因此有较少的表面积，能减少外延记忆效应。由于喷头非钎焊，所以能使用氯气在线清洗，从而提高了MOCVD的生产效率，拓展了其应用范围。这种喷头制作简单，可靠性高，今后运行费用低。
-
公开(公告)号：CN1694271A
公开(公告)日：2005-11-09
申请号：CN200510026306.5
申请日：2005-05-27
Applicant: 南昌大学
CPC classification number: H01L33/0079 , H01L33/007 , H01L33/32 , H01L33/405
Abstract: 本发明提供一种具有上下电极结构的铟镓铝氮(InxGayAl1－x－yN，0＜＝x＜＝1，0＜＝y＜＝1)发光器件及其制造方法。该发光器件包括导电衬底，特征是在导电衬底上依次具有一粘接金属叠层和一光反射层，光反射层上为铟镓铝氮半导体叠层，该铟镓铝氮半导体叠层中的最下层为P型层，最上层为N型层，且该叠层铟镓铝氮材料上表面为氮面，在铟镓铝氮半导体叠层上和导电衬底背面各有一个欧姆电极。其中所述的光反射层至少包含一个铂层。
-
公开(公告)号：CN104269470B
公开(公告)日：2017-06-16
申请号：CN201410483423.3
申请日：2014-09-22
Applicant: 南昌大学 , 南昌黄绿照明有限公司
Abstract: 本发明公开了一种能够释放应力的垂直结构LED薄膜芯片的制作方法及结构，在科学选择设计阻挡层，特别是第一键合层、中间层和第二键合层材料及结构的基础之上，设计LED薄膜和基板之间的金属或合金在去除衬底后通过低温退火处理熔化或部分熔化，从而使得LED薄膜在此熔化过程中可以自由伸展、自平坦化，达到了有效释放LED薄膜中的残余应力的效果，且又不会因退火熔化的温度过高而破坏LED芯片的光电性能。其结构包括：衬底，在衬底上设置有包括缓冲层、n型层、发光层和P型层在内的LED薄膜，在LED薄膜上依次沉积有反射接触层、阻挡层，特征是在阻挡层下方形成有混合层，在混合层下方有基板正面保护层、基板、基板反面保护层和接触层。
-
公开(公告)号：CN1276125C
公开(公告)日：2006-09-20
申请号：CN200410017929.1
申请日：2004-04-20
Applicant: 南昌大学
IPC: C23C16/455 , C23C16/18
Abstract: 本发明公开了一种用于金属有机化学气相沉积设备的楔形反应管，包括石英管、感应圈、进气管、出气管、衬底、石墨舟、上法兰和下法兰，在石英管外套有感应圈，特征是：在反应室内安装有圆柱形罩，隔板将进气腔分隔为左进气腔和右进气腔，圆柱形罩的出气腔与出气管连通。顶板倾斜的圆柱形罩与衬底一起形成一个楔形的反应腔，反应腔的进气端宽，出气端窄。本发明还设计有衬底旋转装置。下法兰安装在升降杆的升降臂上。本发明具有能够将不同反应气体分别送入反应室、有助于反应气体形成良好的层流、使反应气体混合均匀、减小预反应、大大提高材料生长均匀性和送取样非常方便的优点。
-
公开(公告)号：CN1563484A
公开(公告)日：2005-01-12
申请号：CN200410017929.1
申请日：2004-04-20
Applicant: 南昌大学
IPC: C23C16/455 , C23C16/18
Abstract: 本发明公开了一种用于金属有机化学气相沉积设备的楔形反应管，包括石英管、感应圈、进气管、出气管、衬底、石墨舟、上法兰和下法兰，在石英管外套有感应圈，特征是：在反应室内安装有圆柱形罩，隔板将进气腔分隔为左进气腔和右进气腔，圆柱形罩的出气腔与出气管连通。顶板倾斜的圆柱形罩与衬底一起形成一个楔形的反应腔，反应腔的进气端宽，出气端窄。本发明还设计有衬底旋转装置。下法兰安装在升降杆的升降臂上。本发明具有能够将不同反应气体分别送入反应室、有助于反应气体形成良好的层流、使反应气体混合均匀、减小预反应、大大提高材料生长均匀性和送取样非常方便的优点。
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
8
records
(took 0.015 seconds)
