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公开(公告)号：CN110395910A
公开(公告)日：2019-11-01
申请号：CN201910599683.X
申请日：2019-07-04
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明属于激光照明用发光材料领域，公开了一种用于激光照明的发光玻璃及其制备方法，其中发光玻璃包括硼硅酸盐玻璃基质，以及均匀分布在该硼硅酸盐玻璃基质内的Pb基钙钛矿纳米晶；其中，每100mol物质的量的硼硅酸盐玻璃基质中包括40～50mol的B2O3，20～30mol的SiO2，8～15mol的Na2O，以及12～20mol的SrO；掺入的Pb基钙钛矿纳米晶的物质的量为硼硅酸盐玻璃物质的量的0.1～5％。本发明通过对发光玻璃材料所采用的玻璃基质及掺杂纳米晶的细节组成、成分配比，制备方法的整体工艺流程设计、关键温度处理程序各阶段所采用的温度及处理时间等进行改进，能够同时实现激光照明用发光材料的高效和高稳定性，且避免发光饱和，并扩宽激光光源的选择。
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公开(公告)号：CN119432166A
公开(公告)日：2025-02-14
申请号：CN202411498768.6
申请日：2024-10-25
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明涉及一种散射粒子掺入吡唑硼Ce(Ⅲ)配合物的稀土配合物油墨、制备与应用，属于发光显示领域。在稀土配合物油墨中引入散射粒子可有效增加光的散射，延长光线的传播路径，从而提升稀土配合物吸收光的机会，增强发光效率，还能均匀分布激发光，减少打印图案中的亮度斑点和暗区，确保视觉效果的一致性，多方向散射的光线可以拓宽发光角度，使图案在不同观察角度下保持良好的发光效果。此外通过改变光的传播路径，散射粒子减少了光在稀土配合物中的停留时间，减轻自吸收效应，进一步提高了发光效率。
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公开(公告)号：CN118251050A
公开(公告)日：2024-06-25
申请号：CN202410297748.6
申请日：2024-03-15
Applicant: 华中科技大学
IPC: H10K59/12 , H10K71/16 , H10K85/60 , H01L27/092
Abstract: 本发明属于发光显示领域，具体公开了一种真空蒸镀钙钛矿微显示器及其制备方法，该发光器件是以钙钛矿材料作为发光活性层，通过全真空蒸镀的工艺，在CMOS基板上原位形成发光层和其他功能层，其可以实现高亮度与高分辨率，并直接作为主动发光显示应用于增强现实、虚拟现实等多种近眼显示设备上。本发明通过全真空蒸镀工艺原位制备钙钛矿微显示器，与现有技术相比，工艺可兼容现有商业化产线，仅需直接蒸镀即可实现高亮度的钙钛矿微显示器，能够有效解决现有微型图案化难以及微显示器件亮度低的问题。
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公开(公告)号：CN112331704B
公开(公告)日：2022-07-12
申请号：CN202011162243.7
申请日：2020-10-27
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明属于显示器技术领域，公开了一种钙钛矿显示面板及其制备方法，该显示面板的发光显示层同时使用绿光像素化单元材料、红光像素化单元材料和蓝光像素化单元材料，能够在电场驱动下实现RGB显示，其中，绿光像素化单元材料为热蒸镀沉积的绿光卤素钙钛矿，红光像素化单元材料和蓝光像素化单元材料分别为热蒸镀沉积的红光有机发光材料和蓝光有机发光材料。本发明利用热蒸镀沉积的绿光卤素钙钛矿作为绿光像素化单元材料，并与热蒸镀沉积的红光有机发光材料和蓝光有机发光材料相配合，得到的钙钛矿显示面板能够在电场驱动下实现RGB显示，能够有效扩宽现有OLED显示面板光谱色域的宽度，提升显示色彩的饱和度和多样性。
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公开(公告)号：CN112457843B
公开(公告)日：2022-03-18
申请号：CN202011328007.8
申请日：2020-11-24
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明属于晶体材料应用技术领域，公开了卤化物钙钛矿材料在高能射线探测中的应用及其制备方法，其中的应用是将卤化物钙钛矿材料在高能射线探测中的应用，该卤化物钙钛矿材料的化学式为PEA2PbBrxCl(4‑x)，其中，PEA代表苯乙胺，x为满足4≥x≥0的任意实数；所述高能射线的能量>1keV。本发明通过对钙钛矿材料的组成、结构进行改进，采用特定组成的卤化物钙钛矿材料PEA2PbBrxCl(4‑x)应用于高能射线探测，利用卤素钙钛矿优异的发光性质，可以将高能射线高效转化成可探测的可见光信号，同时发光寿命短，从而可用于PET和CT等高能射线成像中。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111031624A
