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公开(公告)号：CN110171842A
公开(公告)日：2019-08-27
申请号：CN201910306815.5
申请日：2019-04-17
Applicant: 华中科技大学
IPC: C01G19/02 , H01L31/0216 , H01L33/12 , H01L33/14 , B82Y30/00
Abstract: 本发明公开了一种混合价态锡基氧化物半导体材料的制备方法及应用，将四价锡盐和二价锡盐按照预设摩尔比例溶于水中，加入沉淀剂进行沉淀；进行离心分离和去离子水清洗；将产物置于水热反应装置中，加入矿化剂，并加水分散经水热反应得到锡基氧化物半导体材料纳米晶。所得的锡基氧化物半导体材料可以作为太阳能电池、发光二极管、光电探测器和场效应管等光电器件中的载流子传输层或者缓冲层，由于混合价态锡基氧化物组分可调，从而具有载流子迁移率、能带结构、透光率、导电性等半导体材料性能可调的优点，同时本发明制备方法工艺简单，反应条件温和，在光电器件领域对器件的灵活设计与性能优化有着明显的促进作用，有很大的工业化应用前景。
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公开(公告)号：CN109698251A
公开(公告)日：2019-04-30
申请号：CN201710997549.6
申请日：2017-10-24
Applicant: 华中科技大学
IPC: H01L31/0352 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种铁电增强型的太阳能电池及其制备方法，其中该铁电增强型的太阳能电池包括导电基底(1)和依次沉积于该导电基底(1)上的空穴阻挡层(2)、介孔纳米晶层(3)、介孔间隔层(4)及介孔背电极层(5)，其中介孔纳米晶层(3)、介孔间隔层(4)和介孔背电极层(5)中的至少一层其介孔中还填充有光活性材料；并且，空穴阻挡层(2)、介孔纳米晶层(3)和介孔间隔层(4)中的至少一层包括铁电材料或铁电纳米复合材料。本发明利用结晶性良好的铁电纳米材料例如纳米颗粒代替普通薄膜，既具有较高的剩余极化强度，又不会对载流子的传输造成影响，经特定人工极化工艺处理后的无机铁电材料还能有效促进载流子的分离和传输。
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公开(公告)号：CN109627259A
公开(公告)日：2019-04-16
申请号：CN201811456294.3
申请日：2018-11-30
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明公开了一种新型钙钛矿功能材料及其在光电器件中的应用，该新型钙钛矿功能材料是基于脒类分子在共混或修饰钙钛矿材料中的应用，钙钛矿材料为ABX3型钙钛矿材料，其中，A为一价有机或无机阳离子，B为二价金属阳离子，X为一价阴离子；脒类分子的化学表达式为R‑C(＝NH)NH2，其中，R为‑NH2、‑CH3、以及‑C6H5中的任意一种；应用具体是将脒类分子的阳离子态取代钙钛矿材料中的A位阳离子，或者是将脒类分子作为添加剂加入到ABX3型钙钛矿材料基体中。本发明通过在ABX3型钙钛矿基材料中引入具体特定化学结构的脒类分子，能显著的提高载流子荧光寿命，可获得光学电学性能优良的钙钛矿光电功能材料，且制备工艺方法简单、成本低廉。
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公开(公告)号：CN106252447B
公开(公告)日：2019-03-05
申请号：CN201610843343.3
申请日：2016-09-23
Applicant: 华中科技大学
IPC: H01L31/0525 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种新型太阳能电池，其包括依次层叠介观钙钛矿太阳能电池、热电电池和散热器，其中，所述介观钙钛矿太阳能电池与热电电池采用粘接、或者通过沉积工艺在介观钙钛矿太阳能电池的对电极上分别沉积不同P型和N型的热电材料而集成，且所述介观钙钛矿太阳能电池与热电电池串联或者并联。本发明还公开了上述太阳能电池与热电电池叠层器件的制备方法。本发明的太阳能电池及其制备方法，其采用全新的结构设计，将介观钙钛矿太阳能电池与无机材料热电池进行叠加集成，采用相应的制备方法进行集成，从而制备的太阳能电池不仅可以避免热能对器件寿命的影响，提升太阳能电池的使用寿命和稳定性，更为重要的是大大提高了对太阳能的利用率。
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公开(公告)号：CN109065723A
公开(公告)日：2018-12-21
申请号：CN201810769735.9
申请日：2018-07-13
Applicant: 华中科技大学
CPC classification number: H01L51/422 , H01L51/0077
Abstract: 本发明公开了一种基于添加剂提升太阳能电池开路电压的方法，该方法是以含钙钛矿材料的太阳能电池为对象，具体是向该太阳能电池的钙钛矿材料中掺杂添加剂，所述添加剂为含有胍基离子和卤素离子的添加剂。本发明通过对添加剂的具体种类等进行改进，以盐酸胍或碘酸胍作为添加剂，并优选对添加剂的添加量进行控制，与现有技术相比可有效提升太阳能电池的开路电压，本发明通过向太阳能电池内的钙钛矿材料中引入添加剂，可钝化器件内部缺陷，减少载流子损失，有效地了提升钙钛矿太阳能电池开路电压。本发明工艺简单、成本低廉、环境友好、具有较高的实用价值，最高可获得1.02V的开路电压。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114023887B
