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公开(公告)号：CN113186595B
公开(公告)日：2022-06-03
申请号：CN202110372541.7
申请日：2021-04-07
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明提供了一种大尺寸具有层间转角的二维单晶材料叠层的制备方法，涉及转角石墨烯及其它具有特定转角的二维单晶叠层制备方法。其主要特征为将单晶衬底进行堆叠并旋转特定角度，并在其表面外延二维单晶材料，随后将上下层二维单晶材料进行帖合，除去表面一层单晶衬底即可获得具有特定转角的二维单晶叠层。本发明提出的方法，解决了制备转角二维叠层时界面不洁净、叠层尺寸小、操作复杂等问题。通过非常简单的方法，实现了转角可控的大尺寸二维单晶叠层的快速制备。
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Patent Agency Ranking
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公开(公告)号：CN110554455B
公开(公告)日：2020-06-09
申请号：CN201910772550.8
申请日：2019-08-21
Applicant: 北京大学
IPC: G02B6/02 , G02B1/00 , G02F1/355 , C03C25/42 , C03C25/223 , C03C25/106
Abstract: 本发明涉及一种快速制备过渡金属硫族化合物复合光纤材料的方法。所述制备方法为：采用钼酸或者钨酸钠/钾盐溶液对光纤进行浸润处理后再低压高温条件下将高质量的单层或者少层过渡金属硫族化合物直接沉积到光纤中心空气孔道内壁或者光子晶体光纤包层空气孔及纤芯空气孔道内壁上。光纤材质为石英或者石英聚合物。结合过渡金属硫族化合物优异的光学、电学性能与光纤光子结构的特点，实现二维TMDC材料与光纤的多功能集成。该方法具有成本低，制备方法简单，生长周期短，过渡金属硫族化合物层数可控的特点。制备出的过渡金属硫族化合物复合光纤在光通讯，传感和新型光器件领域具有潜在的应用。
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公开(公告)号：CN108982374B
公开(公告)日：2020-05-05
申请号：CN201810676430.3
申请日：2018-06-27
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明提供了一种测量一维材料复极化率的装置及方法。所述方法分别利用左‑(右‑)旋椭圆偏振光与一维材料散射光的干涉，在两组结果中复极化率实部(虚部)贡献相反(相同)，从而定量测量一维材料的复极化率。所述装置包括光源、第一偏振片、1/4波片、第一保偏镜头、被测一维材料样品、第二保偏镜头、第二偏振片和光谱仪。或者，所述装置包括光源、第一偏振片、1/4波片、分光镜、保偏镜头、被测一维材料样品、第二偏振片、反射镜和光谱仪。本发明首次实现了对一维材料复极化率的测量，具有测量速度快、测量频带广(1.6eV‑2.7eV)、不破坏被测样品、操作简单、设备易得等特点。
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公开(公告)号：CN109837587A
公开(公告)日：2019-06-04
申请号：CN201810493951.5
申请日：2018-05-22
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明提供了一种元素辅助快速制备大尺寸单晶二维材料的方法，涉及单晶石墨烯及其它二维材料的制备方法。其主要特征为用金属箔片作为催化剂及生长基底，用含特定元素的衬底与金属箔片紧密接触，然后利用常压化学气相沉积法，快速获得大尺寸高质量单晶石墨烯及其它二维材料。本发明提出的方法，解决了CVD方法制备大尺寸单晶二维材料生长周期长的技术问题，通过非常简单的方法，实现了极其快速地制备出高质量大尺寸的单晶石墨烯及其它二维单晶样品。
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公开(公告)号：CN100356395C
公开(公告)日：2007-12-19
申请号：CN200510076695.2
申请日：2005-06-13
Applicant: 北京北大方正电子有限公司 , 北京大学
Abstract: 本发明属于打印控制技术领域，具体涉及一种能够避免打印越界错误的打印控制方法。现有打印技术中，在确定页面中段的光栅化顺序主要采用局部调度和多任务的方法。而本发明所述的打印控制方法，采用全局调度，考虑充分重用页面中段的光栅化数据占用的缓存，以达到在有限的打印内存情况下避免打印越界错误的目的。采用本发明所述的方法能避免打印越界错误的发生，减少打印时的页面预光栅化时间，从而大大提高打印的效率。
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