-
公开(公告)号：CN111099555A
公开(公告)日：2020-05-05
申请号：CN201911303875.8
申请日：2019-12-17
Applicant: 北京航天控制仪器研究所
IPC: B81C1/00
Abstract: 本发明涉及一种适用于圆片级真空封装的玻璃腔体制造方法，对玻璃片进行一次清洗；在玻璃表面刻蚀形成第一图形；对玻璃片进行二次清洗；在玻璃表面淀积金属钨薄膜；将钨薄膜在第二步中的第一图形形成的浅槽内形成第二图形；在玻璃表面淀积复合金膜；在复合金膜上涂覆光刻胶，在金膜上进行光刻，形成腔体图案；用蓝膜将玻璃片无金膜面及有金膜面的边缘进行保护；将带有镂空图形的硅片与带有玻璃片腔体的玻璃片按照第二图形进行对准，形成用于圆片级真空封装的腔体内带有吸气剂薄膜的玻璃片。本发明采用厚光刻胶和金属膜组成复合掩膜，能够消除单层掩膜表面的缺陷和针孔对腐蚀的影响，减少玻璃腐蚀过程中的表面钻蚀。
-
公开(公告)号：CN108529550A
公开(公告)日：2018-09-14
申请号：CN201810401013.8
申请日：2018-04-28
Applicant: 北京航天控制仪器研究所
Abstract: 本发明涉及一种基于晶圆键合工艺的圆片级封装MEMS芯片结构及其制造方法，MEMS芯片包括衬底层、器件层、盖帽层三层结构，三层结构键合在一起，形成一个可供器件层上的梳齿微结构移动的空腔结构；衬底层上布有电极图形，并采用共面电极实现空腔结构内的器件层结构与空腔外电极焊盘的互联；在器件层与衬底的键合面上，具有阵列凹坑结构。并且在器件层的键合密封环上有贯通于密封腔内外的凹槽结构，凹槽结构在晶圆键合后将被键合介质与硅的共晶体所填充。该结构有助于提高金-硅键合强度，并能够有助于提高真空密封的真空度。在该结构的制造工艺中，使用气态HF对键合表面进行处理，去除表面的二氧化硅，保障金-硅键合强度的同时避免微结构的粘连。
-
公开(公告)号：CN108100991A
公开(公告)日：2018-06-01
申请号：CN201711220668.7
申请日：2017-11-29
Applicant: 北京航天控制仪器研究所
IPC: B81C99/00
Abstract: 本发明提供了一种MEMS空气流量计晶圆上芯片质量检测方法、装置及系统，涉及芯片设计领域。所述芯片质量检测方法，包括：发送测试控制指令以使电阻测试装置对待测晶圆上的一个芯片进行扫描测试；获取并存储扫描测试信息，所述扫描测试信息包括所述芯片上各电阻的电阻值；根据所述扫描测试信息与预设电阻范围进行比对，判断所述芯片质量是否合格；发送移动控制指令以使所述待测晶圆按预设路径运动，从而对所述待测晶圆上的下一个芯片进行扫描测试并根据扫描信息判断所述下一个芯片是否合格。本发明可全自动完成整个晶圆上所有芯片的连续测试，极大地提高了测试效率。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113371668B
公开(公告)日：2024-05-14
申请号：CN202110475798.5
申请日：2021-04-29
Applicant: 北京航天控制仪器研究所
Abstract: 本发明提供了一种MEMS加速度计低应力集成封装结构及方法，所述MEMS加速度计包括MEMS加速度计芯片、ASIC芯片、应力隔离框架、封装管壳和封装盖板；MEMS加速度计芯片，固定在封装管壳基底上；应力隔离框架为倒U型盖板，倒U型盖板与封装管壳底部相粘结，跨在MEMS加速度计芯片上，所述ASIC芯片粘结在应力隔离框架上表面，实现与MEMS加速度计芯片的隔离式堆叠布置；MEMS加速度计芯片的电极焊盘与对应的ASIC芯片电极焊盘互连，所述ASIC芯片的电极焊盘与对应的封装管壳上的焊盘进行金丝键合，实现MEMS器件的电气连接。本发明的封装方法不仅可以实现MEMS加速度计芯片与ASIC芯片的全集成封装，还可有效降低封装应力及后续环境参数改变导致的应力变化，提高环境适应性。
