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公开(公告)号：CN116463718A
公开(公告)日：2023-07-21
申请号：CN202310480473.5
申请日：2023-04-28
Applicant: 南昌大学 , 南昌硅基半导体科技有限公司
Abstract: 本发明公开一种金属调制外延的设备及其制备氮化物薄膜的方法，该设备包括真空腔室、容性耦合等离子体源、束源炉、样品台、旋转装置、真空泵，其特征在于：样品台在空间上做公转运动，所述样品台公转轨迹在空间上形成一圆环；所述容性耦合等离子体源提供覆盖整个样品台公转轨迹的等离子体区，所述束源炉提供覆盖部分样品台公转轨迹的金属蒸发区。该设备的作用为：通过样品台的公转实现生长速率、金属蒸发时间占比可调的金属调制外延，除了拥有传统金属调制外延方法中降低薄膜的生长温度、抑制铟镓氮合金中的相分离的效果外，本发明还拥有更高的生长速率、更高的产能的优势。
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公开(公告)号：CN114855270B
公开(公告)日：2023-07-28
申请号：CN202210423243.0
申请日：2022-04-21
Applicant: 南昌大学 , 南昌硅基半导体科技有限公司
IPC: C23C14/54 , C30B25/12 , C30B25/16 , C30B25/18 , C30B29/40 , C23C14/02 , C23C14/18 , C23C14/32 , C23C14/50 , C23C14/58
Abstract: 本发明为一种类分子束外延设备，包括：反应腔体、束源炉、加热装置、气体离化装置、样品台装置、真空系统；其中，气体离化装置为电容耦合等离子源；气体离化装置包括上极板和下极板，其中一极板与外部射频源连接，另一极板接地；束源炉具有金属蒸发区；上极板和下极板之间具有等离子体产生区；金属蒸发区与等离子体产生区在空间上相分离。
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公开(公告)号：CN114855270A
公开(公告)日：2022-08-05
申请号：CN202210423243.0
申请日：2022-04-21
Applicant: 南昌大学 , 南昌硅基半导体科技有限公司
IPC: C30B25/12 , C30B25/16 , C30B25/18 , C30B29/40 , C23C14/02 , C23C14/18 , C23C14/32 , C23C14/50 , C23C14/54 , C23C14/58
Abstract: 本发明为一种类分子束外延设备，包括：反应腔体、束源炉、加热装置、气体离化装置、样品台装置、真空系统；其中，气体离化装置为电容耦合等离子源；气体离化装置包括上极板和下极板，其中一极板与外部射频源连接，另一极板接地；束源炉具有金属蒸发区；上极板和下极板之间具有等离子体产生区；金属蒸发区与等离子体产生区在空间上相分离。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105200397B
公开(公告)日：2018-07-10
申请号：CN201510615788.1
申请日：2015-09-24
Applicant: 南昌大学
IPC: C23C16/455 , C30B25/14 , C23C16/02 , C30B25/02
Abstract: 本发明公开了一种喷头型MOCVD初始状态的稳定方法及耐氯双层喷头与制作方法，喷头用电火花直接打出III族源与V族源的喷孔，这些喷孔替代了内表面粗糙的不锈钢毛细管喷管，大幅减少了喷气孔内表面积，从而减少了外延的记忆效应；喷头制作时摒弃了不耐氯腐蚀的不锈钢毛细管真空钎焊工艺，所以喷头能耐受氯气在线清洗，从而可确保每炉外延生长初始状态恒定可控，使近耦合喷头型MOCVD能较完美地用于高铝组分的第三代半导体光电器件的批量生产；喷头的冷却水道及III族源与V族源的喷气孔均电火花加工而成，根除了毛细管壁薄漏水的隐患，能满足半导体行业苛刻的密封要求。
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公开(公告)号：CN112376035B
公开(公告)日：2025-04-22
申请号：CN202011200900.2
申请日：2020-11-02
Applicant: 南昌大学 , 南昌硅基半导体科技有限公司
IPC: C23C16/34 , C23C16/44 , C23C16/48 , C23C16/458
Abstract: 本发明公开了一种适用于制备高In组分InGaN材料的反应装置，该反应装置包括反应腔体、样品台装置、束源炉、气体离化器、真空系统和加热装置，其中：加热装置包括衬底加热装置和腔体加热装置。本发明提供的反应装置通过在加热器载板上设置衬底加热装置和带冷却管道的反光杯，使得加热光束和辐射热量聚焦至衬底的表面，提高了加热功率利用率，并隔绝加热光源对腔体内的各种元器件的直接辐照，降低了元器件因温度过高而产生损坏的风险。本发明提供的反应装置还具有能耗低、产量大、材料质量优异等诸多优点。
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公开(公告)号：CN112376035A
公开(公告)日：2021-02-19
申请号：CN202011200900.2
申请日：2020-11-02
Applicant: 南昌大学 , 南昌硅基半导体科技有限公司
IPC: C23C16/34 , C23C16/44 , C23C16/48 , C23C16/458
Abstract: 本发明公开了一种适用于制备高In组分InGaN材料的反应装置，该反应装置包括反应腔体、样品台装置、束源炉、气体离化器、真空系统和加热装置，其中：加热装置包括衬底加热装置和腔体加热装置。本发明提供的反应装置通过在加热器载板上设置衬底加热装置和带冷却管道的反光杯，使得加热光束和辐射热量聚焦至衬底的表面，提高了加热功率利用率，并隔绝加热光源对腔体内的各种元器件的直接辐照，降低了元器件因温度过高而产生损坏的风险。本发明提供的反应装置还具有能耗低、产量大、材料质量优异等诸多优点。
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公开(公告)号：CN105200397A
公开(公告)日：2015-12-30
申请号：CN201510615788.1
申请日：2015-09-24
Applicant: 南昌大学
IPC: C23C16/455 , C30B25/14 , C23C16/02 , C30B25/02
Abstract: 本发明公开了一种喷头型MOCVD初始状态的稳定方法及耐氯双层喷头与制作方法，喷头用电火花直接打出III族源与V族源的喷孔，这些喷孔替代了内表面粗糙的不锈钢毛细管喷管，大幅减少了喷气孔内表面积，从而减少了外延的记忆效应；喷头制作时摒弃了不耐氯腐蚀的不锈钢毛细管真空钎焊工艺，所以喷头能耐受氯气在线清洗，从而可确保每炉外延生长初始状态恒定可控，使近耦合喷头型MOCVD能较完美地用于高铝组分的第三代半导体光电器件的批量生产；喷头的冷却水道及III族源与V族源的喷气孔均电火花加工而成，根除了毛细管壁薄漏水的隐患，能满足半导体行业苛刻的密封要求。
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公开(公告)号：CN214655232U
公开(公告)日：2021-11-09
申请号：CN202022488531.3
申请日：2020-11-02
Applicant: 南昌大学 , 南昌硅基半导体科技有限公司
IPC: C23C16/34 , C23C16/44 , C23C16/48 , C23C16/458
Abstract: 本实用新型公开了一种适用于制备高In组分InGaN材料的反应装置，该反应装置包括反应腔体、样品台装置、束源炉、气体离化器、真空系统和加热装置，其中：加热装置包括衬底加热装置和腔体加热装置。本实用新型提供的反应装置通过在加热器载板上设置衬底加热装置和带冷却管道的反光杯，使得加热光束和辐射热量聚焦至衬底的表面，提高了加热功率利用率，并隔绝加热光源对腔体内的各种元器件的直接辐照，降低了元器件因温度过高而产生损坏的风险。本实用新型提供的反应装置还具有能耗低、产量大、材料质量优异等诸多优点。
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