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公开(公告)号：CN103185909A
公开(公告)日：2013-07-03
申请号：CN201310085335.3
申请日：2013-03-18
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明公开了一种微机电可调氮化物谐振光栅，实现氮化物谐振光栅和微型纳米静电驱动器的集成并提出了双面加工法制备微机电可调氮化物谐振光栅的方法；该微机电可调氮化物谐振光栅实现在高阻硅衬底氮化物晶片上，采用薄膜沉积、电子束曝光、光刻、反应离子刻蚀、三五族刻蚀等技术定义和刻蚀器件，采用背后对准工艺和深硅刻蚀技术，去除微机电可调氮化物谐振光栅下方的高阻硅衬底，然后采用三五族刻蚀技术对微机电可调氮化物光栅进行背后减薄，完成悬空微型纳米静电驱动器和谐振光栅的集成；通过微型纳米静电驱动器调控谐振光栅的周期、占空比等结构参数，从而达到改变器件光学性能的目的。
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公开(公告)号：CN101715139A
公开(公告)日：2010-05-26
申请号：CN200910234278.4
申请日：2009-11-16
Applicant: 南京邮电大学
IPC: H04N7/68
Abstract: 立体图像中基于互补掩盖方式的多模式误码掩盖方法属于图像通信的技术领域。其具体过程为：首先同时按照光栅扫描顺序扫描，检测出左、右眼图像中第一个需要掩盖的块。考察参考帧搜索区域中是否包含无效像素。如果不包含，则进行边界匹配，并用匹配的块来掩盖，否则对误码块的四个邻域块进行块匹配，得到它们的视差矢量。剔除这四个视差矢量中偏差较大的矢量，把余下矢量求平均作为待处理误码块的视差矢量，并到参考帧中找到对应块来掩盖。如果对应块包含无效像素，则在当前帧中利用有效像素进行双线性内插方法处理无效像素部分。如果掩盖结果的边界连续度不佳，则改用方向插值方法掩盖。采用互补的方式处理两幅图像其余误码块，直至全部掩盖完毕。
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公开(公告)号：CN114965374A
公开(公告)日：2022-08-30
申请号：CN202210513882.6
申请日：2022-05-11
Applicant: 南京邮电大学
IPC: G01N21/51
Abstract: 本发明提出了半导体领域内的一种利用可见光信号的氮化镓光电子集成式浊度传感器，包括设置在液体容器内壁上的光电子芯片，所述光电子芯片包括硅衬底层、氮化物外延层，所述氮化物外延层上设置有作为可见光信号光源的微型LED器件及接收可见光信号的光电探测器，所述氮化物外延层设置有连接微型LED器件和光电探测器的正电极、负电极，所述硅衬底层部分与电路板结合，所述氮化物外延层外部设有封装层，本发明集成度高，可以使用低成本小体积的集成式系统有效且准确地监测待测液体的浊度等物理参数。
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公开(公告)号：CN113066891B
公开(公告)日：2022-08-30
申请号：CN202110354218.7
申请日：2021-04-01
Applicant: 南京邮电大学
IPC: H01L31/173 , H01L31/0232 , H01L31/18 , G01N21/41
Abstract: 本发明揭示了一种基于多波导型定向耦合器的集成式芯片及其制备方法，所述芯片以晶圆为载体，所述晶圆上设置有发光二极管器件，所述发光二极管器件的出光端依次设置有调节组件及光电探测器，所述调节组件由多波导型定向耦合器及与置于所述多波导型定向耦合器上方，且与所述多波导型定向耦合器垂直相交的聚二甲基硅氧烷微流体通道构成。本发明采用以上技术方案与现有技术相比，产生的有益效果为：可以有效且快速的监测出待测液体的折射率等物理参数。
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公开(公告)号：CN113066890A
公开(公告)日：2021-07-02
申请号：CN202110354194.5
申请日：2021-04-01
Applicant: 南京邮电大学
IPC: H01L31/173 , H01L31/18 , G01H9/00
Abstract: 本发明揭示了一种红外光微型振动监测芯片及其制备方法，所述芯片包括一印刷线路板，所述印刷线路板上设置有晶圆，所述晶圆包括磷化铟衬底及设置于所述磷化铟衬底上的多量子阱外延层，所述多量子阱外延层内设置有红外光发射部件和红外光接收部件，所述红外光发射部件与所述红外光接收部件通过导线与所述印刷线路板连接。本发明采用以上技术方案与现有技术相比，产生的有益效果为：本发明的芯片对测量空间稳定性和几何光路尺寸的要求大幅度降低，安装操作方便，使用单个光电子芯片进行振动监测，成本低，操作方便，适用于多种不同的工作环境。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110854247B