-
公开(公告)号：CN111115567B
公开(公告)日：2023-07-14
申请号：CN201911358919.7
申请日：2019-12-25
Applicant: 北京航天控制仪器研究所
IPC: B81C1/00
Abstract: 本发明公开了一种用于MEMS晶圆级封装的应力补偿方法，利用台阶仪测量已完成器件层加工的SOI片的挠曲程度，并根据SOI片挠曲程度在其背面生长相应的应力薄膜，将挠曲程度控制在‑5μm≤h2≤5μm；利用台阶仪测量已完成正面结构加工的衬底层硅片的挠曲程度，并根据衬底层硅片的挠曲程度在其背面生长相应的应力薄膜，将挠曲程度控制在‑5μm≤r2≤5μm；最后将平衡好两侧应力的SOI片和衬底层硅片键合在一起。本发明利用介质或金属薄膜的残余应力，对待键合片进行应力补偿，解决MEMS晶圆级键合封装工艺过程中晶圆挠曲过大导致的键合对准偏差大和键合强度低的问题。
-
公开(公告)号：CN113371668A
公开(公告)日：2021-09-10
申请号：CN202110475798.5
申请日：2021-04-29
Applicant: 北京航天控制仪器研究所
Abstract: 本发明提供了一种MEMS加速度计低应力集成封装结构及方法，所述MEMS加速度计包括MEMS加速度计芯片、ASIC芯片、应力隔离框架、封装管壳和封装盖板；MEMS加速度计芯片，固定在封装管壳基底上；应力隔离框架为倒U型盖板，倒U型盖板与封装管壳底部相粘结，跨在MEMS加速度计芯片上，所述ASIC芯片粘结在应力隔离框架上表面，实现与MEMS加速度计芯片的隔离式堆叠布置；MEMS加速度计芯片的电极焊盘与对应的ASIC芯片电极焊盘互连，所述ASIC芯片的电极焊盘与对应的封装管壳上的焊盘进行金丝键合，实现MEMS器件的电气连接。本发明的封装方法不仅可以实现MEMS加速度计芯片与ASIC芯片的全集成封装，还可有效降低封装应力及后续环境参数改变导致的应力变化，提高环境适应性。
-
公开(公告)号：CN112158797A
公开(公告)日：2021-01-01
申请号：CN202010880769.2
申请日：2020-08-27
Applicant: 北京航天控制仪器研究所
Abstract: 本发明公开了一种晶片键合过程中对准检测方法，包括：在上晶片非键合面制作上晶片辅助对准标记和上晶片主对准标记；在下晶片键合面制作下晶片辅助对准标记和下晶片主对准标记；利用主对准标记进行上下晶片的对准后上下晶片错开，露出下晶片辅助对准标记，测量露出的下晶片辅助对准标记与上晶片辅助对准标记的横纵向的位置偏差，计算出对准标记偏差，合理控制对准偏差范围。本发明可以加工出对准精度高的敏感芯片，实现非透明晶片键合前对准的定量测试，本发明能确保芯片的质量和成品率。
-
公开(公告)号：CN112048707A
公开(公告)日：2020-12-08
申请号：CN202010322657.5
申请日：2020-04-22
Applicant: 北京航天控制仪器研究所
Abstract: 一种薄膜图形化夹具工装及其应用方法，属于微电子机械加工技术领域。本发明方法包括如下步骤：制备硅基掩模；调整掩模翘曲使掩模调整为凹形；在掩模边缘制备固定切边；将掩模和基底对准，并在固定切边处将掩模和基底固定；将掩模和基底用薄膜图形化夹具工装固定，进行薄膜的沉积。通过该工装和技术方法，可不通过光刻工艺薄膜沉积的过程中即可实现薄膜图形化，同时避免了薄膜沉积过程中向图形外扩散、均匀性差等问题。
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
38
records
(took 0.037 seconds)
