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公开(公告)号：CN114583553A
公开(公告)日：2022-06-03
申请号：CN202210192256.1
申请日：2022-03-01
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明提供了一种钙钛矿薄膜转移制备垂直腔激光器的方法，属于激光器技术领域。本发明利用亲水柔性衬底对钙钛矿多晶薄膜进行物理机械转移，转移薄膜面积大、平整度高，能够增加DBR反射镜衬底间钙钛矿多晶薄膜的厚度，从而增大垂直腔激光器的腔长。本发明采用亲水柔性衬底对钙钛矿多晶薄膜进行物理机械转移的方法，不会改变其表面形貌和光学性质，不额外引入光学损耗，能够解决低溶解度钙钛矿由于薄膜厚度太小不足以满足光学谐振腔长度的问题，拓展了其在激光器领域的应用。同时，本发明提供的方法操作简单，成本低，易于实现工业化批量生产。
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公开(公告)号：CN107731649A
公开(公告)日：2018-02-23
申请号：CN201710991602.1
申请日：2017-10-23
Applicant: 北京大学
IPC: H01J37/32
CPC classification number: H01J37/32412 , H01J37/32458 , H01J37/32522 , H01J37/32715 , H01J37/32853 , H01J37/32908
Abstract: 本发明公布了一种多功能半导体掺杂装置，兼容等离子体激励非高温扩散掺杂和等离子体浸没离子注入掺杂两种功能。该装置在真空腔室顶部设置等离子体发生单元和等离子体耦合窗口，窗口下为由上下板构成的平行板等离子体腔，其间设可移动的中板；三板的暴露表面沉积掺杂杂质层；真空腔室内表面和支架表面覆盖双层内衬材料，内层为绝缘层，外层为防沾污层，且防沾污层连接提供正偏压的直流低电压源；中板连接提供负偏压的直流高电压源，下板为地电位。进行扩散掺杂时，移出中板，待掺杂半导体置于下板上，而进行离子注入掺杂时，移入中板，待掺杂半导体置于中板上。该装置不仅最大限度降低了非掺杂杂质的沾污，还能灵活实现两种掺杂功能的互换。
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公开(公告)号：CN103812001A
公开(公告)日：2014-05-21
申请号：CN201410010627.5
申请日：2014-01-09
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种利用二次曝光技术制备多波长硅基混合激光器阵列的方法。本方法为：1）利用二次曝光技术在SOI片的硅层上制备出所需光栅；2）在SOI片的硅层上垂直于光栅的方向制备出多个宽度不同的硅波导，得到一硅波导阵列；3）在SOI片上，每一硅波导及其两侧设定区域外沉积金属层作为键合区；4）制备多量子阱光增益结构阵列；5）以多量子阱光增益结构阵列中最接近光增益区的面为键合面，将多量子阱光增益结构阵列中的光增益区与硅波导阵列中对应硅波导的光耦合区对准、键合，得到多波长硅基混合激光器阵列。本发明具有工艺简单、成熟，低成本，高可靠性的优点。
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公开(公告)号：CN103515842A
公开(公告)日：2014-01-15
申请号：CN201310471034.4
申请日：2013-10-10
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种纳米压印制备多波长硅基混合激光器阵列的方法。本方法为：1）利用纳米压印技术在SOI片的硅层上制备出具有多波长光栅结构的硅波导阵列图形；2）利用刻蚀技术在SOI片的硅层上制备出具有多波长光栅结构的硅波导阵列；3）选取或制备一多量子阱光增益结构阵列；4）以多量子阱光增益结构阵列中最接近光增益区的面为键合面，将多量子阱光增益结构阵列中的每个光增益区与SOI片上的硅波导阵列中的每个硅波导光耦合区对准、键合，得到多波长硅基混合激光器阵列。本发明具有工艺简单，成本低，周期短，能大面积、大规模生产，并且能够在较大的范围内调节输出波长等优点。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102244367A
公开(公告)日：2011-11-16
申请号：CN201110140205.6
申请日：2011-05-27