公开(公告)日：2020-04-17
申请号：CN201911377883.7
申请日：2019-12-27
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明属于半导体材料及器件领域，公开了一种稳定混合卤素钙钛矿材料电致发光光谱的方法及应用，该方法是先以混合卤素钙钛矿发光材料作为发光层材料构建发光二极管器件，通过向该二极管器件施加交流电作为工作电压，能够抑制所述混合卤素钙钛矿发光材料在电场下的卤素漂移和分相过程，稳定该二极管器件的发光光谱，稳定混合卤素钙钛矿材料的电致发光光谱；其中，交流电中的正向电压波形能够驱动二极管器件工作，反向电压波形能够驱动二极管器件内离子迁移。本发明通过引入交流电，利用交流电正反向电压对钙钛矿中的卤素的离子迁移进行抑制和回复，稳定钙钛矿的结构相，与现有技术相比能够有效稳定混合卤素钙钛矿材料的电致发光光谱。
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公开(公告)号：CN108649128B
公开(公告)日：2020-01-21
申请号：CN201810388893.X
申请日：2018-04-27
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明公开了一种单组分电致白光器件及其制备方法，该器件是以单组分的钙钛矿材料作为发光活性层，通过传输层电注入载流子，在活性层产生受限激子态的发光，其电致发光光谱可覆盖整个可见光区域。本发明通过引入一种新的机理进入电致白光领域，与现有技术相比制备工艺简单，仅需一个发光层即可实现宽光谱白光，并能够有效解决现有电致白光光谱不稳定的问题。
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公开(公告)号：CN107248538A
公开(公告)日：2017-10-13
申请号：CN201710375865.X
申请日：2017-05-25
Applicant: 华中科技大学
CPC classification number: Y02P70/521 , H01L31/18 , H01L31/09
Abstract: 本发明公开了一种双钙钛矿晶体的后处理方法及应用，其中该后处理方法包括以下步骤：对双钙钛矿晶体Cs2AgBiX6进行退火处理，然后冷却，接着对冷却后的所述晶体利用溶剂进行表面钝化处理，从而提高该双钙钛矿晶体的迁移率，降低其表面复合速率。本发明通过对关键后处理所采用的工艺流程、以及各个工艺步骤所采用的具体条件参数进行改进，与现有技术相比能够有效解决双钙钛矿Cs2AgBiX6晶体Ag、Bi的错位发生概率高、晶体内部缺陷多、晶体的载流子迁移率和载流子寿命乘积(μτ)不高等问题，并且使用本发明中的后处理方法得到的晶体尤其适用于应用于辐射探测器中。
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公开(公告)号：CN104614413B
公开(公告)日：2017-06-16
申请号：CN201510067819.4
申请日：2015-02-09
Applicant: 华中科技大学
IPC: G01N27/12
Abstract: 本发明公开了一种无电极式半导体气体传感器及其制备方法。采用无电极式设计，利用灵敏度高、导电性能好的胶态纳米晶复合材料制作气敏层，将其于室温下涂覆在绝缘衬底上形成器件，无需使用额外的信号电极，器件结构和工艺步骤简单，且利于降低成本，适于批量生产，而且适于制作成柔性气体传感器。本发明的气体传感器具有轻、薄、短、小和便携性好的特点，而且工作温度低，具有良好的应用前景。
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公开(公告)号：CN106637403A
公开(公告)日：2017-05-10
申请号：CN201611066423.9
申请日：2016-11-28
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明公开了一种钙钛矿单晶的制备方法，包括取第一卤化物和第二卤化物混合，并用极性溶剂搅拌溶解，制得钙钛矿溶液，第一卤化物、第二卤化物和极性溶剂的质量比要求使钙钛矿溶液过饱和；将钙钛矿溶液进行过滤处理；将所述进行过滤处理的钙钛矿溶液置于疏水容器中，加热析出钙钛矿单晶。本发明中选择疏水材料作为钙钛矿单晶的生长容器，由于疏水容器壁的疏水性，疏水容器壁上生成的晶核数急剧减少，长出的单晶数量相对减少，单位时间内长出的晶体更大，碎晶的数量减少，溶液利用率得到提升，晶体质量显著提高。
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