-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113186595A
公开(公告)日：2021-07-30
申请号：CN202110372541.7
申请日：2021-04-07
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明提供了一种大尺寸具有层间转角的二维单晶材料叠层的制备方法，涉及转角石墨烯及其它具有特定转角的二维单晶叠层制备方法。其主要特征为将单晶衬底进行堆叠并旋转特定角度，并在其表面外延二维单晶材料，随后将上下层二维单晶材料进行帖合，除去表面一层单晶衬底即可获得具有特定转角的二维单晶叠层。本发明提出的方法，解决了制备转角二维叠层时界面不洁净、叠层尺寸小、操作复杂等问题。通过非常简单的方法，实现了转角可控的大尺寸二维单晶叠层的快速制备。
-
公开(公告)号：CN112875659A
公开(公告)日：2021-06-01
申请号：CN202110263621.9
申请日：2021-03-11
Applicant: 北京大学
IPC: C01B21/064
Abstract: 本发明提供了一种原位实现六方氮化硼均匀氟掺杂的方法，涉及六方氮化硼的制备以及对其进行元素掺杂的方法。本方法采用含氟化合物作为前驱体，在其下游位置放置金属箔片作为生长基底，然后利用化学气相沉积法，快速获得均匀氟掺杂的六方氮化硼。本发明提出的方法，通过简单、快速、无损的手段，原位实现了高质量、均匀氟掺杂的六方氮化硼样品。
-
公开(公告)号：CN113186595B
公开(公告)日：2022-06-03
申请号：CN202110372541.7
申请日：2021-04-07
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明提供了一种大尺寸具有层间转角的二维单晶材料叠层的制备方法，涉及转角石墨烯及其它具有特定转角的二维单晶叠层制备方法。其主要特征为将单晶衬底进行堆叠并旋转特定角度，并在其表面外延二维单晶材料，随后将上下层二维单晶材料进行帖合，除去表面一层单晶衬底即可获得具有特定转角的二维单晶叠层。本发明提出的方法，解决了制备转角二维叠层时界面不洁净、叠层尺寸小、操作复杂等问题。通过非常简单的方法，实现了转角可控的大尺寸二维单晶叠层的快速制备。
-
公开(公告)号：CN110010449B
公开(公告)日：2020-12-29
申请号：CN201910283426.5
申请日：2019-04-10
Applicant: 北京大学
IPC: H01L21/04 , H01L21/205 , H01L21/363 , H01L21/365
Abstract: 本发明提供了一种高效制备一维碳纳米管/二维过渡金属硫族化合物异质结的方法，所述二维过渡金属硫族化合物包含二硫化钼、二硒化钼、二硫化钨等所有过渡金属硫族化合物。利用氢气或水蒸气高温退火去除碳纳米管上的无定形碳等杂质，并在此基础上顺序生长二维过渡金属硫族化合物，得到一维碳纳米管/二维过渡金属硫族化合物异质结。本发明提出的方法，通过非常简单的操作，即可控制制备具有洁净界面与有效接触的一维碳纳米管/二维过渡金属硫族化合物异质结。
-
公开(公告)号：CN110010449A
公开(公告)日：2019-07-12
申请号：CN201910283426.5
申请日：2019-04-10
Applicant: 北京大学
IPC: H01L21/04 , H01L21/205 , H01L21/363 , H01L21/365
Abstract: 本发明提供了一种高效制备一维碳纳米管/二维过渡金属硫族化合物异质结的方法，所述二维过渡金属硫族化合物包含二硫化钼、二硒化钼、二硫化钨等所有过渡金属硫族化合物。利用氢气或水蒸气高温退火去除碳纳米管上的无定形碳等杂质，并在此基础上顺序生长二维过渡金属硫族化合物，得到一维碳纳米管/二维过渡金属硫族化合物异质结。本发明提出的方法，通过非常简单的操作，即可控制制备具有洁净界面与有效接触的一维碳纳米管/二维过渡金属硫族化合物异质结。
-
-
-
-
Search Results
5
records
(took 0.01 seconds)
