一种抗电子辐射屏蔽材料及其制备方法

    公开(公告)号:CN101748319A

    公开(公告)日:2010-06-23

    申请号:CN200810239845.0

    申请日:2008-12-19

    Abstract: 本发明涉及一种抗电子辐射屏蔽材料及其制备方法,所述抗电子屏蔽材料包括Mo或W作为高Z金属相,其量为15-35vol.%;AlN为低Z介质相,其量为85-65vol.%。本发明的抗电子辐射屏蔽材料是具有高的屏蔽效率、高导热率、绝缘的高能电子屏蔽材料,此材料具有比高原子序数金属(钽、钨、铅等)更高的屏蔽效率,可以使电子辐照沉积剂量降低两个数量级以上,并且不破坏元器件原有的散热条件,保证元器件工作时芯片的温度满足正常工作的要求。

    单脉冲电沉积Ni-Fe合金磁性镀层的方法

    公开(公告)号:CN105780068B

    公开(公告)日:2018-02-02

    申请号:CN201410782121.6

    申请日:2014-12-16

    Abstract: 本发明公开了一种单脉冲电沉积Ni‑Fe合金磁性镀层的方法,在含有镍离子和铁离子的电镀液中,以可溶性镍铁合金为阳极,以经表面处理的铝合金为阴极,采用单脉冲电沉积法制备Ni‑Fe合金镀层;其中,电沉积时间为1‑4h,脉冲电流密度为3A/dm2,占空比分别为0.2、0.3、0.4或1,周期为1ms。该方法制得的Ni‑Fe合金镀层表面光洁,结构紧密,结晶细致、均匀,平整性好,无裂纹,得到Fe含量稳定的Ni‑Fe合金镀层,通过调整脉冲电镀参数,得到具有磁性能较好的磁性镀层,并在静磁场中具有一定的磁屏蔽效能。

    一种高体积分数铝基复合材料的表面防腐处理方法

    公开(公告)号:CN105397092B

    公开(公告)日:2018-01-12

    申请号:CN201510779737.2

    申请日:2015-11-13

    Abstract: 本发明涉及一种高体积分数铝基复合材料的表面防腐处理方法,首先将铝基复合材料放入带有除气管的纯铝包套中,封焊纯铝包套,对纯铝包套内部抽真空后封口,然后采用热等静压实现纯铝包套和铝基复合材料的扩散粘接,再通过机加工去除除气管和纯铝包套表面氧化层,露出纯铝包套的新鲜表面,最后采用传统电镀工艺在新鲜表面电镀一层金属防腐层。本发明通过在材料表面扩散粘接一层铝,获得了良好的改性过渡层,该过渡层与复合材料能够达到冶金结合,具有良好的结合力,同时也为后续实施电镀金属防腐层提供了条件;本发明有效解决了高体积分数铝基复合材料因添加相含量较高导致的腐蚀防护难题,可实现高体积分数铝基复合材料在腐蚀环境下的可靠应用。

    一种含氢量可调的金属块体材料及其制备方法

    公开(公告)号:CN105734346A

    公开(公告)日:2016-07-06

    申请号:CN201410769376.9

    申请日:2014-12-12

    Abstract: 本发明公开了一种含氢量可调的金属块体材料及其制备方法。该材料由金属基体和金属氢化物复合而成,所述金属基体为铝或铝合金;所述金属氢化物为氢化锆或氢化钛;含有的金属氢化物的体积分数为2%~33%,含氢量为1000μg/g~10000μg/g。该材料的制备方法为粉末冶金法,通过等静压成型实现材料的致密化。本发明可精确调节金属块体材料的含氢量,制备的金属块体材料具有力学性能和耐久性良好且氢含量释放可控的特点,可用于氢含量测试标样和其它需要精确控制释放氢气气量的场合。

