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公开(公告)号：CN1681088A
公开(公告)日：2005-10-12
申请号：CN200510037733.3
申请日：2005-02-02
Applicant: 南京大学
IPC: H01L21/205 , H01L21/365 , C30B25/14
Abstract: 本发明公开了一种获取均匀宽带隙半导体薄膜的同轴进气方法，该方法是在由一系列同轴的石英管和石英环的反应器中进行的。其方法步骤是：(1)、将衬底6放置在衬底托7上，一并放入反应室，并将反应室抽真空；(2)、反应物I由进气管1输入，反应物II由进气环3输入，隔离气由进气环2输入，压迫气由进气环4输入；(3)、将衬底加热至设定温度，反应物I和反应物II接近衬底6表面时均匀混合，并吸附在处于高温的衬底6表面发生分解反应，从而在衬底6上生长成均匀宽带隙的半导体薄膜。该方法成本低、技术难度小、实用性强、特别适用于各种GaN基和ZnO基等宽带隙结构材料的生长与器件结构材料的研究。
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公开(公告)号：CN1599033A
公开(公告)日：2005-03-23
申请号：CN200410041677.6
申请日：2004-08-12
Applicant: 南京大学
IPC: H01L21/205 , C23C16/34
Abstract: 利用In金属纳米点催化合成生长InN纳米点的方法，利用MOCVD方法在蓝宝石(0001)衬底上催化合成生长InN纳米点材料，蓝宝石(0001)衬底放入生长室，预先用MOCVD生长技术在衬底表面形成金属纳米点，生长室温度在330－400℃，只通入金属有机源三甲基铟5－15分钟，在衬底表面淀积一层In金属纳米点；然后利用金属纳米点作为催化剂和成核中心，在In金属纳米点的形成时，同时通入金属有机源三甲基铟和三甲基铟，合成生长InN纳米点材料。
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公开(公告)号：CN1185690C
公开(公告)日：2005-01-19
申请号：CN02113086.8
申请日：2002-05-31
Applicant: 南京大学
IPC: H01L21/205 , H01L21/365
Abstract: ZnAl2O4/α-Al2O3复合衬底的制备及ZnAl2O4衬底上GaN薄膜生长方法，先将清洗的α-Al2O3衬底送入脉冲激光淀积(PLD)系统制备ZnO薄膜，生长腔内的氧气偏压气氛下生长ZnO薄膜，然后将上步骤中得到的ZnO/α-Al2O3样品放入高温反应炉中，采用氧气作为反应气氛，ZnO和α-Al2O3在高温下反应得到了ZnAl2O4覆盖层，从而得到了ZnAl2O4/α-Al2O3复合衬底；再将ZnAl2O4/α-Al2O3复合衬底送入GaN的MOCVD生长系统，以MOCVD方法生长GaN薄膜。在GaN的生长过程中，不存在氮化物缓冲层的生长，这不仅能提高生长的重复性，而且也提高了GaN生长系统的利用效率。
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公开(公告)号：CN1381870A
公开(公告)日：2002-11-27
申请号：CN02113080.9
申请日：2002-05-31
Applicant: 南京大学
IPC: H01L21/00
Abstract: 获得大面积高质量GaN自支撑衬底的方法,首先在蓝宝石衬底上横向外延获得低位错密度GaN薄膜;然后在ELO GaN薄膜上进行氢化物气相外延,获得大面积、低位错密度的GaN厚膜;采用激光扫描辐照剥离技术,将GaN厚膜从蓝宝石衬底上剥离下来,再进行表面抛光处理,就可以获得高质量GaN自支撑衬底。本发明结合了三种不同技术的优点:获得高质量的位错密度的GaN薄膜;可以快速生长大面积GaN厚膜;可以快速地无损伤的将GaN薄膜从蓝宝石衬底上分离开来。
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公开(公告)号：CN1146639A
公开(公告)日：1997-04-02
申请号：CN95112707.1
申请日：1995-09-27
Applicant: 南京大学
IPC: H01L29/775
Abstract: 一种利用SiGe/Si异质结构制备硅量子线的方法，其特征是在硅单晶上生长Si/SiGe/Si异质薄膜，光刻和反应离子刻蚀形成沟槽；采用选择化学腐蚀去除SiGe层并形成硅线，通过低温热氧化过程对硅线进行细化和光滑达到最终所希望的尺寸，同时获得高质量的Si/SiO2异质界面。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1083266A
公开(公告)日：1994-03-02
