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公开(公告)号：CN105780068A
公开(公告)日：2016-07-20
申请号：CN201410782121.6
申请日：2014-12-16
Applicant: 北京有色金属研究总院
Abstract: 本发明公开了一种单脉冲电沉积Ni-Fe合金磁性镀层的方法，在含有镍离子和铁离子的电镀液中，以可溶性镍铁合金为阳极，以经表面处理的铝合金为阴极，采用单脉冲电沉积法制备Ni-Fe合金镀层；其中，电沉积时间为1-4h，脉冲电流密度为3A/dm2，占空比分别为0.2、0.3、0.4或1，周期为1ms。该方法制得的Ni-Fe合金镀层表面光洁，结构紧密，结晶细致、均匀，平整性好，无裂纹，得到Fe含量稳定的Ni-Fe合金镀层，通过调整脉冲电镀参数，得到具有磁性能较好的磁性镀层，并在静磁场中具有一定的磁屏蔽效能。
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公开(公告)号：CN105499583A
公开(公告)日：2016-04-20
申请号：CN201510946812.X
申请日：2015-12-16
Applicant: 北京有色金属研究总院
IPC: B22F3/20
CPC classification number: B22F3/20
Abstract: 本发明公开了属于复合材料制备技术领域的一种B4C/Al复合材料板材的制备方法。所述制备方法的步骤为：原料粉末的混合、制备挤压初坯、板材挤压成型。用该方法制备的B4C/Al复合材料板材可以大幅度减少加工工序，提高原料利用率，降低生产成本。制备的B4C/Al复合材料板材具备较好的致密度，且力学性能和热中子吸收性能优良；抗拉强度可达280MPa，5mm厚的复合材料板材的热中子吸收率达90％以上。
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公开(公告)号：CN102486655B
公开(公告)日：2014-10-29
申请号：CN201010580804.5
申请日：2010-12-03
Applicant: 北京有色金属研究总院
IPC: G05D11/16 , C04B35/26 , C04B35/622
Abstract: 一种用于吸收高频腔高次模的铁氧体吸收器及其制备方法。采用的材料体系为Ni-Zn-Co尖晶石(S)型铁氧体，其分子化学式为：NixZn1-x-yCoyFe2O4，其中x为0.40～0.80，y为0.04～0.20。采用粉末固态反应法或管道式合成化学共沉淀法进行铁氧体粉体的批量制备。采用常规压制—烧结法制备铁氧体筒状坯体。采用精磨和切割工艺加工铁氧体块材。采用丝网印刷银浆及其后续烧渗工艺金属化银层。采用片状Sn-Ag合金焊料将铁氧体块材与高频腔腔体进行焊接。本发明实现铁氧体吸收器在470MHZ～1090MHz频段的吸波性能。同时，选用较低的焊接温度，避免了由于钎焊温度过高以及还原性气氛引起的铁氧体化学计量成分的变化，可有效防止铁氧体在焊接过程中性能的恶化。将该铁氧体吸收器应用于粒子加速器的高频腔中可深度抑制高次模场，提高腔中束流的稳定性。
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公开(公告)号：CN103171184A
公开(公告)日：2013-06-26
申请号：CN201110430786.7
申请日：2011-12-20
Applicant: 北京有色金属研究总院
Abstract: 一种低频强磁场屏蔽材料。这种屏蔽材料由单层或多层高电导率材料和铁磁性材料构成。屏蔽材料是高电导率材料和铁磁性材料分别按照不同的次序、层数及厚度等方式进行组合。在屏蔽材料制备过程中需对铁磁性材料进行热处理。考虑到高磁导率铁磁性材料在强磁场环境下易发生磁饱和现象，首先选用高抗磁饱和材料来初步减弱强磁场，然后采用高磁导率材料进一步屏蔽弱化后的磁场，在高抗磁饱和材料层和高磁导率材料层之间使用高电导率材料作为磁阻挡层，同时也具有部分屏蔽交变磁场的作用。本发明的屏蔽材料在厚度为0.2mm左右时，对10kHz～500kHz的低频强磁场的屏蔽效能达到了40dB，解决了在屏蔽材料允许厚度有限的条件下如何提高低频强磁场屏蔽效能是一个技术难题。
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公开(公告)号：CN101734922B
公开(公告)日：2012-07-25
申请号：CN200810227383.0
申请日：2008-11-27
Applicant: 北京有色金属研究总院
IPC: C23C14/35 , C04B35/581 , C04B41/88 , H01P1/22
Abstract: 本发明涉及一种微波衰减器材料及制备方法，特别涉及一种应用于真空条件下的绿色环保微波衰减器材料及制备技术，属于微波电子真空技术领域。本发明的高导热微波衰减器材料，包括金属相Mo或W：1.65～2.01vol.％(磁控溅射镀膜)；介质相AlN：93～96vol.％；烧结助剂CaF2：2～5vol.％。本发明的微波衰减器材料导热率高、气孔率低、机械强度高、均匀性及一致性高且无毒、无污染，此材料可以满足在较宽频段内，至少有20dB的反射衰减量。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101070145B
