公开(公告)号：CN118814185A

公开(公告)日：2024-10-22

申请号：CN202411069915.8

申请日：2024-08-06

Applicant: 南京大学天长新材料与能源技术研发中心 ,  南京大学 ,  苏州铁睿新能源科技有限公司 ,  南京铁鸣能源科技有限公司 ,  镇江索锂德新能源科技有限公司 ,  天长索锂德新能源科技有限公司 ,  绍兴索锂德新能源科技有限公司

Inventor： 金钟 ,  王淼 ,  王国强 ,  付玉龙 ,  吴祚骜 ,  铁祚庥

IPC: C25B3/05 ,  C25B3/07 ,  C25B3/09 ,  C25B3/20 ,  C25B11/065 ,  C25B11/081 ,  C25B11/097

Abstract: 本发明公开了一种通过氟硼酸盐介导的电化学[3+2]扩环策略用于合成1,3‑二氧戊烷和恶唑啉衍生物。本发明创新性地采用一种绿色、高效的电化学诱导的[3+2]环扩展策略，通过氟硼酸盐作为路易斯酸以及贵金属阴极催化剂的协同作用，在常温常压下可以迅速将溶剂分子，即丙酮或乙腈，合并到环氧化物骨架中，有效产生高附加值的1,3‑二氧戊烷和恶唑啉衍生物，该方法具有产率和效率高、反应条件温和、可控性强等特点。

公开(公告)号：CN108365092B

公开(公告)日：2020-06-16

申请号：CN201810050297.0

申请日：2018-01-18

Applicant: 南京大学

Inventor： 缪峰 ,  王淼

IPC: H01L45/00

Abstract: 基于二维原子晶体的耐高温忆阻器，所述忆阻器结构是基底上具有底电极/电介质/顶电极的三明治结构；所述的电介质厚度范围从单个原子层(约0.3nm)到1μm；所述的底电极和顶电极由惰性金属材料如铂、金、钯，柔性导电材料如氧化铟锡或包括石墨烯半金属型二维原子晶体材料；所述的电介质由二维原子晶体材料组成；所述基底包括衬底或生长于衬底表面的绝缘材料层，所述衬底材料包括硅、聚酰亚胺或聚二甲基硅氧烷，所述绝缘材料包括氧化硅、氮化硅或氧化铝。

公开(公告)号：CN108365092A

公开(公告)日：2018-08-03

申请号：CN201810050297.0

申请日：2018-01-18

Applicant: 南京大学

Inventor： 缪峰 ,  王淼

IPC: H01L45/00

CPC classification number: H01L45/142 ,  H01L45/1608

Abstract: 基于二维原子晶体的耐高温忆阻器，所述忆阻器结构是基底上具有底电极/电介质/顶电极的三明治结构；所述的电介质厚度范围从单个原子层(约0.3nm)到1μm；所述的底电极和顶电极由惰性金属材料如铂、金、钯，柔性导电材料如氧化铟锡或包括石墨烯半金属型二维原子晶体材料；所述的电介质由二维原子晶体材料组成；所述基底包括衬底或生长于衬底表面的绝缘材料层，所述衬底材料包括硅、聚酰亚胺或聚二甲基硅氧烷，所述绝缘材料包括氧化硅、氮化硅或氧化铝。