公开(公告)号：CN115786874A

公开(公告)日：2023-03-14

申请号：CN202211427974.9

申请日：2022-11-15

Applicant: 南京大学

Inventor： 顾书林 ,  陈子昂 ,  刘松民 ,  朱顺明 ,  汤琨 ,  叶建东

IPC: C23C16/27 ,  C23C16/455

Abstract: 一种基于双气流的高效掺杂HFCVD设备,包括反应腔、气体导入结构，气体导入结构包括四路气体管道，上、下两个进气口；第一路气体管道通入的是反应气体，第二路气体管道通入的是载气，第一、第二两路气体管道的气体混合后从第一进气管通过上进气口即导入到反应腔，上进气口位于反应腔的顶部中心位置；上进气口与基片台中间设有热丝；第三路气体管道通入的是掺杂气体，第四路气体管道通入的是载气，两路气体混合后从第二进气管通过下进气口导入反应腔，下进气口位于基片台下方的中心位置，形状为喇叭状，上、下进气口和基片台的正投影面呈同心结构。本发明有效提高金刚石薄膜生长中掺杂气体的利用效率，实现金刚石薄膜样品中的高效掺杂。

公开(公告)号：CN114477339A

公开(公告)日：2022-05-13

申请号：CN202111615655.6

申请日：2021-12-27

Applicant: 南京大学

Inventor： 卞岳 ,  汤琨 ,  叶建东 ,  朱顺明 ,  顾书林

IPC: C02F1/14 ,  A01G9/14 ,  C02F103/08

Abstract: 本发明公开了一种协同现代农业的太阳能海水淡化系统，包括种植棚和设置在种植棚左右两侧的海水池，所述海水池内部靠近种植棚一侧的底部连通有扁平矩形导水管，所述扁平矩形导水管的一端贯穿种植棚并延伸至种植棚的中部，本发明涉及太阳能海水淡化技术领域。该协同现代农业的太阳能海水淡化系统，通过将界面蒸发系统直接耦合进农业种植棚中，具备占地面积小，易于大规模农业生产的特点，且较常规界面太阳能海水淡化技术而言，半透明状拱形蒸发桥采用具备选择性光吸收性能的有机染料，实现高透射植物生长所需阳光的同时充分利用植物生长所不需要的其他波段阳光实现高效海水淡化，以提供植物生长所需的淡水。

公开(公告)号：CN114087596A

公开(公告)日：2022-02-25

申请号：CN202111373185.7

申请日：2021-11-19

Applicant: 南京大学

Inventor： 汤琨 ,  叶志豪 ,  卞岳 ,  朱顺明 ,  叶建东 ,  顾书林

IPC: F22B1/00 ,  F28B9/08

Abstract: 本发明公开了一种有效防盐沉积的高效太阳能水蒸气产生系统，涉及海水淡化技术领域，包括塑料水池，所述塑料水池内放置有适量的污水或待淡化的海水，且塑料水池内放置有漂浮在水上的泡沫盖板，且泡沫盖板上开设有多个均匀分布的限位孔，且限位孔内放置有冷凝水收集瓶，所述塑料水池的上表面安装有透明防护罩，所述泡沫盖板的四角处均贯穿有蒸发器件，且蒸发器件插在泡沫盖板的四角处，且蒸发器件的下端向下延伸并位于塑料水池内，蒸发器件的侧壁为锯齿形，所述塑料水池的下表面固定连接有配重组件，通过合理的设计，可在处理污水(海水)时，将盐沉积在蒸发器件侧壁而非蒸发表面上，防止蒸发器件效率降低。