公开(公告)日：2011-05-18
申请号：CN200710100348.8
申请日：2007-06-08
Applicant: 北京有色金属研究总院
Abstract: 本发明公开了属于气体净化领域的一种吸气剂型的氩气净化器，此净化器包括两个装吸气剂的圆筒形金属壳、金属壳体内装吸气材料颗粒、每个吸气剂圆形腔体顶端与预抽真空的空间相连处装两个金属过滤网，防止在振动冲击条件下净化材料颗粒物的脱落并过滤氩气中的微小颗粒物。有通气和出气的管道、净化器与气瓶和真空机组相连的阀门。本发明采用两级净化方式净化惰性气体氩气，其净化效果好，使氩气中的活性杂质气体从几个~十几个ppm减少到ppb量级。该净化器使用Zr-V-Fe合金颗粒和改性5A分子筛混合作为净化材料，采用400～500℃保温40分钟的工艺对净化材料颗粒进行激活处理。在室温工作，减少能耗；不需要水冷，使用方便安全。
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公开(公告)号：CN101734922A
公开(公告)日：2010-06-16
申请号：CN200810227383.0
申请日：2008-11-27
Applicant: 北京有色金属研究总院
IPC: C04B35/581 , C04B41/88 , H01P1/22
Abstract: 本发明涉及一种微波衰减器材料及制备方法，特别涉及一种应用于真空条件下的绿色环保微波衰减器材料及制备技术，属于微波电子真空技术领域。本发明的高导热微波衰减器材料，包括金属相Mo或W：1.65～2.01vol.％(磁控溅射镀膜)；介质相AlN：93～96vol.％；烧结助剂CaF2：2～5vol.％。本发明的微波衰减器材料导热率高、气孔率低、机械强度高、均匀性及一致性高且无毒、无污染，此材料可以满足在较宽频段内，至少有20dB的反射衰减量。
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公开(公告)号：CN101325139A
公开(公告)日：2008-12-17
申请号：CN200810116163.0
申请日：2008-07-04
Applicant: 北京有色金属研究总院
Abstract: 本发明提供了一种根部带防掉粉装置的吸气元件的制备方法，属于真空吸气元件制备领域。首先将带双孔的陶瓷片洗净烘干；分别制备粘结剂、钛膏、吸气剂膏。取涂有三氧化二铝绝缘层的螺旋丝作为加热丝。用钛膏将陶瓷片单面均匀涂敷并通过两个小孔固定螺旋加热丝，真空烧结制成加热体。将吸气剂涂敷在带有陶瓷片的加热体上制成吸气元件坯件，将此坯件进行真空烧结，降温出炉制得引出端根部带防掉粉装置的吸气元件。本发明解决了陶瓷片与吸气剂的牢固结合技术，从而有效的用陶瓷片取代三氧化二铝的绝缘层，彻底解决了在振动条件下三氧化二铝的涂层脱落问题，使吸气元件整体强度增强，满足了特殊电真空器件对吸气元件强度性能的苛刻要求。
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公开(公告)号：CN101290851A
公开(公告)日：2008-10-22
申请号：CN200810114966.2
申请日：2008-06-13
Applicant: 北京有色金属研究总院
Abstract: 本发明提供了一种用粉末注射成型制备电真空吸气元件的方法，属于电真空吸气元件制造技术领域。制备工艺为：以Ti粉和Mo粉为原料在混料机上混合，将混合均匀的原料粉末与粘结剂按体积比混合并在混炼机上混炼，冷却后破碎成注射喂料，再进行注射成型，对注射成型的坯件采用二步脱脂工艺处理，先对注射成型坯件进行溶剂脱脂，再进行真空热脱脂，最终对脱脂后的坯件进行真空烧结，制备成真空吸气元件。本发明的优点在于：可以制备出形状复杂、尺寸精度高的吸气元件以满足各类电真空器件不同形状的空间对吸气元件复杂形状及尺寸精度的要求。产品孔径、孔隙度控制均匀，吸气元件的孔隙度可达到50％以上。
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公开(公告)号：CN1797806A
公开(公告)日：2006-07-05
申请号：CN200410102757.8
申请日：2004-12-28
Applicant: 北京有色金属研究总院
Abstract: 本发明涉及一种对氢气敏感的半导体传感器敏感元件及其制作方法，属半导体传感器气敏元件制造工艺技术领域。该制作方法的特征在于：采用射频溅射工艺在Si(100)片上制备n－SnO2－x薄膜层，再在二氧化锡层上制备Pd－Ni层，形成Pd－Ni/SnO2复合膜的气敏元件。本发明制备的Pd－Ni/SnO2复合膜气敏元件，可在常温环境下，大大提高对氢气的选择性和灵敏性。本发明可以提供一种制造工艺简便，价格低廉的半导体气敏元件的制作方法。
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