一种毫米波段非授权频谱的接入和波束赋形方法和装置

    公开(公告)号:CN112073973B

    公开(公告)日:2022-04-26

    申请号:CN202010769398.0

    申请日:2020-08-03

    Applicant: 北京大学

    Abstract: 本申请提供了一种毫米波段非授权频谱的接入和波束赋形方法和装置,旨在解决毫米波频段内非授权频段的共享问题,以及频率与空间资源的联合分配问题。所述方法包括:根据基站与蜂窝用户终端对非授权毫米波信道的信道检测,占用多个空闲非授权毫米波信道;对所有蜂窝用户终端接入信道的RF预编码器和数字预编码器进行迭代优化,得到目标RF预编码器和目标数字预编码器;根据蜂窝用户终端所在信道的目标RF预编码器和目标数字预编码器,获得该蜂窝用户终端可选接入的候选信道的各自总效用,将该蜂窝用户终端分配至总效用最高的信道,得到所有蜂窝用户终端的信道分配结果,蜂窝用户终端与WiGig用户终端共享分配结果中的非授权毫米波信道进行数据传输。

    一种毫米波段非授权频谱的接入和波束赋形方法和装置

    公开(公告)号:CN112073973A

    公开(公告)日:2020-12-11

    申请号:CN202010769398.0

    申请日:2020-08-03

    Applicant: 北京大学

    Abstract: 本申请提供了一种毫米波段非授权频谱的接入和波束赋形方法和装置,旨在解决毫米波频段内非授权频段的共享问题,以及频率与空间资源的联合分配问题。所述方法包括:根据基站与蜂窝用户终端对非授权毫米波信道的信道检测,占用多个空闲非授权毫米波信道;对所有蜂窝用户终端接入信道的RF预编码器和数字预编码器进行迭代优化,得到目标RF预编码器和目标数字预编码器;根据蜂窝用户终端所在信道的目标RF预编码器和目标数字预编码器,获得该蜂窝用户终端可选接入的候选信道的各自总效用,将该蜂窝用户终端分配至总效用最高的信道,得到所有蜂窝用户终端的信道分配结果,蜂窝用户终端与WiGig用户终端共享分配结果中的非授权毫米波信道进行数据传输。

    异构移动边缘计算网络中分层任务卸载的方法与系统

    公开(公告)号:CN111262944A

    公开(公告)日:2020-06-09

    申请号:CN202010066572.5

    申请日:2020-01-20

    Applicant: 北京大学

    Abstract: 本申请实施例涉及异构边缘计算网络技术领域,具体涉及一种异构移动边缘计算网络中分层任务卸载的设计方法、系统、存储介质及设备。所述方法包括:边缘设备、边缘服务器和云计算中心,所述边缘设备根据边缘服务器反馈的价格和本地计算的能耗判断是否卸载任务,所述边缘服务器根据云计算中心反馈的价格和本地计算的能耗判断是否卸载任务,所述云计算中心根据最小化整个计算网络的能耗调整价格,循环上述步骤,直至边缘设备的卸载策略、边缘服务器的决策策略以及云计算中心发布的计算资源的价格和罚金均稳定。本方法通过价格和罚金的机制实现了分布式系统中整个计算网络中能耗最小化,有效减少了整体能耗;罚金的设置降低了系统阻塞发生的概率。

    时分双工/时分多址信道规划帧编码方法

    公开(公告)号:CN103220115B

    公开(公告)日:2016-03-02

    申请号:CN201310163242.8

    申请日:2013-05-05

    Abstract: 本发明公开了一种时分双工/时分多址信道规划帧编码方法,主要解决现有信道规划帧编码效率不高的问题。其实现步骤是:首先,设置网络环境,确定网络中中心节点和从属节点的个数;其次,根据具体的时隙用途定义K种码字,其中包括K-1种用途码字和1种节点分隔符码字,并对这K种码字进行编码;然后,确定下一个规划周期中的时隙分配结果,并根据下一个规划周期中的时隙分配结果将用途码字放到规划帧中的相应位置;最后,插入节点分隔符码字,完成信道规划帧编码。本发明有效减小了规划帧编码长度,降低了规划帧在信道传输时的开销,提高了信道利用率,并且对设备要求低,可应用于各种采用时分双工/时分多址通信的局域网和接入网领域。

    一种横向双扩散场效应晶体管的制备方法

    公开(公告)号:CN101266930B

    公开(公告)日:2010-06-23

    申请号:CN200810103871.0

    申请日:2008-04-11

    Applicant: 北京大学

    Abstract: 本发明公开了一种横向双扩散场效应晶体管的制备方法,属于场效应晶体管的制备领域,该方法完全采用标准CMOS工艺来制备LDMOS的办法,仅仅需要通过如下版图设计来实现LDMOS,即定义有源区版以形成LDMOS器件的体引出区、源区、漏区、沟道区和漂移区,并定义栅区线条版;源区、栅区和漏区采用重掺杂注入版形成;漂移区位于漏区和沟道区之间;体区引出和源区一起接地;采用N阱的版图以形成N型LDMOS的低掺杂漂移区,或P阱的版图形成P型LDMOS的低掺杂漂移区;并采用硅化阻止版防止漂移区被硅化;源区、漏区和栅区设计和常规的MOS相同。本发明对于任何标准工艺均有效,最大程度的降低了成本,拓展了标准工艺制备特殊器件的能力。

    一种双鳍型沟道围栅场效应晶体管及其制备方法

    公开(公告)号:CN101060136A

    公开(公告)日:2007-10-24

    申请号:CN200710110402.7

    申请日:2007-06-05

    Applicant: 北京大学

    Abstract: 本发明提供了一种双鳍型沟道围栅场效应晶体,属于超大规模集成电路中的金属氧化物半导体场效应晶体管技术领域。该场效应晶体管基于体硅衬底,沟道被栅氧和多晶硅栅围绕、形成围栅结构,源和漏都与体硅衬底相连,沟道为两个完全相同的截面为长方形的鳍型Fin,形成双鳍型沟道;双鳍型沟道的正下方和体硅衬底之间有一层厚的二氧化硅绝缘层,形成双鳍型沟道即体在绝缘层上的结构。本发明在高性能、高速和低功耗逻辑电路应用中都有明显优势。本发明还提供了一种上述的场效应晶体管的制备方法,该方法不需要SOI衬底和高成本的外延工艺,可以减小衬底成本和工艺制备成本。

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