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公开(公告)号：CN117956890A
公开(公告)日：2024-04-30
申请号：CN202410130882.7
申请日：2024-01-31
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明公开了一种基于独立孔洞结构的二维/三维异质忆阻器，包括基底，底电极，阻变层，功能层和顶电极；所述功能层为具备独立纳米孔洞结构的层状二维氮化硼，制备方法包括：(1)在衬底上制备设计好图案的底电极；(2)在底电极表面使用原子层沉积氧化铪，作为阻变层；(3)在沉积完成的氧化铪表面转移层状二维氮化硼材料；(4)对转移好的二维氮化硼材料进行图案化制备，完成具有独立纳米尺寸孔洞结构的二维功能层制备；(5)对图案化成功的二维氮化硼材料表面制备配套顶电极，制备得到的忆阻器具有优异的电学开关性能和显著改善的高均一性。
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