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公开(公告)号：CN108365092A
公开(公告)日：2018-08-03
申请号：CN201810050297.0
申请日：2018-01-18
Applicant: 南京大学
IPC: H01L45/00
CPC classification number: H01L45/142 , H01L45/1608
Abstract: 基于二维原子晶体的耐高温忆阻器，所述忆阻器结构是基底上具有底电极/电介质/顶电极的三明治结构；所述的电介质厚度范围从单个原子层(约0.3nm)到1μm；所述的底电极和顶电极由惰性金属材料如铂、金、钯，柔性导电材料如氧化铟锡或包括石墨烯半金属型二维原子晶体材料；所述的电介质由二维原子晶体材料组成；所述基底包括衬底或生长于衬底表面的绝缘材料层，所述衬底材料包括硅、聚酰亚胺或聚二甲基硅氧烷，所述绝缘材料包括氧化硅、氮化硅或氧化铝。
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公开(公告)号：CN105590985B
公开(公告)日：2017-11-10
申请号：CN201511029416.7
申请日：2015-12-31
Applicant: 南京大学
IPC: H01L31/105
Abstract: 一种基于层状材料p‑i‑n异质结的雪崩探测器，所述的雪崩探测器包括在基底上设有自下到上的结构：衬底绝缘层，所述绝缘层包括二氧化硅、PMMA等柔性绝缘衬底；p‑i‑n异质结，所述p‑i‑n异质结包括p‑型半导体二维薄膜材料，所述p‑型半导体二维薄膜材料即薄膜层5叠放在一个包括确定层数的氮化硼带隙较大本征半导体或绝缘层下，n‑型半导体二维薄膜材料薄膜4叠放在上述氮化硼上，整个异质结器件层置于所述绝缘层上，氮化硼将两半导体二维薄膜材料层分开；顶栅绝缘层包括二氧化硅、三氧化二铝、二氧化铪、ITO等；顶栅金属电极层7在所述顶栅绝缘层上。
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公开(公告)号：CN105675700A
公开(公告)日：2016-06-15
申请号：CN201610018192.8
申请日：2016-01-12
Applicant: 南京大学
IPC: G01N27/60
CPC classification number: G01N27/60
Abstract: 一种基于层状材料的生物物质传感器，包括：绝缘层(2)、金属电极层(3)、二维材料薄膜层(4)、特异性吸附层(5)及介质层(6)；绝缘层(2)上为二维材料薄膜层(4)，特异性吸附层(5)位于二维材料薄膜层的上表面，吸附特异性的物质，改变二维材料薄膜层的表面掺杂状态；金属电极层，包括源电极层(31)，漏电极层(32)及顶栅电极层(33)；源电极层(31)和漏电极层覆盖在二维材料薄膜层的两端上，顶栅电极层位于二维材料薄膜层和特异性吸附层的旁边并与漏电极层保持一定距离，源电极层和漏电极层的表面覆盖有绝缘层进行保护；介质层覆盖在二维材料薄膜层，特异性附着层(5)和金属电极层表面。
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公开(公告)号：CN104596683A
公开(公告)日：2015-05-06
申请号：CN201510075426.8
申请日：2015-02-12
Applicant: 南京大学
Abstract: 一种基于层状材料的压力传感器及压电效应测量系统，该压力传感器包括：绝缘层，绝缘层上刻蚀有一条沟道；二维材料薄膜层，二维材料薄膜层的两端横跨沟道设置于所述绝缘层上，二维材料薄膜层的中间部分悬浮在所述沟道上；在垂直于二维材料薄膜层的压力作用下，二维材料薄膜层中各原子层之间的间距以及各原子层内原子间的间距发生改变，使得二维材料薄膜层的电阻发生改变；金属电极层，包括源电极层及漏电极层，源电极层设置在所述沟道一侧的所述绝缘层上，并覆盖在二维材料薄膜层的一端上；漏电极层设置在所述沟道另一侧的所述绝缘层上，并覆盖在所述二维材料薄膜层的另一端上。本发明与传统压电元件相比，体积更小，灵敏度更高。
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公开(公告)号：CN120035181A
公开(公告)日：2025-05-23
申请号：CN202510203122.9
申请日：2025-02-24
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明公开了一种超低操作电压的浮栅存储器及其制备方法，包括衬底层和依次设置在所述衬底层一侧上的浮栅层、隧穿绝缘层和沟道层，还包括设置在所述沟道层上的源电极和漏电极，所述源电极与沟道层一侧接触形成电连接，所述漏电极与沟道层另一侧接触形成电连接，所述源电极与隧穿绝缘层的接触面积大于漏电极与隧穿绝缘层的接触面积。本发明基于二维半导体材料在厚度极薄的情况下仍能保存良好的介电性能的性质，通过源漏两端的不对称设计，可以大幅度降低闪存的操作电压，使得满足标准供电电压的要求，大大降低集成的难度以及复杂度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118860333A
