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公开(公告)号：CN113704169B
公开(公告)日：2024-05-28
申请号：CN202110924960.7
申请日：2021-08-12
Applicant: 北京时代民芯科技有限公司 , 北京微电子技术研究所
IPC: G06F15/173
Abstract: 本发明公开了一种面向嵌入式的可配置众核处理器，包括：内部数据总线系统、事件总线系统、数据连接线、路由单元和处理器核；内部数据总线系统包括若干条横、纵向数据线；若干条横、纵向数据线横纵交错排列，形成N个交叉点，每个交叉点对应放置一个路由单元，相邻路由单元之间通过横向数据线或纵向数据线连接；事件总线系统包括：事件控制单元、事件总线和事件信号线；各处理器核与对应的路由单元之间通过数据连接线连接；各事件控制单元一方面与事件总线连接，另一方面通过事件信号线与对应的处理器核和路由单元连接。本发明可满足嵌入式、高实时性、芯片内部处理器核之间高同步性、芯片内部通信并行性和高吞吐量的需求。
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公开(公告)号：CN109581186B
公开(公告)日：2021-06-08
申请号：CN201811378257.5
申请日：2018-11-19
Applicant: 北京时代民芯科技有限公司 , 北京微电子技术研究所
IPC: G01R31/28
Abstract: 本发明公开了一种视觉信息处理电路的单粒子效应测试方法、装置、系统及电子设备，属于器件测试技术领域。所述方法包括辐照时，控制视觉信息处理电路的各功能模块依次运行，且在控制下一功能模块运行前，先判断当前功能模块功能是否正常；若是，则将当前功能模块的实际处理结果存储到存储模块中，并控制下一功能模块运行；若否，则记录一次功能错误，并返回初始步骤重新开始运行各功能模块；当各功能模块均运行完成后，将各功能模块的实际处理结果与标准处理结果比对，确定各功能模块的单粒子翻转错误数；根据功能错误数和单粒子翻转错误数，确定视觉信息处理电路的单粒子错误截面和错误率。本发明可提供各功能模块的单粒子翻转敏感性，覆盖全面。
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公开(公告)号：CN111008514A
公开(公告)日：2020-04-14
申请号：CN201911033483.4
申请日：2019-10-28
Applicant: 北京时代民芯科技有限公司 , 北京微电子技术研究所
IPC: G06F30/398
Abstract: 一种抗辐射加固模块级电路的仿真测试方法，将现有的商用软件仿真工具和自定义开发技术相结合，最大程度利用已有的辐射试验数据信息，统计区分具有相同库单元结构但功能不同电路的单粒子结果，定义关键因素和影响因子，运用数学统计的方法进行单粒子估计，以模型变量的形式反馈到商用软件仿真工具中，从而增加现有仿真工具的准确度。本发明方法在原有设计流程基础上，增加了抗辐射加固模块级电路单粒子敏感性分析、版图辐射加固设计规则检查、模块级电路单粒子软错误仿真验证环节，为抗辐射加固模块级电路的仿真验证提供参考。
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公开(公告)号：CN109581186A
公开(公告)日：2019-04-05
申请号：CN201811378257.5
申请日：2018-11-19
Applicant: 北京时代民芯科技有限公司 , 北京微电子技术研究所
IPC: G01R31/28
Abstract: 本发明公开了一种视觉信息处理电路的单粒子效应测试方法、装置、系统及电子设备，属于器件测试技术领域。所述方法包括辐照时，控制视觉信息处理电路的各功能模块依次运行，且在控制下一功能模块运行前，先判断当前功能模块功能是否正常；若是，则将当前功能模块的实际处理结果存储到存储模块中，并控制下一功能模块运行；若否，则记录一次功能错误，并返回初始步骤重新开始运行各功能模块；当各功能模块均运行完成后，将各功能模块的实际处理结果与标准处理结果比对，确定各功能模块的单粒子翻转错误数；根据功能错误数和单粒子翻转错误数，确定视觉信息处理电路的单粒子错误截面和错误率。本发明可提供各功能模块的单粒子翻转敏感性，覆盖全面。
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公开(公告)号：CN104991859B
公开(公告)日：2017-08-25
申请号：CN201510350697.X
申请日：2015-06-23
Applicant: 北京时代民芯科技有限公司 , 北京微电子技术研究所
IPC: G06F11/36
Abstract: 基于测试指令序列的单粒子敏感器件的敏感性预估方法，充分考虑了器件不同测试程序之间的差异性，提供了一种通用的计算器件不同应用程序下单粒子敏感性的途径。本发明方法通过单粒子试验获取电路敏感单元的静态单粒子翻转截面，采用对不同资源分别进行分析得到其在执行某测试程序的总执行时间中所占比例，即占空因子的大小，进而将不同敏感单元的静态单粒子翻转截面与对应的占空因子相乘并相加，得到电路的单粒子敏感性。本发明方法解决了不同测试程序对不同资源调用时间不同而引起的单粒子敏感性差异问题，只需要对电路进行少量的单粒子试验就可以预估不同应用程序下电路的单粒子敏感性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107025331A
公开(公告)日：2017-08-08