申请号：CN92109725.5
申请日：1992-08-21
Applicant: 南京大学
IPC: H01L21/205
Abstract: 一种掺杂或不掺杂的CVD外延生长低表面分凝硅/锗硅异质结构的方法，包括生长量子阱、超晶格和其它由异质结构组成的多层结构，其特征是在生长过程中，采用氢气稀释生长源气，氢气流量为生长源气总流量的2—40倍。本方法可以得明显低表面分凝的硅/锗硅半导体异质结构材料，且工艺简单易操作，设备无须大的变动。
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公开(公告)号：CN119230597B
公开(公告)日：2025-05-09
申请号：CN202411759891.9
申请日：2024-12-03
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明公开了一种具有κ‑Ga2O3/Al2O3复合铁电介质层的负电容晶体管及其制备方法。本发明的负电容晶体管包括从下至上依次设置的衬底，GaN缓冲层，UID‑GaN沟道层，Al0.25Ga0.75N势垒层，以及设置在Al0.25Ga0.75N势垒层上的源电极、漏电极和栅极，以及设置在栅极和Al0.25Ga0.75N势垒层之间的κ‑Ga2O3/Al2O3复合铁电介质层。本发明的负电容晶体管能够实现易失性与非易失性存储的结合，从而在保证高速数据处理能力的同时，提高系统的稳定性与断电后的数据保存可靠性，为全储备池的应用提供高效的数据管理支持。
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公开(公告)号：CN119230597A
公开(公告)日：2024-12-31
申请号：CN202411759891.9
申请日：2024-12-03
Applicant: 南京大学
IPC: H01L29/51 , H01L21/336 , H01L29/78
Abstract: 本发明公开了一种具有κ‑Ga2O3/Al2O3复合铁电介质层的负电容晶体管及其制备方法。本发明的负电容晶体管包括从下至上依次设置的衬底，GaN缓冲层，UID‑GaN沟道层，Al0.25Ga0.75N势垒层，以及设置在Al0.25Ga0.75N势垒层上的源电极、漏电极和栅极，以及设置在栅极和Al0.25Ga0.75N势垒层之间的κ‑Ga2O3/Al2O3复合铁电介质层。本发明的负电容晶体管能够实现易失性与非易失性存储的结合，从而在保证高速数据处理能力的同时，提高系统的稳定性与断电后的数据保存可靠性，为全储备池的应用提供高效的数据管理支持。
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公开(公告)号：CN117253936A
公开(公告)日：2023-12-19
申请号：CN202311542847.8
申请日：2023-11-20
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明涉及一种氧化镓基声表面波兼日盲紫外双模态探测器及其制备方法，所述探测器包括自下而上设置的衬底，κ‑Ga2O3压电薄膜层，金属电极层；所述金属电极层包括叉指换能器，所述叉指换能器沿宽度方向的两侧对称设置有反射栅。本发明利用κ‑Ga2O3材料的宽带隙以及压电极化特性，制备了兼具声表面波探测和日盲紫外探测双模态探测功能的探测器，所述探测器在265nm光照下可同时在声电和光导模式下工作，对日盲光波段具有较高响应，自驱动工作功耗更低，相比于其他压电材料的声表面波探测器，具有更高的谐振频率和灵敏度。
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公开(公告)号：CN116463609A
公开(公告)日：2023-07-21
申请号：CN202310328517.2
申请日：2023-03-30
Applicant: 南京大学
IPC: C23C16/27 , C23C16/52 , C23C16/458 , C23C16/455 , C23C16/511
Abstract: 一种有效实现金刚石中硅掺杂的设备，采用MPCVD系统，包括气体控制模块、微波模块和包括反应腔室的反应沉积模块；所述的反应沉积模块，包括石英窗、反应腔室、样品台和样品托，微波通过石英窗进入反应腔室，样品托置于样品台上在反应腔中；所述的样品托呈圆柱体状，样品托周围有进气环用于气体从下方进入，带孔样品托中心有直径为2mm的通孔，用于从下方进气，样品托通孔周围有倾斜面，倾斜面与水平面具有0‑90°的不同夹角，改变衬底的角度，进行不同角度沉积生长；由腔室下方通过样品托通孔通入甲烷和氮气，温度在760‑780℃之间，制备出具有梯度分布的氮硅掺杂金刚石薄膜。
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