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公开(公告)号：CN120040091A
公开(公告)日：2025-05-27
申请号：CN202510201835.1
申请日：2025-02-24
Applicant: 华中科技大学鄂州工业技术研究院 , 华中科技大学
Abstract: 本申请涉及一种玻璃闪烁体及其制备方法与应用，属于闪烁体制备技术领域。所述方法包括：将季膦盐与三氯化锑进行混合，以在设定温度下进行加热融化，得到熔融态物质；将玻璃基体进行预热，以使所述玻璃基体的温度与所述熔融态物质的温度相同；将所述熔融态物质覆盖于预热后的所述玻璃基体的表面，得到玻璃闪烁体。该方法该制备方法利用高温下离子在熔融玻璃中的热均匀扩散，避免了耗时费力地去调控传统晶态闪烁体材料复杂的热力学和动力学过程，能够制备出分辨率不低于19.0lp/mm的X射线玻璃闪烁体材料。
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公开(公告)号：CN117966248A
公开(公告)日：2024-05-03
申请号：CN202311837663.4
申请日：2023-12-28
Applicant: 华中科技大学鄂州工业技术研究院 , 华中科技大学
IPC: C30B7/14
Abstract: 本申请涉及一种溶液法晶体生长的方法及其装置、晶体，所述方法包括：将置于补料区的第一前驱体溶液流入缓冲区进行缓冲，以使所述第一前驱体溶液的温度得到缓冲；将置于生长区的第二前驱体溶液进行晶体生长，且同时所述缓冲区中的第一前驱体溶液不断流入所述生长区，以及同时所述生长区的第二前驱体溶液中的生长完的溶液流入回收区，以使所述生长区的第二前驱体溶液中的晶体体系处于一致稳态中，得到形貌规整的晶体。本申请内容解决了现有溶液法晶体生长而导致晶体偏析的技术问题。
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公开(公告)号：CN117926422A
公开(公告)日：2024-04-26
申请号：CN202410089684.0
申请日：2024-01-23
Applicant: 华中科技大学鄂州工业技术研究院 , 华中科技大学
Abstract: 本申请涉及一种金属卤化物单晶及其制备方法、半导体材料、快中子直接探测器，所述金属卤化物单晶的化学式为(C10H26N2)4Pb3I14，所述金属卤化物单晶的晶体结构为零维结构，由有机阳离子(C10H26N2)2+和无机结构单元[Pb3I12]6‑组成，同时含有两个游离的I‑离子；其中，三个共面连接的Pb‑I八面体组成一个孤立的零维结构单元，(C10H26N2)2+位于任意两个无机结构单元[Pb3I12]6‑形成的空隙中。该金属卤化物材料由于其较高的氢原子密度而充当快中子敏感材料，同时充当产生电信号的半导体材料，可以将入射中子的能量转换为易于测量的电脉冲信号，进而实现直接探测。
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公开(公告)号：CN117843849A
公开(公告)日：2024-04-09
申请号：CN202410063494.1
申请日：2024-01-16
Applicant: 华中科技大学鄂州工业技术研究院 , 华中科技大学
IPC: C08F212/08 , C08F212/32 , C08F2/02 , C08F212/12 , G01T1/203
Abstract: 本发明公开了一种有机塑料闪烁体及其制备方法，所述制备方法包括以下步骤：称取塑料单体、闪烁物质和引发剂置于密闭瓶中；溶解密闭瓶中的物质并混合均匀；将所述密闭瓶中物质进行缓慢变温聚合反应，聚合反应完成后得到有机塑料闪烁体。本方法采用缓慢变温聚合法避免了传统溶剂挥发法制备过程中产生大量的气泡导致闪烁体出光性差的问题，保证了塑料闪烁体的高均匀性和高透明度。此外，本方法原料成本低、操作简单且低温可控，制备的塑料闪烁体性能优异，其具有大尺寸、高透明度、高均一性、短寿命和高光产额的优势，打破了传统闪烁体所遇到的瓶颈问题，在超快辐射探测领域展现了极大的应用潜力。
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公开(公告)号：CN118501922A
公开(公告)日：2024-08-16
申请号：CN202410575639.6
申请日：2024-05-10
Applicant: 华中科技大学鄂州工业技术研究院 , 华中科技大学
Abstract: 本申请涉及复合晶体材料技术领域，尤其涉及一种超快辐射探测用复合晶体及其制备方法；所述复合晶体包括基底晶体，以及覆盖在基底晶体表面的表层晶体，基底晶体为闪烁体材料，表层晶体包括二维钙钛矿单晶材料；通过以传统闪烁体作为基底，再在基底上通过原位生长覆盖上一层二维钙钛矿单晶材料，可以通过二维钙钛矿单晶材料改善传统闪烁体材料的缺陷，避免载流子输运过程中的缺陷俘获，实现复合晶体的高效率发光且较短的发光寿命，同时由于闪烁体的有效原子序数较高，因此可以提高复合晶体对辐射粒子的阻挡能力，因此该复合晶体可以实现高辐射粒子阻挡能力的同时兼具发光效率高和发光寿命短的优点。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117987928A
