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公开(公告)号：CN119610655A
公开(公告)日：2025-03-14
申请号：CN202411615120.2
申请日：2024-11-13
Applicant: 中国航天科技创新研究院 , 北京大学
IPC: B29C64/171 , B29C64/379 , B33Y10/00 , B33Y40/20 , B33Y80/00
Abstract: 本发明公开了一种自锁可折叠的各向异性超结构、承载结构和成型产品，所述各向异性超结构中包括镜像对称的两个子单元，每个子单元具有折痕，折痕包括脊线和谷线，所述子单元通过脊线和谷线之间的连接部形成可折展的折叠结构。在本发明中利用超结构材料的各向异性特性，实现了新型的压缩折叠功能，当超结构材料受到压缩力时能够通过内部子单元的不对称折叠和伸展，产生自锁效应，从而在不增加额外固定件的情况下，实现结构的稳固支撑，通过利用可折叠的各向异性超结构材料的自锁性能不仅提高了结构的稳定性，还大大增强了其在承载外部物体时的可靠性。
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公开(公告)号：CN114899224A
公开(公告)日：2022-08-12
申请号：CN202210411896.7
申请日：2022-04-19
Applicant: 北京大学深圳研究生院
IPC: H01L29/24 , H01L29/786 , H01L29/872 , H01L29/812 , H01L21/02
Abstract: 一种异质结结构、半导体器件结构及其制造方法，其方法中通过在两种半导体有源层之间形成中间结构层材料，中间结构层材料一方面使得阻挡两种半导体有源层之间的金属元素的扩散，另一方面中间结构层材料的能带对于电子具有较低的势垒，使得电子在两种半导体有源层之间能够发生自由迁移或者大量隧穿，从而使得第一有源层和第二有源层之间能够形成较理想的异质结界面，获得更深的异质结势阱。形成更为理想的半导体异质结，使得真正利用和发挥异质结在金属氧化物半导体器件中的性能优势。提升了现有的高迁移率高稳定性的晶体管或高耐压性的二极管等器件的性能。
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公开(公告)号：CN111770473B
公开(公告)日：2021-06-22
申请号：CN202010591485.1
申请日：2020-06-24
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明提供了一种蜂窝车联网的非授权频谱接入与载波聚合方法、装置、电子设备及存储介质。所述方法包括：检测当前小区内的非授权信道，接收多个第一车联网终端发送的检测结果，并筛选得到多个目标非授权信道，并确定每个目标非授权信道的用户群，将每个目标非授权信道分别聚合到其对应的用户群中的每个第一车联网终端的原始信道上，根据每个目标非授权信道的用户子群中的每个第一车联网终端在对应的时频资源上的效用大小，得到每个目标非授权信道的时频资源分配策略。通过本发明提供的方法，能够将非授权信道聚合到蜂窝控制的车辆用户的原始信道上，从而增大网络可承载的蜂窝控制的车辆用户数量，减小对VANET用户的干扰。
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公开(公告)号：CN109507072A
公开(公告)日：2019-03-22
申请号：CN201811376291.9
申请日：2018-11-19
Applicant: 北京大学
IPC: G01N15/06
CPC classification number: G01N15/06 , G01N2015/0693
Abstract: 本发明公开了一种细颗粒物湍流通量测量方法。本发明通过提高消光系数测量仪的采样频率，得到高频的气溶胶的散射消光系数，并在低能见度的条件下，依据细颗粒物的质量浓度与能见度之间存在近似的幂指数关系，利用瞬时的能见度脉动得到细颗粒物的质量浓度脉动，结合超声风温仪测量得到垂直速度脉动，得到细颗粒物湍流通量；本发明由消光系数脉动反算细颗粒物的质量浓度脉动，最后利用涡动相关法求出细颗粒物湍流通量，首次解决了细颗粒物的质量浓度脉动及其湍流通量的获取问题，为预报模式提供基础；并且操作简单，可实施性强，可与现有水热通量观测系统配套，也可单独构成观测系统，观测数据处理成熟。
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公开(公告)号：CN103220115A
公开(公告)日：2013-07-24
申请号：CN201310163242.8
申请日：2013-05-05
Applicant: 西安电子科技大学 , 北京大学 , 北京三梯通网络技术有限公司 , 北京翰诺科技有限公司
Abstract: 本发明公开了一种时分双工/时分多址信道规划帧编码方法，主要解决现有信道规划帧编码效率不高的问题。其实现步骤是：首先，设置网络环境，确定网络中中心节点和从属节点的个数；其次，根据具体的时隙用途定义K种码字，其中包括K-1种用途码字和1种节点分隔符码字，并对这K种码字进行编码；然后，确定下一个规划周期中的时隙分配结果，并根据下一个规划周期中的时隙分配结果将用途码字放到规划帧中的相应位置；最后，插入节点分隔符码字，完成信道规划帧编码。本发明有效减小了规划帧编码长度，降低了规划帧在信道传输时的开销，提高了信道利用率，并且对设备要求低，可应用于各种采用时分双工/时分多址通信的局域网和接入网领域。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101266972A
