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公开(公告)号：CN103812001A
公开(公告)日：2014-05-21
申请号：CN201410010627.5
申请日：2014-01-09
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种利用二次曝光技术制备多波长硅基混合激光器阵列的方法。本方法为：1）利用二次曝光技术在SOI片的硅层上制备出所需光栅；2）在SOI片的硅层上垂直于光栅的方向制备出多个宽度不同的硅波导，得到一硅波导阵列；3）在SOI片上，每一硅波导及其两侧设定区域外沉积金属层作为键合区；4）制备多量子阱光增益结构阵列；5）以多量子阱光增益结构阵列中最接近光增益区的面为键合面，将多量子阱光增益结构阵列中的光增益区与硅波导阵列中对应硅波导的光耦合区对准、键合，得到多波长硅基混合激光器阵列。本发明具有工艺简单、成熟，低成本，高可靠性的优点。
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公开(公告)号：CN103812001B
公开(公告)日：2017-01-11
申请号：CN201410010627.5
申请日：2014-01-09
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种利用二次曝光技术制备多波长硅基混合激光器阵列的方法。本方法为：1）利用二次曝光技术在SOI片的硅层上制备出所需光栅；2）在SOI片的硅层上垂直于光栅的方向制备出多个宽度不同的硅波导，得到一硅波导阵列；3）在SOI片上，每一硅波导及其两侧设定区域外沉积金属层作为键合区；4）制备多量子阱光增益结构阵列；5）以多量子阱光增益结构阵列中最接近光增益区的面为键合面，将多量子阱光增益结构阵列中的光增益区与硅波导阵列中对应硅波导的光耦合区对准、键合，得到多波长硅基混合激光器阵列。本发明具有工艺简单、成熟，低成本，高可靠性的优点。
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