-
公开(公告)号：CN107591486B
公开(公告)日：2019-07-19
申请号：CN201710728543.9
申请日：2017-08-18
Applicant: 华中科技大学
CPC classification number: Y02E10/549
Abstract: 本发明公开了一种有机无机杂化钙钛矿半导体材料及其制备方法，制备方法包括：将(A1)x(A2)1‑xB(X1)y(X2)3‑y溶解在有机溶剂中，得到钙钛矿前驱体溶液，其中，0≤x≤1，0≤y≤3，A1为一价有机阳离子或一价无机阳离子，A2为一价有机阳离子或一价无机阳离子，B为二价金属阳离子，X1为一价阴离子，X2为一价阴离子；向钙钛矿前驱体溶液中加入体积百分比为10％～50％的助溶剂，经过退火得到有机无机杂化钙钛矿半导体材料。本发明通过在钙钛矿前驱液中添加助溶剂，大幅度地提升了钙钛矿材料在溶剂中的溶解度，在制备钙钛矿材料的过程中，有效减少了溶剂的使用量，同时本发明公开的方法所制备的钙钛矿材料还具有缺陷态密度小，荧光寿命长的优点。
-
公开(公告)号：CN107591486A
公开(公告)日：2018-01-16
申请号：CN201710728543.9
申请日：2017-08-18
Applicant: 华中科技大学
CPC classification number: Y02E10/549
Abstract: 本发明公开了一种有机无机杂化钙钛矿半导体材料及其制备方法，制备方法包括：将(A1)x(A2)1-xB(X1)y(X2)3-y溶解在有机溶剂中，得到钙钛矿前驱体溶液，其中，0≤x≤1，0≤y≤3，A1为一价有机阳离子或一价无机阳离子，A2为一价有机阳离子或一价无机阳离子，B为二价金属阳离子，X1为一价阴离子，X2为一价阴离子；向钙钛矿前驱体溶液中加入体积百分比为10％～50％的助溶剂，经过退火得到有机无机杂化钙钛矿半导体材料。本发明通过在钙钛矿前驱液中添加助溶剂，大幅度地提升了钙钛矿材料在溶剂中的溶解度，在制备钙钛矿材料的过程中，有效减少了溶剂的使用量，同时本发明公开的方法所制备的钙钛矿材料还具有缺陷态密度小，荧光寿命长的优点。
-
公开(公告)号：CN109627259B
公开(公告)日：2020-11-17
申请号：CN201811456294.3
申请日：2018-11-30
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明公开了一种新型钙钛矿功能材料及其在光电器件中的应用，该新型钙钛矿功能材料是基于脒类分子在共混或修饰钙钛矿材料中的应用，钙钛矿材料为ABX3型钙钛矿材料，其中，A为一价有机或无机阳离子，B为二价金属阳离子，X为一价阴离子；脒类分子的化学表达式为R‑C(＝NH)NH2，其中，R为‑NH2、‑CH3、以及‑C6H5中的任意一种；应用具体是将脒类分子的阳离子态取代钙钛矿材料中的A位阳离子，或者是将脒类分子作为添加剂加入到ABX3型钙钛矿材料基体中。本发明通过在ABX3型钙钛矿基材料中引入具体特定化学结构的脒类分子，能显著的提高载流子荧光寿命，可获得光学电学性能优良的钙钛矿光电功能材料，且制备工艺方法简单、成本低廉。
-
公开(公告)号：CN109627259A
公开(公告)日：2019-04-16
申请号：CN201811456294.3
申请日：2018-11-30
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明公开了一种新型钙钛矿功能材料及其在光电器件中的应用，该新型钙钛矿功能材料是基于脒类分子在共混或修饰钙钛矿材料中的应用，钙钛矿材料为ABX3型钙钛矿材料，其中，A为一价有机或无机阳离子，B为二价金属阳离子，X为一价阴离子；脒类分子的化学表达式为R‑C(＝NH)NH2，其中，R为‑NH2、‑CH3、以及‑C6H5中的任意一种；应用具体是将脒类分子的阳离子态取代钙钛矿材料中的A位阳离子，或者是将脒类分子作为添加剂加入到ABX3型钙钛矿材料基体中。本发明通过在ABX3型钙钛矿基材料中引入具体特定化学结构的脒类分子，能显著的提高载流子荧光寿命，可获得光学电学性能优良的钙钛矿光电功能材料，且制备工艺方法简单、成本低廉。
-
-
-
Search Results
4
records
(took 0.019 seconds)