申请号：CN201710119527.X
申请日：2017-03-02
Applicant: 北京时代民芯科技有限公司 , 北京微电子技术研究所
Inventor： 赵元富 , 郑宏超 , 李哲 , 岳素格 , 王亮 , 李建成 , 陈茂鑫 , 喻贤坤 , 姜柯 , 于春青 , 王汉宁 , 刘琳 , 毕潇 , 杜守刚 , 王煌伟 , 赵旭 , 穆里隆 , 李继华 , 简贵胄 , 初飞 , 祝长民 , 王思聪 , 李月
IPC: G06F17/50
Abstract: 本发明公开了一种存储单元单粒子翻转功能传播率的计算方法及装置。该方法包括：获取仿真输入向量的仿真时间，并统计数字集成电路中预选单一种类的存储单元的数量；统计每个存储单元的单粒子翻转有效生存时间；根据所述单粒子翻转有效生存时间和所述仿真时间，计算每个存储单元的单粒子翻转功能传播率，所述单粒子翻转功能传播率为发生单粒子翻转的存储单元被捕获且传播的概率；利用每个存储单元的单粒子翻转功能传播率和所述数量，计算所述预选单一种类的存储单元的单粒子翻转功能传播率。本发明实现了区分和模拟单粒子翻转效应在不同种类存储单元中的产生、捕获、掩蔽及传导过程，提高集成电路级单粒子翻转效应的仿真准确度的目的。
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公开(公告)号：CN103680640B
公开(公告)日：2017-03-15
申请号：CN201310675790.9
申请日：2013-12-11
Applicant: 北京时代民芯科技有限公司 , 北京微电子技术研究所
IPC: G11C29/56
Abstract: 本发明一种存储器电路的激光模拟单粒子效应背辐照试验方法，包括如下步骤：1）将待测试电路板上粘结存储器芯片的位置镂空；2）将存储器电路测试样品固定放置在三维平移台上，驱动三维平移台，使由外部激光器出射的脉冲激光经透镜后聚焦到存储器芯片背面，并固定存储器电路测试样品在竖直方向上的位置；3）驱动三维平移台移动，对存储器电路测试样品在二维平面进行扫描；4）FPGA开发板监测存储器芯片的输入和输出，找出并记录因脉冲激光对存储器芯片造成的数据翻转而产生的数据错误以及错误数据地址。本发明可在没有红外相机的情况下精确定位发生错误的位置。
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公开(公告)号：CN104991859A
公开(公告)日：2015-10-21
申请号：CN201510350697.X
申请日：2015-06-23
Applicant: 北京时代民芯科技有限公司 , 北京微电子技术研究所
IPC: G06F11/36
Abstract: 基于测试指令序列的单粒子敏感器件的敏感性预估方法，充分考虑了器件不同测试程序之间的差异性，提供了一种通用的计算器件不同应用程序下单粒子敏感性的途径。本发明方法通过单粒子试验获取电路敏感单元的静态单粒子翻转截面，采用对不同资源分别进行分析得到其在执行某测试程序的总执行时间中所占比例，即占空因子的大小，进而将不同敏感单元的静态单粒子翻转截面与对应的占空因子相乘并相加，得到电路的单粒子敏感性。本发明方法解决了不同测试程序对不同资源调用时间不同而引起的单粒子敏感性差异问题，只需要对电路进行少量的单粒子试验就可以预估不同应用程序下电路的单粒子敏感性。
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公开(公告)号：CN103037020B
公开(公告)日：2015-07-08
申请号：CN201210548258.6
申请日：2012-12-11
Applicant: 北京时代民芯科技有限公司 , 北京微电子技术研究所
Abstract: 一种用于单粒子效应检测的多通道高速数据传输系统，包括辐照环境外的主控计算机、路由器、程控电源以及辐照环境内的试验电路板。主控计算机与程控电源、试验电路板均通过路由器连接，主控计算机控制程控电源向被辐照电路板提供工作电压及电源通断。多个路由器相连接组成多个高速数据传输通道，可通过TCP/IP协议与被辐照试验电路板的通讯，实现数据的高速传输。试验电路板包括网口协议芯片、可编程逻辑器件、受辐照电路，可编程逻辑器件移植有自带TCP/IP协议栈的UC/OS操作系统。试验电路板具有网口通讯能力，实现通过网线与主控计算机进行数据传输和通讯。本发明系统可以实现在一次单粒子试验中完成与多块被测器件的通讯。
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公开(公告)号：CN103680640A
公开(公告)日：2014-03-26
申请号：CN201310675790.9
申请日：2013-12-11
Applicant: 北京时代民芯科技有限公司 , 北京微电子技术研究所
IPC: G11C29/56
Abstract: 本发明一种存储器电路的激光模拟单粒子效应背辐照试验方法，包括如下步骤：1）将待测试电路板上粘结存储器芯片的位置镂空；2）将存储器电路测试样品固定放置在三维平移台上，驱动三维平移台，使由外部激光器出射的脉冲激光经透镜后聚焦到存储器芯片背面，并固定存储器电路测试样品在竖直方向上的位置；3）驱动三维平移台移动，对存储器电路测试样品在二维平面进行扫描；4）FPGA开发板监测存储器芯片的输入和输出，找出并记录因脉冲激光对存储器芯片造成的数据翻转而产生的数据错误以及错误数据地址。本发明可在没有红外相机的情况下精确定位发生错误的位置。
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