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种选区聚合物键合硅基混合激光器及其制备方法，属于硅基光电子器件领域。本激光器包括刻蚀有键合区和光耦合区的SOI层；SOI层上设有一多区层，多区层从左到右依次为键合用聚合物、硅阻挡墙、空气隙、硅波导、空气隙、硅阻挡墙、键合用聚合物；多区层上设有n型III-V族材料层；n型III-V族材料层上与硅波导对应部位设有一多层结构，多层结构从下至上依次为第一SCH层、MQW层、第二SCH层、p型III-V族材料层、p型腐蚀阻挡层、p型欧盟接触层；在n型III-V族材料层上多层结构左右两侧分别有一n型III-V族材料的欧姆接触层。本激光器可作为硅基光源应用于单片硅基光电集成，易于制备、成本低。
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公开(公告)号：CN101894915A
公开(公告)日：2010-11-24
申请号：CN200910084618.X
申请日：2009-05-22
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种硅基有机电致发光器件及其制备方法，该器件的阳极是一含产生中心的n-Si薄膜电极。在衬底上直接溅射n-Si超薄层，或者沉积一导电薄层后再溅射n-Si超薄层，然后通过金属诱导晶化形成n-Si薄膜，随后在其中引入产生中心，用这种含有产生中心的n-Si薄膜作为OLED阳极，通过调整产生中心的浓度来调整空穴注入电流的大小以匹配电子注入电流，提高了硅基电致发光效率，同时减少了硅的用量，降低了器件生产成本，从而使硅基有机电致发光器件更适合产业化。
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公开(公告)号：CN100440567C
公开(公告)日：2008-12-03
申请号：CN200510077056.8
申请日：2005-06-15
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种顶出光电极及其制备方法。本发明所提供的顶出光电极，包括衬底和位于衬底上的有机发光层，其中，有机发光层上设有稀土元素层，在稀土元素层上还设有该稀土元素与Au或Ag的复合层。本发明用低功稀土元素/低功稀土元素：Au或Ag复合层作为顶出光电极的上电极材料，可以兼顾透光率、稳定性和低成本等要素，该电极可以用普通的真空蒸镀方法来完成，制备方法简单；而外层的低功稀土元素：Au或Ag复合层导致的光吸收和光反射都较Ag层小，且不易被氧化，从而较好保证了器件的电稳定性和发光稳定性，同时又有较好的防止水汽透入有机层的作用。本发明的顶出光电极可广泛应用于无机薄膜、半导体发光，光电器件和光探测器等方面。
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公开(公告)号：CN100399865C
公开(公告)日：2008-07-02
申请号：CN200410056832.1
申请日：2004-08-23
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种顶出光电极及其制备方法。本发明所提供的顶出光电极，包括衬底和位于衬底上的有机发光层，所述有机发光层上设有厚度为5—40nm的稀土元素层，在所述稀土元素层上设有厚度为10—15nm的Au层。本发明用低功稀土/Au复合层或CsF/低功稀土/Au复合层作为顶出光电极的上电极材料，可以兼顾透光率、稳定性和低成本等要素。与采用Al/Ag或Al/Au作顶电极的器件相比，本发明电极发光效率提高6—8倍，而外层的Au膜导致的光吸收和光反射都较Ag膜小，且不会被氧化，从而较好保证了器件的电稳定性和发光稳定性，同时又有较好的防止水汽透入有机层的作用。本发明的顶出光电极在无机薄膜和半导体发光，以及光电器件和光探测器等方面有广阔的应用前景。
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公开(公告)号：CN1881645A
公开(公告)日：2006-12-20
申请号：CN200510077056.8
申请日：2005-06-15
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种顶出光电极及其制备方法。本发明所提供的顶出光电极，包括衬底和位于衬底上的有机发光层，其中，有机发光层上设有稀土元素层，在稀土元素层上还设有该稀土元素与Au或Ag的复合层。本发明用低功稀土元素/低功稀土元素：Au或Ag复合层作为顶出光电极的上电极材料，可以兼顾透光率、稳定性和低成本等要素，该电极可以用普通的真空蒸镀方法(10－5托)来完成，制备方法简单；而外层的低功稀土元素：Au或Ag复合层导致的光吸收和光反射都较Ag层小，且不易被氧化，从而较好保证了器件的电稳定性和发光稳定性，同时又有较好的防止水汽透入有机层的作用。本发明的顶出光电极可广泛应用于无机薄膜、半导体发光，光电器件和光探测器等方面。
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