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公开(公告)号：CN112331704B
公开(公告)日：2022-07-12
申请号：CN202011162243.7
申请日：2020-10-27
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明属于显示器技术领域，公开了一种钙钛矿显示面板及其制备方法，该显示面板的发光显示层同时使用绿光像素化单元材料、红光像素化单元材料和蓝光像素化单元材料，能够在电场驱动下实现RGB显示，其中，绿光像素化单元材料为热蒸镀沉积的绿光卤素钙钛矿，红光像素化单元材料和蓝光像素化单元材料分别为热蒸镀沉积的红光有机发光材料和蓝光有机发光材料。本发明利用热蒸镀沉积的绿光卤素钙钛矿作为绿光像素化单元材料，并与热蒸镀沉积的红光有机发光材料和蓝光有机发光材料相配合，得到的钙钛矿显示面板能够在电场驱动下实现RGB显示，能够有效扩宽现有OLED显示面板光谱色域的宽度，提升显示色彩的饱和度和多样性。
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公开(公告)号：CN110105378B
公开(公告)日：2020-09-08
申请号：CN201910447972.8
申请日：2019-05-27
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明属于光电材料领域，公开了一种铜基圆偏振发光材料及其制备与应用，其中该铜基圆偏振发光材料为有机无机杂化铜卤素复合物，具有手性结构；其化学式满足：LxCuyXz，其中，铜为正一价，L代表含有氮、磷、硫或氧元素的手性有机分子；X代表卤素；2≤x≤6，2≤y≤6，2≤z≤6，并且y＝z，x、y和z都为整数。本发明通过对铜卤素复合物关键的配位有机手性分子的种类及配比等进行调控，与现有材料相比能够有效解决圆偏振发光不对称因子高和发光效率高不能同时达到的问题，得到的满足特定化学式的有机无机杂化铜卤素复合物是一种不对称因子高、发光效率高的圆偏振发光材料，尤其适用于在圆偏振光致或电致发光等领域中应用。
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公开(公告)号：CN114220922B
公开(公告)日：2024-07-16
申请号：CN202111370767.X
申请日：2021-11-18
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明属于热蒸发制备钙钛矿材料领域，公开了一种原位钝化热蒸发钙钛矿材料的方法，该方法是在热蒸发钙钛矿的同时，在同一热蒸发装置中的另一蒸发源中同时蒸发钝化剂，将钝化剂引入钙钛矿材料中。如此利用钙钛矿和钝化剂的共蒸发，可实现热蒸发钙钛矿的原位钝化，即在钙钛矿晶体结构形成的过程中实时引入钝化官能团，实现钙钛矿体内、晶界、表面、界面等的全方位钝化，进而大大提升制得的钙钛矿薄膜的荧光量子产率；此外利用热蒸发方法引入钝化剂，该钙钛矿制备方法相同，设备兼容，工艺简单，可满足大面积大批量的热蒸发钙钛矿薄膜的制备。
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公开(公告)号：CN110105378A
公开(公告)日：2019-08-09
申请号：CN201910447972.8
申请日：2019-05-27
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明属于光电材料领域，公开了一种铜基圆偏振发光材料及其制备与应用，其中该铜基圆偏振发光材料为有机无机杂化铜卤素复合物，具有手性结构；其化学式满足：LxCuyHz，其中，铜为正一价，L代表含有氮、磷、硫或氧元素的手性有机分子；H代表卤素；2≤x≤6，2≤y≤6，2≤z≤6，并且y＝z，x、y和z都为整数。本发明通过对铜卤素复合物关键的配位有机手性分子的种类及配比等进行调控，与现有材料相比能够有效解决圆偏振发光不对称因子高和发光效率高不能同时达到的问题，得到的满足特定化学式的有机无机杂化铜卤素复合物是一种不对称因子高、发光效率高的圆偏振发光材料，尤其适用于在圆偏振光致或电致发光等领域中应用。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112467515A
公开(公告)日：2021-03-09
申请号：CN202011256036.8
申请日：2020-11-11
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明属于光电器件领域，公开了一种深蓝光激光器，该激光器是以铕基卤化物材料作为增益介质，利用该增益介质的荧光特性，通过谐振腔的选模作用，能够实现激光器输出激光波长在深蓝光波段发射。本发明首次使用铕基卤化物材料作为增益介质，利用铕基卤化物发光效率高、发光纯度高等特点，通过谐振腔的选模作用，能够实现低阈值、高效率的深蓝光激光器，可广泛应用于彩色显示、白光照明、高密度数据存储、生物医学、水下通讯等领域。
