公开(公告)号：CN118251050A

公开(公告)日：2024-06-25

申请号：CN202410297748.6

申请日：2024-03-15

Applicant: 华中科技大学

Inventor： 罗家俊 ,  张翔 ,  唐江 ,  沈紫曦 ,  欧剑峰 ,  谢弘毅 ,  陈奥越

IPC: H10K59/12 ,  H10K71/16 ,  H10K85/60 ,  H01L27/092

Abstract: 本发明属于发光显示领域，具体公开了一种真空蒸镀钙钛矿微显示器及其制备方法，该发光器件是以钙钛矿材料作为发光活性层，通过全真空蒸镀的工艺，在CMOS基板上原位形成发光层和其他功能层，其可以实现高亮度与高分辨率，并直接作为主动发光显示应用于增强现实、虚拟现实等多种近眼显示设备上。本发明通过全真空蒸镀工艺原位制备钙钛矿微显示器，与现有技术相比，工艺可兼容现有商业化产线，仅需直接蒸镀即可实现高亮度的钙钛矿微显示器，能够有效解决现有微型图案化难以及微显示器件亮度低的问题。