利用MOCVD梯度掺杂技术生长ZnO:B薄膜及应用

    公开(公告)号:CN102168256A

    公开(公告)日:2011-08-31

    申请号:CN201110066989.2

    申请日:2011-03-21

    Applicant: 南开大学

    CPC classification number: Y02P70/521

    Abstract: 一种利用MOCVD梯度掺杂技术生长ZnO:B薄膜,利用MOCVD技术,以玻璃基片为衬底,以二乙基锌和水为原料,以硼烷作为掺杂气体,在玻璃基片上先生长未掺杂B或者低掺杂B的ZnO透明导电薄膜;然后同样利用MOCVD技术,在上述薄膜基础上分阶段梯度掺杂生长ZnO,制备玻璃基片/未掺杂B或低B掺杂ZnO/正常B掺杂ZnO透明导电薄膜。本发明的优点是:通过初期生长未掺杂或者低B掺杂ZnO薄膜,而后采用正常情况下的掺杂,实现大晶粒尺寸,高可见光及近红外透过率的ZnO薄膜。该薄膜适合应用于p-i-n型Si基薄膜太阳电池,尤其是a-Si/μc-Si叠层薄膜太阳电池,可进一步提高Si薄膜电池的性能。

    一种柔性衬底绒面结构ZnO薄膜的制备及应用

    公开(公告)号:CN101892464A

    公开(公告)日:2010-11-24

    申请号:CN201010202098.0

    申请日:2010-06-18

    Applicant: 南开大学

    Abstract: 一种柔性衬底绒面结构ZnO薄膜,采用金属有机化学气相沉积技术制备,以聚乙烯对苯二甲酯(PET)为柔性衬底,以二乙基锌和水为源材料,硼烷为掺杂气体,生长B掺杂ZnO透明导电薄膜,结构为PET/MOCVD-ZnO;将该薄膜应用于pin型a-Si薄膜太阳电池和a-Si/a-Si叠层薄膜太阳电池,其结构分别是PET/ZnO/pina-Si/Al和PET/ZnO/pin a-Si/pin a-Si/Al。本发明的优点是:柔性衬底PET材料价格低廉且具有高透过率特性,便于大面积生产推广;MOCVD技术可实现低温生长薄膜;获得ZnO薄膜可直接形成绒面结构,有利于光散射;应用于薄膜太阳电池,光电转换效率高。

    一种高绒度反射的导电白色背反射电极及其制备方法

    公开(公告)号:CN102931244A

    公开(公告)日:2013-02-13

    申请号:CN201210482434.0

    申请日:2012-11-23

    Applicant: 南开大学

    CPC classification number: Y02P70/521

    Abstract: 一种高绒度反射的导电白色背反射电极,由衬底、腐蚀出弹坑状的ZnO层、金属银层和ZnO界面层组成薄膜叠层结构,所述腐蚀出弹坑状的ZnO层为本征ZnO或掺杂Al、Ga、B、Mo、W的ZnO材料;其制备方法是:先在衬底上采用磁控溅射法制备ZnO薄膜,再用湿法腐蚀制绒工艺获得具有陷光作用的弹坑状陷光绒面层ZnO薄膜,然后依次银薄膜层和ZnO薄膜界面层。该高绒度反射特性的导电白色背反射电极陷光效果好,可同时实现宽光谱、高绒度反射,光利用率高;其制备方法工艺简单、易于实施;作为背反射电极用薄膜太阳电池,比传统的基于绒度金属铝来实现绒度反射制备的相同条件的电池短路电流密度提高了10%。

    一种生长氢化Ga-Ti共掺ZnO-TCO薄膜及应用

    公开(公告)号:CN102199755A

    公开(公告)日:2011-09-28

    申请号:CN201110106722.1

    申请日:2011-04-27

    Applicant: 南开大学

    Abstract: 一种生长氢化Ga-Ti共掺ZnO-TCO薄膜,利用磁控溅射镀膜技术制备,具体方法是:用陶瓷靶ZnO:Ga2O3/TiO2作为靶材原料,基片为玻璃衬底,溅射气体为Ar气,溅射过程中引入氢气,薄膜厚度为700-2500nm;将生长获得的GTZO/H薄膜通过稀释HCl溶液腐蚀,制得具有良好光散射特性的绒面结构的氢化Ga-Ti共掺ZnO-TCO薄膜。本发明的优点:该制备方法是在维持一定载流子浓度的前提下,有效降低了了掺杂剂含量,从而降低杂质散射等影响;该薄膜应用于微晶硅薄膜电池或非晶硅/微晶硅叠层薄膜太阳电池,可提高光散射作用,增加入射光程,有效降低有源层厚度,提高Si基薄膜太阳电池的效率和稳定性。

Patent Agency Ranking