公开(公告)日：2021-04-27
申请号：CN201911132448.8
申请日：2019-11-19
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明公开了一种基于MEMS扫描微镜的发射方向可控的蓝光微LED器件及其制造方法，实现载体为蓝宝石衬底氮化物晶片和绝缘体上硅（SOI）晶片，蓝宝石衬底氮化物晶片包括顶层氮化物和位于顶层氮化物下部的蓝宝石衬底层，蓝宝石衬底层通过激光剥离技术将其剥离，顶层氮化物和镍/金电极构成阵列式微LED器件，SOI晶圆片顶层设置有MEMS扫描微镜，并通过阳极键合技术将扫描微镜与微LED集成，本发明在MEMS微镜上集成了阵列式微LED，可以做可见光通信或显示用的光源，也可以在可见光通信里作为光电接收模块。
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公开(公告)号：CN109860354B
公开(公告)日：2020-05-19
申请号：CN201811624876.8
申请日：2018-12-28
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明涉及信息材料与器件技术领域，尤其涉及一种同质集成红外光子芯片及其制备方法。所述同质集成红外光子芯片包括衬底层以及均位于所述衬底层表面的器件结构和波导结构；所述器件结构包括沿垂直于所述衬底层的方向依次叠置的下接触层、量子阱层和上接触层，且所述衬底层、所述下接触层、所述量子阱层与所述上接触层的材料均为Ⅲ‑Ⅴ族材料；所述波导结构包括采用Ⅲ‑Ⅴ族材料制造而成的波导层，所述波导层与所述下接触层同层设置。本发明实现了红外波段的非可见光在片内的传输，降低了红外光通信器件的制造难度及制造成本。
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公开(公告)号：CN110854247A
公开(公告)日：2020-02-28
申请号：CN201911132448.8
申请日：2019-11-19
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明公开了一种基于MEMS扫描微镜的发射方向可控的蓝光微LED器件及其制造方法，实现载体为蓝宝石衬底氮化物晶片和绝缘体上硅（SOI）晶片，蓝宝石衬底氮化物晶片包括顶层氮化物和位于顶层氮化物下部的蓝宝石衬底层，蓝宝石衬底层通过激光剥离技术将其剥离，顶层氮化物和镍/金电极构成阵列式微LED器件，SOI晶圆片顶层设置有MEMS扫描微镜，并通过阳极键合技术将扫描微镜与微LED集成，本发明在MEMS微镜上集成了阵列式微LED，可以做可见光通信或显示用的光源，也可以在可见光通信里作为光电接收模块。
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公开(公告)号：CN107104169A
公开(公告)日：2017-08-29
申请号：CN201710240402.2
申请日：2017-04-13
Applicant: 南京邮电大学
Inventor： 李欣 , 王永进 , 施政 , 其他发明人请求不公开姓名
IPC: H01L31/147 , H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521 , H01L31/147 , H01L31/1876
Abstract: 本发明公开了一种基于异质键合的微型水下可见光通信双工器件及制备方法，实现载体为硅衬底氮化物晶片和N型掺杂硅晶片，所述硅衬底氮化物晶片包括顶层氮化物和位于顶层氮化物下部的硅衬底层，硅衬底层部分掏空，形成悬空部位，悬空部位上方的顶层氮化物和镍/金电极构成薄膜LED蓝光发光器件，N型掺杂硅晶片顶层设置有适用于蓝光波段的光电传感器件，所述N型掺杂硅晶片为本征硅晶片掺杂磷元素。本发明器件设备体积小，能够实现水下高性能高速双向可见光通信。
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公开(公告)号：CN103779452B
公开(公告)日：2016-10-05
申请号：CN201410026373.6
申请日：2014-01-21
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明公开了一种悬空氮化物薄膜LED器件及其制备方法，实现载体为硅衬底氮化物晶片，包括顶层氮化物器件层和硅衬底层；该方法能够实现高折射率硅衬底层和氮化物器件层的剥离，消除硅衬底层对激发光的吸收，实现悬空氮化物薄膜LED器件；顶层氮化物器件层的上表面具有纳米结构，用以改善氮化物的界面状态，提高出光效率；结合背后对准和深硅刻蚀技术，去除LED器件下方的硅衬底层，得到悬空氮化物薄膜LED器件，进一步采用氮化物背后减薄刻蚀技术，获得超薄的悬空氮化物薄膜LED器件，降低LED器件的内部损耗，提高出光效率。
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