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公开(公告)号：CN102176471B
公开(公告)日：2012-09-05
申请号：CN201110058727.1
申请日：2011-03-11
Applicant: 南开大学
IPC: H01L31/0352 , H01L31/0232 , H01L31/18 , C23C16/40 , C23C16/44 , C23C14/35 , C23C14/06 , H01L31/20 , H01L31/042
CPC classification number: Y02E10/52 , Y02P70/521
Abstract: 一种绒面结构BZO/HGZO复合薄膜，具有玻璃/绒面结构BZO/高电导率HGZO结构，其中BZO为B掺杂ZnO；HGZO为H化Ga掺杂ZnO；其制备方法是利用MOCVD技术和磁控溅射技术相结合生长高迁移率绒面结构BZO/高电导率HGZO薄膜；该复合薄膜可应用于pin型μc-Si薄膜太阳电池和a-Si/μc-Si叠层薄膜太阳电池。本发明的优点：MOCVD技术获得的BZO薄膜具有绒面结构，同时在较低B掺杂情况下有效地降低了自由载流子浓度，提高了薄膜电子迁移率，减少了对i近红外区域的吸收；磁控溅射技术生长高电导并且具有高电子迁移率的HGZO薄膜，降低了对太阳光谱中近红外区域的吸收。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102418080A
公开(公告)日：2012-04-18
申请号：CN201110371527.1
申请日：2011-11-21
Applicant: 南开大学
IPC: C23C16/40 , C23C16/44 , H01L31/0224
Abstract: 一种玻璃衬底绒面结构ZnO薄膜的制备方法，以二乙基锌和水为源材料，以硼烷B2H6为掺杂气体，采用金属有机化学气相沉积法在玻璃衬底上生长绒面结构ZnO-TCO薄膜，分两步进行：1）在玻璃衬底上生长一层大晶粒尺寸的“类金字塔”状结构ZnO薄膜；2）在上述ZnO薄膜生长一层小晶粒尺寸的“圆球”状结构ZnO薄膜；该玻璃衬底绒面结构ZnO薄膜用于pin型“微晶硅”薄膜太阳电池或“非晶硅/微晶硅”叠层薄膜太阳电池。本发明的优点是：该制备方法工艺简单，便于大面积生产推广；通过工艺技术兼容的两步法生长技术，有利于实现可见光及近红外区域光散射和后续硅基薄膜沉积，可有效提高太阳电池的光电转换效率。
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公开(公告)号：CN102168256B
公开(公告)日：2013-07-31
申请号：CN201110066989.2
申请日：2011-03-21
Applicant: 南开大学
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 一种利用MOCVD梯度掺杂技术生长ZnO：B薄膜，利用MOCVD技术，以玻璃基片为衬底，以二乙基锌和水为原料，以硼烷作为掺杂气体，在玻璃基片上先生长未掺杂B或者低掺杂B的ZnO透明导电薄膜；然后同样利用MOCVD技术，在上述薄膜基础上分阶段梯度掺杂生长ZnO，制备玻璃基片/未掺杂B或低B掺杂ZnO/正常B掺杂ZnO透明导电薄膜。本发明的优点是：通过初期生长未掺杂或者低B掺杂ZnO薄膜，而后采用正常情况下的掺杂，实现大晶粒尺寸，高可见光及近红外透过率的ZnO薄膜。该薄膜适合应用于p-i-n型Si基薄膜太阳电池，尤其是a-Si/μc-Si叠层薄膜太阳电池，可进一步提高Si薄膜电池的性能。
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公开(公告)号：CN102433545A
公开(公告)日：2012-05-02
申请号：CN201110443695.7
申请日：2011-12-26
Applicant: 南开大学
IPC: C23C16/40 , C23C16/30 , H01L31/0224
Abstract: 一种交替生长技术制备绒面结构ZnO薄膜，以二乙基锌和水为源材料，以氢气稀释掺杂气体硼烷B2H6，采用金属有机化学气相沉积法在玻璃衬底上交替生长绒面结构ZnO-TCO薄膜，步骤如下：1）首先在玻璃衬底上生长一层未掺杂ZnO薄膜；2）然后在上述未掺杂ZnO薄膜生长B掺杂型ZnO薄膜；3)重复上述1）和2）步骤，从而获得多层交叠生长的ZnO薄膜。本发明的优点是：MOCVD技术可实现玻璃衬底上直接生长绒面结构ZnO薄膜，该制备方法工艺简单，便于大面积生产推广；通过工艺技术兼容的交替生长技术，有利于实现可见光及近红外区域光散射和后续硅基薄膜沉积；应用于薄膜太阳电池，可有效提高太阳电池的光电转换效率。
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公开(公告)号：CN102176471A
公开(公告)日：2011-09-07
申请号：CN201110058727.1
申请日：2011-03-11
Applicant: 南开大学
IPC: H01L31/0352 , H01L31/0232 , H01L31/18 , C23C16/40 , C23C16/44 , C23C14/35 , C23C14/06 , H01L31/20 , H01L31/042
CPC classification number: Y02E10/52 , Y02P70/521
Abstract: 一种绒面结构BZO/HGZO复合薄膜，具有玻璃/绒面结构BZO/高电导率HGZO结构，其中BZO为B掺杂ZnO；HGZO为H化Ga掺杂ZnO；其制备方法是利用MOCVD技术和磁控溅射技术相结合生长高迁移率绒面结构BZO/高电导率HGZO薄膜；该复合薄膜可应用于pin型μc-Si薄膜太阳电池和a-Si/μc-Si叠层薄膜太阳电池。本发明的优点：MOCVD技术获得的BZO薄膜具有绒面结构，同时在较低B掺杂情况下有效地降低了自由载流子浓度，提高了薄膜电子迁移率，减少了对i近红外区域的吸收；磁控溅射技术生长高电导并且具有高电子迁移率的HGZO薄膜，降低了对太阳光谱中近红外区域的吸收。
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公开(公告)号：CN102168256A
公开(公告)日：2011-08-31
申请号：CN201110066989.2
申请日：2011-03-21
Applicant: 南开大学
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 一种利用MOCVD梯度掺杂技术生长ZnO：B薄膜，利用MOCVD技术，以玻璃基片为衬底，以二乙基锌和水为原料，以硼烷作为掺杂气体，在玻璃基片上先生长未掺杂B或者低掺杂B的ZnO透明导电薄膜；然后同样利用MOCVD技术，在上述薄膜基础上分阶段梯度掺杂生长ZnO，制备玻璃基片/未掺杂B或低B掺杂ZnO/正常B掺杂ZnO透明导电薄膜。本发明的优点是：通过初期生长未掺杂或者低B掺杂ZnO薄膜，而后采用正常情况下的掺杂，实现大晶粒尺寸，高可见光及近红外透过率的ZnO薄膜。该薄膜适合应用于p-i-n型Si基薄膜太阳电池，尤其是a-Si/μc-Si叠层薄膜太阳电池，可进一步提高Si薄膜电池的性能。
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