公开(公告)日：2024-10-29
申请号：CN202411020765.1
申请日：2024-07-29
Applicant: 南京大学
IPC: G06F7/544
Abstract: 本发明公开了一种并行模拟存内计算方法及装置，该方法将模拟电流信号作为输入信息；复制模拟电流信号，形成对应的复制电流信号，对所有复制电流信号均进行赋权处理，得到对应的调制电流信号集合；对调制电流信号集合基于基尔霍夫电流定律进行加权累加运算，得到输出电流信号。本发明在纯电流域进行信号的输入、处理和输出，实现对电流信号的精确复制和输出，在线路电阻较大的情况下也能保证输出电流的精度，大大减小在装置规模提升时线路电阻分压等非理想因素带来的影响，通过加权模块实现计算精度的主动调节，通过对称结构大幅抵消器件温漂带来的影响，能够在环境温度极端变化的情况下保持较高的计算精度，实现高鲁棒性的高精度计算功能。
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公开(公告)号：CN118569331A
公开(公告)日：2024-08-30
申请号：CN202410650458.5
申请日：2024-05-24
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明公开了一种模拟硬件神经网络的训练方法及装置，包括：输入训练信息到模拟硬件神经网络，模拟硬件神经网络对输入信号建立响应，测量模拟硬件神经网络的输出结果；在模拟硬件神经网络运行的同时，给特定网络节点注入微扰信号，测量微扰信号产生的响应；根据两次测量的结果，更新模拟硬件神经网络内部的参数。本发明具有比现有技术具有更高的识别率和通用性，适用于所有类型的模拟硬件神经网络训练，解决了模拟硬件神经网络训练对数学模型依赖的问题。
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公开(公告)号：CN117956890A
公开(公告)日：2024-04-30
申请号：CN202410130882.7
申请日：2024-01-31
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明公开了一种基于独立孔洞结构的二维/三维异质忆阻器，包括基底，底电极，阻变层，功能层和顶电极；所述功能层为具备独立纳米孔洞结构的层状二维氮化硼，制备方法包括：(1)在衬底上制备设计好图案的底电极；(2)在底电极表面使用原子层沉积氧化铪，作为阻变层；(3)在沉积完成的氧化铪表面转移层状二维氮化硼材料；(4)对转移好的二维氮化硼材料进行图案化制备，完成具有独立纳米尺寸孔洞结构的二维功能层制备；(5)对图案化成功的二维氮化硼材料表面制备配套顶电极，制备得到的忆阻器具有优异的电学开关性能和显著改善的高均一性。
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公开(公告)号：CN111370526B
公开(公告)日：2023-12-26
申请号：CN202010189068.4
申请日：2020-03-17
Applicant: 南京大学
IPC: H01L31/113 , H01L31/0224 , H01L31/18 , H01L27/146 , G06N3/067 , G06N3/0464 , G06N3/084 , G06V10/82 , G06V10/94
Abstract: 本发明公开了一种视网膜形态光电传感阵列及其图片卷积处理方法，该光电传感器件其是在基底上具有底电极、电介质层、沟道层、源电极和漏电极的垂直堆叠的异质结结构，所述源电极和漏电极相互对峙，并置于所述沟道层的两端，所述底电极、源电极和漏电极的材料为柔性电极所用材料、惰性金属或者半金属，所述电介质层的材料为绝缘材料，所述沟道层材料为双极性材料，所述基底包括衬底以及生长于衬底表面的绝缘材料层。本发明利用新材料的物理特性，设计全新的类脑光电传感器件，更好模拟人类视觉系统的细胞功能，实现了同时传感、信息处理和识别的可重构人工神经网络。
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公开(公告)号：CN116015368B
公开(公告)日：2023-07-28
申请号：CN202211382662.0
申请日：2022-11-07
Applicant: 南京大学
IPC: H04B7/0413 , H04B7/06 , H04B7/08
Abstract: 本发明公开了一种基于模拟存内计算的MIMO、解MIMO方法及系统，本发明在MIMO中先将需要发射的二进制码流转换为IQ符号流，然后根据IQ符号流为构建的模拟存内计算阵列赋电导值，从而使得模拟存内计算阵列的输出实现调制，再通过多根天线将调制信号发射出去，实现MIMO，在解MIMO中，通过MIMO信道的信道均衡因子为模拟存内计算阵列赋电导值，从而对接收的信号实现解调，再将解调信号转换为二进制码，从而实现解MIMO。本发明能耗低、时延小、过程简单。
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