公开(公告)号：CN106645323B

公开(公告)日：2019-01-04

申请号：CN201611079255.7

申请日：2016-11-30

Applicant: 南京大学

Inventor： 叶建东 ,  张彦芳 ,  任芳芳 ,  朱顺明 ,  汤琨 ,  顾书林 ,  张荣 ,  郑有炓

IPC: G01N27/26

Abstract: 本发明公开了一种基于氧化物异质结的极性溶剂化学传感器，在衬底上制备ZnMgO/ZnO异质结构，通过光刻、热蒸发等半导体工艺在异质结构制作电极，形成肖特基‑欧姆接触的非对称无栅高电子迁移率晶体管(HEMT)结构的化学传感器。ZnMgO/ZnO异质界面形成二维电子气(2DEG)，吸附于器件传感区域的极性溶剂分子可以影响异质界面二维电子气(2DEG)的浓度，通过器件漏源电流的变化，从而实现对多种极性溶剂的探测。

公开(公告)号：CN108374153A

公开(公告)日：2018-08-07

申请号：CN201810042756.0

申请日：2018-01-17

Applicant: 南京大学

Inventor： 卞岳 ,  汤琨 ,  许钟华 ,  沈洋 ,  叶建东 ,  朱顺明 ,  顾书林

IPC: C23C14/35 ,  C23C14/16 ,  C23C14/58 ,  B82Y30/00

Abstract: 磁控溅射生长大面积、高度有序纳米颗粒的方法，对衬底进行清洗处理；亲水处理；将聚甲基丙烯酸支撑的多孔氧化铝薄膜模板(PMMA/AAO)转移至丙酮溶液中去除超薄多孔氧化铝的PMMA支撑层；将去除了PMMA支撑层的超薄多孔氧化铝转移至过氧化氢溶液中室温浸泡2至10小时进行亲水处理；将亲水处理后的超薄多孔氧化铝转移至丙酮溶液中，在丙酮溶液中将超薄多孔氧化铝转移至经亲水处理的衬底上并室温风干；将覆盖有多孔氧化铝的衬底固定于平行对着磁控溅射溅射源的衬底托上；采用磁控溅射生长相应材料；蒸镀完金属后，采用聚酰亚胺高温胶带揭除或采用5～10％的NaOH去除多孔氧化铝，获得大面积、高度有序纳米颗粒。

公开(公告)号：CN103938183A

公开(公告)日：2014-07-23

申请号：CN201410177089.9

申请日：2014-04-29

Applicant: 南京大学

Inventor： 朱顺明 ,  印杰 ,  顾书林 ,  叶建东 ,  汤琨 ,  黄时敏 ,  郑有炓

IPC: C23C16/40 ,  C23C16/52

Abstract: 一种生长高质量氧化锌薄膜材料的方法，选用蓝宝石片作为生长氧化锌薄膜材料的衬底；将清洗过的蓝宝石衬底放在金属有机化学气相外延设备的反应室衬底底座上；将反应室抽真空至3*10-3Pa以下，以排净反应室中的空气；充入氮气和氢气的混合气体对衬底进行高温预处理；高温预处理的温度为1000℃-1200℃，处理时间为3min-8min；将衬底降温到适合ZnO缓冲层薄膜生长的温度，使用高纯二甲基锌作为Zn源，叔丁醇t-BuOH作为O源，在MOCVD设备中生长ZnO缓冲层；ZnO薄膜生长是选用N2作为稀释气体，同时加入适当流量的H2；采用LP－MOCVD技术在ZnO缓冲层上生长ZnO。

公开(公告)号：CN206076241U

公开(公告)日：2017-04-05

申请号：CN201620088085.8

申请日：2016-01-28

Applicant: 南京大学

Inventor： 叶建东 ,  程丽娜 ,  朱顺明 ,  汤琨 ,  任芳芳 ,  顾书林 ,  郑有炓

IPC: H01L29/24 ,  H01L21/363

Abstract: 一种采用三明治结构的ZnON薄膜，三明治结构的ZnON薄膜的基底上的夹层为富氮ZnON薄膜，富氮ZnON薄膜厚度为20‑150纳米，夹层上部的覆盖层为富氧ZnON薄膜，富氧ZnON薄膜层厚为5‑30纳米，基底为硅片、石英、玻璃或柔性衬底。三明治结构中夹层富氮ZnON和原位制备覆盖层富氧ZnON，提高了晶体管沟道层的稳定性，抑制后续晶体管器件的功能老化衰退。