公开(公告)日：2024-05-07
申请号：CN202311820948.7
申请日：2023-12-27
Applicant: 华中科技大学鄂州工业技术研究院 , 华中科技大学
Abstract: 本申请涉及一种钙钛矿单晶及其制备方法、装置，所述钙钛矿单晶的分子式为APbX3，A为阳离子基团，X为卤素阴离子，所述方法包括：基于所述APbX3的化学配比获取原料；将所述原料与伽马戊内酯有机溶剂和第二有机溶剂进行混合，得到前驱体溶液；将所述前驱体溶液进行密封加热生长，得到钙钛矿单晶。本申请内容解决了现有伽马丁内酯用于晶体生长实验的安全性较差的技术问题。
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公开(公告)号：CN117987779A
公开(公告)日：2024-05-07
申请号：CN202311815826.9
申请日：2023-12-27
Applicant: 华中科技大学鄂州工业技术研究院 , 华中科技大学
Abstract: 本发明提供了一种柔性钙钛矿闪烁体厚膜的制备方法、闪烁体厚膜及装置，属于基本电器元件领域。所述方法包括：S1、在第一设定真空度下将全无机卤素钙钛矿加热至第一设定温度，并将柔性基底加热至第二设定温度，以使一部分所述全无机卤素钙钛矿生长在所述柔性基底上，得到种子层；S2、在第二设定真空度下将剩余部分所述全无机卤素钙钛矿加热至第三设定温度，并将所述种子层冷却至第四设定温度，以使剩余部分所述全无机卤素钙钛矿部分生长在所述种子层上；S3、多次重复步骤S2，以使剩余部分所述全无机卤素钙钛矿全部生长在所述种子层上，在所述种子层上形成自上而下的厚膜柱状晶，得到钙钛矿闪烁体厚膜。
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公开(公告)号：CN117947495A
公开(公告)日：2024-04-30
申请号：CN202410090268.2
申请日：2024-01-23
Applicant: 华中科技大学鄂州工业技术研究院 , 华中科技大学
Abstract: 本发明提供了一种Sb基快中子闪烁体材料的制备方法、闪烁体及中子探测器，属于辐射探测领域。所述方法包括：将有机膦盐与锑盐溶解于良溶剂中，后进行搅拌及过滤，得到前驱体溶液；将籽晶加入至所述前驱体溶液中，并进行加热，用以溶解所述籽晶表面的杂晶，得到含纯净籽晶的前驱体溶液；将反溶剂挥发扩散并溶解于含纯净籽晶的所述前驱体溶液中，以从含纯净籽晶的所述前驱体溶液中析出Sb基快中子闪烁体单晶材料。通过优化晶体生长方案，采用籽晶诱导且有加热溶解步骤，在保留籽晶的基础上溶解掉了溶液中更为细小的额外晶体，可以稳定获得大尺寸的高质量Sb基快中子闪烁体材料。
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公开(公告)号：CN117926386A
公开(公告)日：2024-04-26
申请号：CN202410059855.5
申请日：2024-01-16
Applicant: 华中科技大学鄂州工业技术研究院 , 华中科技大学
Abstract: 本发明提供了一种Mn基快中子闪烁体材料的制备方法、闪烁体及中子探测器，属于辐射探测领域。所述方法包括：将C19H18PCl与MnCl2溶解于良溶剂中，后进行搅拌，得到前驱体溶液；将反溶剂在设定温度和时间条件下挥发扩散并溶解于所述前驱体溶液中，以从所述前驱体溶液中析出(MePh3P)2MnCl4单晶材料；将所述(MePh3P)2MnCl4单晶材料研磨，得到粉体；以及将所述粉体压制成片，得到Mn基快中子闪烁体材料。通过反溶剂扩散法可以生长出高纯度的Mn基单晶材料，压制后即得到在基体中分布均匀、量子产率较高、稳定性较高、成本低以及可大面积制备的Mn基快中子闪烁体。
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公开(公告)号：CN117867658A
公开(公告)日：2024-04-12
申请号：CN202410039248.2
申请日：2024-01-11
Applicant: 华中科技大学鄂州工业技术研究院 , 华中科技大学
Abstract: 本发明提供了一维Bi基钙钛矿晶片的制备方法、晶片及X射线探测器，属于钙钛矿材料领域。将Bi2O3溶解于氢溴酸中，得到BiBr3溶液；将N,N,N,N‑四甲基‑1,6‑己二胺与氢溴酸混合，得到第一混合液；将所述第一混合液加入至所述BiBr3溶液中，得到含有不溶物的第二混合液；将含有不溶物的所述第二混合液进行纯化以及分离，得到(C10H26N2)BiBr5晶体；将所述(C10H26N2)BiBr5晶体研磨，得到粉体；将所述粉体压制成片，得到(C10H26N2)BiBr5钙钛矿晶片。从而解决了在满足无铅钙钛矿作为原料的基础上难以提升厚膜质量的技术问题，由此得到的Bi基钙钛矿晶片，具有良好的X射线探测性能。
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