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公开(公告)号：CN112103396A
公开(公告)日：2020-12-18
申请号：CN202011052262.4
申请日：2020-09-29
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明属于电致发光领域，公开了一种电致蓝光薄膜器件及其制备方法，其发光层材料的组分满足A2(BEuX3)n‑1EuX4，其中，A为长链或含有苯环的有机阳离子或其组合；B为有机阳离子、碱金属离子中的一种或多种离子任意比例的组合；Eu为二价铕离子；X为Cl、Br、I中的一种或多种卤素离子任意比例的组合；n取大于1的任意值。本发明通过对发光层材料及其薄膜制备工艺进行改进，采用含有二价铕离子的有机‑无机杂化结构作为发光层材料，相应得到的p‑n结型电致蓝光薄膜器件，通过施加低场直流电可实现蓝光发射，其蓝光峰位标准(440nm‑470nm)，光谱稳定性好，半峰宽窄，辐射效率高；并且，器件结构简单，工艺简便，设备投入低，兼容现有的集成电路工艺，可实现全彩化显示。
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公开(公告)号：CN109713100B
公开(公告)日：2020-10-16
申请号：CN201811571654.4
申请日：2018-12-21
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明公开了一种制备全无机钙钛矿发光二极管活性层的方法，其特征在于，该方法是先将CsX和PbX2按摩尔比为(1.1～1.4):1混合形成富铯前驱体，接着再将该前驱体放入同一蒸发源中，利用热蒸发方法在待沉积的基底上进行真空沉积得到全无机钙钛矿发光二极管活性层，该全无机钙钛矿发光二极管活性层厚度为100nm～300nm，具有CsPbX3和Cs4PbX6复合相，具有高荧光量子产率，且能够作为发光层最终形成全无机钙钛矿发光二极管。本发明利用同源真空法，通过前驱体的组成及配比的控制，以及热蒸发过程中配合发挥作用的其他参数条件进行改进，利用投料比控制薄膜物相的组分，提高绝对荧光量子产率，得到的全无机钙钛矿薄膜发光效率高、符合理想化学计量比、厚度薄、致密均匀无针孔。
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公开(公告)号：CN118284094A
公开(公告)日：2024-07-02
申请号：CN202410357835.6
申请日：2024-03-27
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明属于光电器件领域，公开了一种Ce基稀土电致黄光器件及其制备方法，该器件自上而下依次包括顶电极、电子传输层、发光层、空穴传输层和底电极；其中，所述发光层是基于主客体发光体系，具体是以TAPC材料、CsI材料和CeI3材料三者独立的作为蒸发源，通过三源共蒸热蒸发法沉积得到的；并且，所述发光层对应的CsI、CeI3、TAPC三者的摩尔比为CsI：CeI3：TAPC＝0.05～0.08：0.02：2～5。本发明通过对发光层的组成进行改进，采用主客体发光体系的策略，通过使用由TAPC、CsI和CeI3这三个组分共同组成的三元共掺的主客体体系材料作为发光层，相比于OLED发光层材料，其稳定性较好、不易老化、寿命长。
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公开(公告)号：CN118281130A
公开(公告)日：2024-07-02
申请号：CN202410306005.0
申请日：2024-03-18
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明属于半导体发光薄膜制备领域，公开了一种用于白光发射的Mn2+掺杂CsEuI3薄膜及其制备方法，该薄膜为Mn2+掺杂CsEuI3薄膜，薄膜中对应的CsI:EuI2:MnI2的摩尔比为1:1:(0.001～0.1)。本发明通过对薄膜的组成进行改进，向CsEuI3薄膜中引入Mn2+掺杂，并将掺杂比例控制为CsI:EuI2:MnI2摩尔比1:1:(0.001～0.1)，得到的Mn掺杂全无机钙钛矿结构白光发射薄膜(即CsEuI3:Mn2+薄膜)，除了具有白光发射且无毒的特点，还具有工作寿命长的特点，能够在长期工作下光谱形状保持不变。并且，本发明可通过三源共蒸发沉积方法得到上述CsEuI3:Mn2+薄膜，制备方法操作简易、工艺重复性高、生产效率高，适用于大规模产业化生产。
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