公开(公告)日：2008-09-17
申请号：CN200810104595.X
申请日：2008-04-22
Applicant: 北京大学
IPC: H01L27/02 , H01L29/78 , H01L21/762
Abstract: 本发明公开了一种提高MOSFET抗单粒子辐照的方法及一种MOSFET器件，属于场效应晶体管技术领域。在本发明MOSFET器件中，STI区沟槽侧壁与器件有源区上表面的锐夹角定义为，器件抗单粒子辐照所引起微剂量效应的角度，该角度取值在78至86度之间。采用本发明所述的MOSFET器件结构，可以很好的抑制单粒子辐照所引起的微剂量效应，使得由单粒子辐照导致的器件的关态漏电流比传统结构降低一个数量级。并且本发明所述结构实现工艺简单，和传统CMOS工艺完全兼容，可以在提高器件抗单粒子辐照效应能力的同时大大降低制造成本。
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公开(公告)号：CN101266930A
公开(公告)日：2008-09-17
申请号：CN200810103871.0
申请日：2008-04-11
Applicant: 北京大学
IPC: H01L21/336
Abstract: 本发明公开了一种横向双扩散场效应晶体管的制备方法，属于场效应晶体管的制备领域，该方法完全采用标准CMOS工艺来制备LDMOS的办法，仅仅需要通过如下版图设计来实现LDMOS，即定义有源区版以形成LDMOS器件的体引出区、源区、漏区、沟道区和漂移区，并定义栅区线条版；源区、栅区和漏区采用重掺杂注入版形成；漂移区位于漏区和沟道区之间；体区引出和源区一起接地；采用N阱的版图以形成N型LDMOS的低掺杂漂移区，或P阱的版图形成P型LDMOS的低掺杂漂移区；并采用硅化阻止版防止漂移区被硅化；源区、漏区和栅区设计和常规的MOS相同。本发明对于任何标准工艺均有效，最大程度的降低了成本，拓展了标准工艺制备特殊器件的能力。
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公开(公告)号：CN101257047A
公开(公告)日：2008-09-03
申请号：CN200810103337.X
申请日：2008-04-03
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种耐高压的横向双扩散MOS晶体管，属于微电子半导体器件领域。该器件包括栅区、源区、漏区、体区、栅介质以及漂移区，所述漂移区位于体区和漏区之间，掺杂类型与体区相反，在所述漂移区内设有一绝缘介质区和一与漂移区掺杂类型相反的掺杂区，并且，所述掺杂区的掺杂浓度要比漂移区的掺杂浓度高，所述掺杂区靠近体区，而所述绝缘介质区靠近漏区。由于在漂移区中同时引入绝缘介质区和掺杂区，有利于降低漂移区的有效深度，使电场更均匀，并且增大了漂移区的等效长度，本发明横向双扩散MOS晶体管器件的耐高电压特性好。
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公开(公告)号：CN117963162A
公开(公告)日：2024-05-03
申请号：CN202410170135.6
申请日：2024-02-06
Applicant: 中国航天科技创新研究院 , 北京大学
IPC: B64G1/22
Abstract: 本发明公开了一种高折展比的折展机构、折展装置及其卫星平台，包括主动连杆折展机构和从动连杆折展机构，主动连杆折展机构包括转动连接的上、下摇杆，下摇杆设置有用于提供原动力的热致变形旋转驱动关节，热致变形旋转驱动关节固定于下主动杆固定块，从动连杆折展机构包括转动连接的上、下从动杆，上主动杆固定块与上顶板固定连接，下主动杆固定块与下底板相连。本发明结构简单可靠、整体可压缩折叠、具有较高的折展比高，同时整个结构对驱动关节的转角要求较低，有效解决了形状记忆合金驱动机构大变形与高承载的矛盾问题，满足了卫星高折展比骨架机构运载过程中整体可极致压缩、部署后可在轨展开的需求。
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公开(公告)号：CN113296953B
公开(公告)日：2022-02-15
申请号：CN202110622828.0
申请日：2021-06-04
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明涉及云边端异构边缘计算网络的分布式计算架构、方法与装置，所述方法包括：确定能耗模型；所述能耗模型包括：边缘设备模型、边缘服务器模型以及云计算中心模型；基于所述能耗模型构建目标函数；确定限制条件；将所述目标函数和所述限制条件规范化；将所述规范化后的目标函数进行分组，直至每个组内只包含一个目标函数和一个对应变量；对每个变量进行更新，直至收敛，得到最优计算卸载比例。本发明中的上述方法能够得到最优的网络计算卸载比例，最小化网络能耗。
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