    一种高体积分数铝基复合材料的表面防腐处理方法

    公开(公告)号:CN105397092A

    公开(公告)日:2016-03-16

    申请号:CN201510779737.2

    申请日:2015-11-13

    Abstract: 本发明涉及一种高体积分数铝基复合材料的表面防腐处理方法,首先将铝基复合材料放入带有除气管的纯铝包套中,封焊纯铝包套,对纯铝包套内部抽真空后封口,然后采用热等静压实现纯铝包套和铝基复合材料的扩散粘接,再通过机加工去除除气管和纯铝包套表面氧化层,露出纯铝包套的新鲜表面,最后采用传统电镀工艺在新鲜表面电镀一层金属防腐层。本发明通过在材料表面扩散粘接一层铝,获得了良好的改性过渡层,该过渡层与复合材料能够达到冶金结合,具有良好的结合力,同时也为后续实施电镀金属防腐层提供了条件;本发明有效解决了高体积分数铝基复合材料因添加相含量较高导致的腐蚀防护难题,可实现高体积分数铝基复合材料在腐蚀环境下的可靠应用。

    一种镍锌铁氧体与无氧铜基板的焊接方法

    公开(公告)号:CN101658968B

    公开(公告)日:2011-09-07

    申请号:CN200910093251.8

    申请日:2009-09-23

    Abstract: 本发明公开了属于用于射频能量衰减等技术领域的一种镍锌铁氧体与无氧铜基板的焊接方法。首先将镍锌铁氧体在空气中进行烧渗银层使其金属化,形成10-20μm厚的过渡层,然后使用Sn-Ag合金焊料将镍锌铁氧体与无氧铜在真空下进行焊接,焊接温度为300-380℃。本发明的镍锌铁氧体与无氧铜基板的焊接方法避免了由于钎焊温度过高引起的铁氧体断裂以及铁氧体性能的恶化,从而解决了镍锌基铁氧体吸收器在制备中遇到的问题。此低温焊接方法可以扩展到其它铁氧体与无氧铜或不锈钢的焊接应用中,使其得到更为广泛的应用价值。

    一种磷化镓晶片双面抛光方法

    公开(公告)号:CN100522478C

    公开(公告)日:2009-08-05

    申请号:CN200610112513.7

    申请日:2006-08-22

    Abstract: 一种磷化镓晶片双面抛光方法,它包括以下步骤:(1)、清洗:在清洗液中超声清洗晶片,清洗温度在50-100℃之间;(2)、贴片;(3)、磷面抛光:将冷却后的抛光盘放于抛光布上,用抛光臂固定好抛光盘,在抛光压力为10-50psi,抛光液的流量为10-40ml/min,温度为5-25℃下进行抛光,厚度合格后冲水;(4)、去片、粘片及进行另一面抛光;(5)、清洗检验。本发明优点:方法简单实用,可操作性强,所使用的化学试剂低成本材料,不会对环境和人体造成危害,抛光成品率85%以上。通过该方法抛光所得磷化镓抛光晶片总厚度变化不大于6μm,翘曲度不大于25μm,晶面平整度不大于5μm,在相应光源下均未检测到沾污、雾、划道、颗粒、裂、橘皮、鸦爪等缺陷。

    一种碳化硼涂层的制备方法

    公开(公告)号:CN106733528B

    公开(公告)日:2020-08-28

    申请号:CN201611176380.X

    申请日:2016-12-19

    Abstract: 本发明属于表面工程技术领域,具体涉及一种碳化硼涂层的制备方法。本发明分级后的碳化硼粉末与环氧树脂浇注料混合制备浆料,并通过100目的丝网均匀刷涂在金属基材表面制备湿膜,固化后即在金属基材表面形成一层力学性能较好的碳化硼涂层。本发明所制备的碳化硼涂层厚度为180~220μm,与金属基材具有较好的结合力,可广泛应用于核工业和航空航天等领域。且本发明制备涂层工艺简单,适用于大面积、各种形状的金属基材。

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