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公开(公告)号：CN110171842A
公开(公告)日：2019-08-27
申请号：CN201910306815.5
申请日：2019-04-17
Applicant: 华中科技大学
IPC: C01G19/02 , H01L31/0216 , H01L33/12 , H01L33/14 , B82Y30/00
Abstract: 本发明公开了一种混合价态锡基氧化物半导体材料的制备方法及应用，将四价锡盐和二价锡盐按照预设摩尔比例溶于水中，加入沉淀剂进行沉淀；进行离心分离和去离子水清洗；将产物置于水热反应装置中，加入矿化剂，并加水分散经水热反应得到锡基氧化物半导体材料纳米晶。所得的锡基氧化物半导体材料可以作为太阳能电池、发光二极管、光电探测器和场效应管等光电器件中的载流子传输层或者缓冲层，由于混合价态锡基氧化物组分可调，从而具有载流子迁移率、能带结构、透光率、导电性等半导体材料性能可调的优点，同时本发明制备方法工艺简单，反应条件温和，在光电器件领域对器件的灵活设计与性能优化有着明显的促进作用，有很大的工业化应用前景。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114220918B
公开(公告)日：2024-09-03
申请号：CN202111504532.5
申请日：2021-12-10
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明公开了一种改善卤化物钙钛矿薄膜质量的方法、薄膜及其应用，属于钙钛矿薄膜制备领域，方法包括：S1，制备卤化物钙钛矿薄膜；S2，将一种或多种吸湿盐溶于溶剂中，配置吸湿盐溶液；S3，将所述吸湿盐溶液涂覆在所述卤化物钙钛矿薄膜的表面，涂覆方式为旋涂、浸泡、刮涂、狭缝涂布、喷涂中的任一种，之后进行退火处理；S4，将退火处理后涂覆有吸湿盐的卤化物钙钛矿薄膜在设定温度、设定湿度的环境中放置设定时间，以增大钙钛矿晶粒的尺寸。通过对卤化物钙钛矿薄膜进行后处理，能够有效改善钙钛矿晶粒尺寸，提高晶粒结晶度，减少晶界，减少非辐射复合，从而提高电荷传输能力。
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公开(公告)号：CN110171842B
公开(公告)日：2021-08-31
申请号：CN201910306815.5
申请日：2019-04-17
Applicant: 华中科技大学
IPC: C01G19/02 , H01L31/0216 , H01L33/12 , H01L33/14 , B82Y30/00
Abstract: 本发明公开了一种混合价态锡基氧化物半导体材料的制备方法及应用，将四价锡盐和二价锡盐按照预设摩尔比例溶于水中，加入沉淀剂进行沉淀；进行离心分离和去离子水清洗；将产物置于水热反应装置中，加入矿化剂，并加水分散经水热反应得到锡基氧化物半导体材料纳米晶。所得的锡基氧化物半导体材料可以作为太阳能电池、发光二极管、光电探测器和场效应管等光电器件中的载流子传输层或者缓冲层，由于混合价态锡基氧化物组分可调，从而具有载流子迁移率、能带结构、透光率、导电性等半导体材料性能可调的优点，同时本发明制备方法工艺简单，反应条件温和，在光电器件领域对器件的灵活设计与性能优化有着明显的促进作用，有很大的工业化应用前景。
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公开(公告)号：CN114023887A
公开(公告)日：2022-02-08
申请号：CN202111274942.5
申请日：2021-10-29
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明属于半导体材料制备领域，具体涉及一种氧化锡电子浆料及其制备方法和应用，包括将氧化锡纳米颗粒与金属离子掺杂剂、溶剂、粘结剂混合并做分散处理，其中，所述氧化锡纳米颗粒与所述金属离子掺杂剂的摩尔比根据所需氧化锡电子浆料的电学性能确定；粘结剂用于粘结、造孔以及分散浆料；对分散处理后的混合物浓缩，得到所需氧化锡电子浆料。进一步通过涂布烧结得到氧化锡膜层，可以应用于太阳能电池、发光二极管和场效应晶体管等光电子器件中的载流子传输层或者缓冲层。本发明通过在浆料制备过程之中进行掺杂处理，可调节氧化锡膜层的半导体性能，以达到对器件性能的提升，并且工艺简单，条件易控，可批量制备，有着良好的应用前景。
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公开(公告)号：CN114220918A
公开(公告)日：2022-03-22
申请号：CN202111504532.5
申请日：2021-12-10
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明公开了一种改善卤化物钙钛矿薄膜质量的方法、薄膜及其应用，属于钙钛矿薄膜制备领域，方法包括：S1，制备卤化物钙钛矿薄膜；S2，将一种或多种吸湿盐溶于溶剂中，配置吸湿盐溶液；S3，将所述吸湿盐溶液涂覆在所述卤化物钙钛矿薄膜的表面，涂覆方式为旋涂、浸泡、刮涂、狭缝涂布、喷涂中的任一种，之后进行退火处理；S4，将退火处理后涂覆有吸湿盐的卤化物钙钛矿薄膜在设定温度、设定湿度的环境中放置设定时间，以增大钙钛矿晶粒的尺寸。通过对卤化物钙钛矿薄膜进行后处理，能够有效改善钙钛矿晶粒尺寸，提高晶粒结晶度，减少晶界，减少非辐射复合，从而提高电荷传输能力。
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公开(公告)号：CN114023887B
公开(公告)日：2024-12-13
申请号：CN202111274942.5
申请日：2021-10-29
Applicant: 华中科技大学
IPC: H10K71/12 , H10K71/15 , H10K30/88 , H10K50/844
Abstract: 本发明属于半导体材料制备领域，具体涉及一种氧化锡电子浆料及其制备方法和应用，包括将氧化锡纳米颗粒与金属离子掺杂剂、溶剂、粘结剂混合并做分散处理，其中，所述氧化锡纳米颗粒与所述金属离子掺杂剂的摩尔比根据所需氧化锡电子浆料的电学性能确定；粘结剂用于粘结、造孔以及分散浆料；对分散处理后的混合物浓缩，得到所需氧化锡电子浆料。进一步通过涂布烧结得到氧化锡膜层，可以应用于太阳能电池、发光二极管和场效应晶体管等光电子器件中的载流子传输层或者缓冲层。本发明通过在浆料制备过程之中进行掺杂处理，可调节氧化锡膜层的半导体性能，以达到对器件性能的提升，并且工艺简单，条件易控，可批量制备，有着良好的应用前景。
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