公开(公告)日：2024-12-13
申请号：CN202111274942.5
申请日：2021-10-29
Applicant: 华中科技大学
IPC: H10K71/12 , H10K71/15 , H10K30/88 , H10K50/844
Abstract: 本发明属于半导体材料制备领域，具体涉及一种氧化锡电子浆料及其制备方法和应用，包括将氧化锡纳米颗粒与金属离子掺杂剂、溶剂、粘结剂混合并做分散处理，其中，所述氧化锡纳米颗粒与所述金属离子掺杂剂的摩尔比根据所需氧化锡电子浆料的电学性能确定；粘结剂用于粘结、造孔以及分散浆料；对分散处理后的混合物浓缩，得到所需氧化锡电子浆料。进一步通过涂布烧结得到氧化锡膜层，可以应用于太阳能电池、发光二极管和场效应晶体管等光电子器件中的载流子传输层或者缓冲层。本发明通过在浆料制备过程之中进行掺杂处理，可调节氧化锡膜层的半导体性能，以达到对器件性能的提升，并且工艺简单，条件易控，可批量制备，有着良好的应用前景。
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公开(公告)号：CN118942764A
公开(公告)日：2024-11-12
申请号：CN202411167303.2
申请日：2024-08-23
Applicant: 华中科技大学 , 华电电力科学研究院有限公司
IPC: H01B1/06 , H01B13/00 , H01L31/0224
Abstract: 本发明属于光电器件的电极制备领域，公开了一种导电浆料及其制备方法与在多孔背电极中的应用，该导电浆料包括分散于溶剂中的主体导电颗粒、导电介质颗粒和功能添加剂，其中，导电介质颗粒为TiO、TiO2、Ti2O3、Ti4O7、Ti5O9的至少一种；该导电浆料对应形成的电极能够改善电极与Pb基钙钛矿接触。本发明通过向传统导电浆料中引入钛氧化物替代传统导电介质颗粒(如，炭黑)，能够改善导电浆料形成的背电极与介观钙钛矿太阳能电池中Pb基钙钛矿接触界面，进而能够提升器件性能，由此解决现有技术中多孔对电极背界面接触差，使得介观钙钛矿太阳能电池的性能降低的技术问题。
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公开(公告)号：CN117615598A
公开(公告)日：2024-02-27
申请号：CN202311698298.3
申请日：2023-12-11
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明属于电致发光器件领域，涉及一种3D注入型电致发光器件及其湿法制备方法。本发明器件自下而上依次为透明电极、第一多孔载流子传输层、多孔绝缘支架层、多孔电极；还包括活性层和第二载流子传输层；活性层沉积于第一多孔载流子传输层多孔膜中微纳孔道的内表面；第二载流子传输层填充于第一多孔载流子传输层、多孔绝缘支架层、以及多孔电极这三层多孔膜的微纳孔道中；活性层用于第一多孔载流子传输层与第二载流子传输层在外加电压下通过3D界面所注入电子和空穴的辐射发光。本发明通过引入多孔结构，构建3D注入界面，增强载流子在界面处的辐射发光能力，并简化器件加工工艺，以在低成本条件下实现高性能小尺寸到超大尺寸电致发光器件。
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公开(公告)号：CN117255575A
公开(公告)日：2023-12-19
申请号：CN202311409511.4
申请日：2023-10-27
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明属于太阳能电池技术领域，涉及一种基于核壳结构电荷传输层的太阳能电池及其制备方法，包括导电基底和依次沉积于该导电基底上的多孔电荷传输层、多孔间隔层及多孔背电极层，其中多孔电荷传输层、多孔间隔层及多孔背电极层中的至少一层其孔隙中还填充有光活性材料，多孔电荷传输层为核壳结构的复合电荷传输材料形成的多孔薄膜。本发明利用体相导电、表面电荷提取的多孔核壳电荷传输层的复合结构代替普通电荷传输材料，既能够实现与钙钛矿界面的电荷高效提取，又能够保证载流子在体相的高效传输，采用一些宽带隙材料例如二氧化硅等作为超薄遂穿层还能够有效钝化表面缺陷，在不影响电荷提取的情况下抑制界面载流子复合。
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公开(公告)号：CN112919404B
公开(公告)日：2023-09-29
申请号：CN202110273910.7
申请日：2021-03-15
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明属于半导体领域，具体涉及单一载流子多孔膜支架及其制备方法和应用，单一载流子多孔膜支架包括单一空穴多孔膜支架与单一电子多孔膜支架。单一空穴多孔膜支架结构依次为第一电极、第一空穴传输层、多孔绝缘支架层和多孔电极层，多孔用于填充半导体，以测试半导体材料中的空穴迁移率、空穴浓度与缺陷态密度。单一电子多孔膜支架结构依次为第一电极、第一电子传输层、多孔绝缘支架层、多孔第二电子传输层和多孔电极层，同样多孔用于填充半导体，用以测试半导体材料中的电子迁移率、电子浓度与缺陷态密度。本发明提出的支架，制备工艺简单，成本低廉，便于灵活调控，适用于宏观化批量生产与高通量SCLC分析测试，是一种行之有效的SCLC器件设计思路。
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