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公开(公告)号：CN107021524B
公开(公告)日：2018-12-04
申请号：CN201710350595.7
申请日：2017-05-18
Applicant: 南京大学
IPC: C01G39/06
Abstract: 本发明公开了一种水溶性盐辅助转移CVD二维过渡金属硫族化合物的方法。该方法首先将过渡金属物粉末和水溶性盐粉末混合后放入生长炉进行生长，利用水溶性盐的加热挥发，在生长衬底上生长一层水溶性盐层，再根据过渡金属物粉末的加热挥发与硫源物气体或硫源物固体加热挥发后进行化学反应得到过渡金属硫族化合物沉积在生长衬底上，最终在生长衬底上生长一层水溶性盐层和单层过渡金属硫族化合物。然后将其添加支撑层后，放入水中溶解掉水溶性盐层，再将支撑层和单层过渡金属硫族化合物转移至成品衬底上，之后再用支撑层溶解液溶解掉支撑层得到最终的单层二维过渡金属硫族化合物。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105590985A
公开(公告)日：2016-05-18
申请号：CN201511029416.7
申请日：2015-12-31
Applicant: 南京大学
IPC: H01L31/105
CPC classification number: H01L31/105
Abstract: 一种基于层状材料p-i-n异质结的雪崩探测器，所述的雪崩探测器包括在基底上设有自下到上的结构：衬底绝缘层，所述绝缘层包括二氧化硅、PMMA等柔性绝缘衬底；p-i-n异质结，所述p-i-n异质结包括p-型半导体二维薄膜材料，所述p-型半导体二维薄膜材料即薄膜层5叠放在一个包括确定层数的氮化硼带隙较大本征半导体或绝缘层下，n-型半导体二维薄膜材料薄膜4叠放在上述氮化硼上，整个异质结器件层置于所述绝缘层上，氮化硼将两半导体二维薄膜材料层分开；顶栅绝缘层包括二氧化硅、三氧化二铝、二氧化铪、ITO等；顶栅金属电极层7在所述顶栅绝缘层上。
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公开(公告)号：CN105489693A
公开(公告)日：2016-04-13
申请号：CN201511028062.4
申请日：2015-12-31
Applicant: 南京大学
IPC: H01L31/102 , H01L31/0352
CPC classification number: H01L31/102 , H01L31/035272
Abstract: 基于二维层状薄膜材料p-g-n异质结光电子器件，所述的光伏探测器包括在基底上设有自下到上的结构：衬底绝缘层，所述绝缘层包括二氧化硅、PMMA等柔性绝缘衬底；p-型二维层状薄膜材料薄膜层，所述p-型二维层状薄膜材料薄膜层叠放在一个确定层数的石墨烯上，n-型二维层状薄膜材料薄膜叠放在上述石墨烯下，整个异质结器件层置于所述绝缘层上，石墨烯将两半导体层完全分隔开；所述顶栅绝缘层包括二氧化硅、三氧化二铝、二氧化铪等；顶栅金属电极层设置所述顶栅绝缘层上。所述的异质结探测器感器还包括：基底，设置在所述绝缘层下面。
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公开(公告)号：CN105489693B
公开(公告)日：2017-09-29
申请号：CN201511028062.4
申请日：2015-12-31
Applicant: 南京大学
IPC: H01L31/102 , H01L31/0352
Abstract: 基于二维层状薄膜材料p‑g‑n异质结光电子器件，所述的光伏探测器包括在基底上设有自下到上的结构：衬底绝缘层，所述绝缘层包括二氧化硅、PMMA等柔性绝缘衬底；p‑型二维层状薄膜材料薄膜层，所述p‑型二维层状薄膜材料薄膜层叠放在一个确定层数的石墨烯上，n‑型二维层状薄膜材料薄膜叠放在上述石墨烯下，整个异质结器件层置于所述绝缘层上，石墨烯将两半导体层完全分隔开；所述顶栅绝缘层包括二氧化硅、三氧化二铝、二氧化铪等；顶栅金属电极层设置所述顶栅绝缘层上。所述的异质结探测器感器还包括：基底，设置在所述绝缘层下面。
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公开(公告)号：CN107021524A
公开(公告)日：2017-08-08
申请号：CN201710350595.7
申请日：2017-05-18
Applicant: 南京大学
IPC: C01G39/06
CPC classification number: C01G39/06 , C01P2002/82 , C01P2004/02 , C01P2004/22
Abstract: 本发明公开了一种水溶性盐辅助转移CVD二维过渡金属硫族化合物的方法。该方法首先将过渡金属物粉末和水溶性盐粉末混合后放入生长炉进行生长，利用水溶性盐的加热挥发，在生长衬底上生长一层水溶性盐层，再根据过渡金属物粉末的加热挥发与硫源物气体或硫源物固体加热挥发后进行化学反应得到过渡金属硫族化合物沉积在生长衬底上，最终在生长衬底上生长一层水溶性盐层和单层过渡金属硫族化合物。然后将其添加支撑层后，放入水中溶解掉水溶性盐层，再将支撑层和单层过渡金属硫族化合物转移至成品衬底上，之后再用支撑层溶解液溶解掉支撑层得到最终的单层二维过渡金属硫族化合物。
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公开(公告)号：CN105590985B
公开(公告)日：2017-11-10
申请号：CN201511029416.7
申请日：2015-12-31
Applicant: 南京大学
IPC: H01L31/105
Abstract: 一种基于层状材料p‑i‑n异质结的雪崩探测器，所述的雪崩探测器包括在基底上设有自下到上的结构：衬底绝缘层，所述绝缘层包括二氧化硅、PMMA等柔性绝缘衬底；p‑i‑n异质结，所述p‑i‑n异质结包括p‑型半导体二维薄膜材料，所述p‑型半导体二维薄膜材料即薄膜层5叠放在一个包括确定层数的氮化硼带隙较大本征半导体或绝缘层下，n‑型半导体二维薄膜材料薄膜4叠放在上述氮化硼上，整个异质结器件层置于所述绝缘层上，氮化硼将两半导体二维薄膜材料层分开；顶栅绝缘层包括二氧化硅、三氧化二铝、二氧化铪、ITO等；顶栅金属电极层7在所述顶栅绝缘层上。
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