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公开(公告)号：CN100582822C
公开(公告)日：2010-01-20
申请号：CN200510108571.8
申请日：2005-10-12
Applicant: 住友金属矿山株式会社
IPC: G02B5/22
Abstract: 本发明涉及一种将使透射光衰减的吸收型多层膜设置在薄膜基板上的吸收型多层膜ND滤光片，其特征在于，吸收型多层膜(13、16)是通过交替层叠由SiO2、Al2O3或者这些等的混合物构成的电介质层(14、17)和由Ni单体或者Ni类合金构成的金属膜层(15、18)而形成的多层膜构成的，吸收型多层膜在基板的两面上分别形成，从而成为以基板为中心而相互对称的膜结构，并且，基板的弯曲的曲率半径被调整为大于等于500mm。
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公开(公告)号：CN100340693C
公开(公告)日：2007-10-03
申请号：CN03138519.2
申请日：2003-05-30
Applicant: 住友金属矿山株式会社
Inventor： 阿部能之
CPC classification number: C23C14/086 , C23C14/3414 , Y10S428/917 , Y10S428/918 , Y10T428/12771 , Y10T428/12826
Abstract: 一种透明导电薄膜用靶，其具有氧化铟作为其主要组分并含有钨和/或钼，其中通过使氧化铟粉末和氧化钨粉末和/或氧化钼粉末成形，然后加热并烧结该成形体，使得溅射后的薄膜具有氧化铟作为主要组分，并含有原子比(W+Mo)/In为0.0040-0.0470的钨和/或钼而获得所述透明导电薄膜用靶，其中该透明导电薄膜具有优异的表面光滑度和6×10-4Ω·cm或更低的低电阻率，并且甚至当在170℃下加热时，其表面光滑度和电阻率也不会变化。
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公开(公告)号：CN101038796A
公开(公告)日：2007-09-19
申请号：CN200710079456.1
申请日：2007-03-12
Applicant: 住友金属矿山株式会社
CPC classification number: H01B1/08 , C04B35/453 , C04B35/457 , C04B35/6261 , C04B2235/3217 , C04B2235/3232 , C04B2235/3251 , C04B2235/3256 , C04B2235/3258 , C04B2235/3284 , C04B2235/3286 , C04B2235/3293 , C04B2235/3294 , C04B2235/5436 , C04B2235/5445 , C04B2235/6562 , C04B2235/6565 , C04B2235/6567 , C04B2235/6585 , C04B2235/6586 , C04B2235/664 , C04B2235/80
Abstract: 本发明提供输入高直流电功率也不会产生电弧和裂缝、作为可发生溅射的靶电极而有用的氧化物烧结体，和快速形成氧化物透明导电膜的制造方法以及耐化学试剂性优良的氧化物透明导电膜。提供一种氧化物烧结体，是实质上由锌、锡和氧构成的氧化物烧结体，锡以Sn/(Zn+Sn)的原子数比计含有0.23～0.50，并且，主要由氧化锌相和锡酸锌化合物相构成；并提供一种氧化物烧结体的制造方法，向含有锡酸锌化合物粉末或者氧化锡粉末与氧化锌粉末的混合粉末的原料粉末中混入水系溶剂，将所得的浆液混合15小时以上后，进行固液分离、干燥、制粒，接着，将该制粒物加入到模板中成形，然后，将所得成形物在焙烧氛围气体中于1300～1500℃下烧结15小时以上。
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公开(公告)号：CN101024874A
公开(公告)日：2007-08-29
申请号：CN200610167476.X
申请日：2006-12-20
Applicant: 住友金属矿山株式会社
CPC classification number: H01B1/12 , C04B35/01 , C04B2235/3286 , C04B2235/5436 , C04B2235/656 , C04B2235/77 , C04B2235/80
Abstract: 本发明的透明导电膜制造用烧结体靶主要由Ga、In和O形成，相对全部金属原子含有49.1原子％以上65原子％以下的Ga，主要由β－GaInO3相和In2O3相构成，In2O3相(400)/β－GaInO3相(111)X射线衍射峰强度比为45％以下，并且密度在5.8g/cm3以上。使用溅射法得到的透明导电膜为主要由Ga、In和O形成的非晶质氧化物膜透明导电膜，相对全部金属原子含有49.1原子％以上65原子％以下的Ga，功函数在5.1eV以上，波长633nm下的折射率在1.65以上1.85以下。
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公开(公告)号：CN1977210A
公开(公告)日：2007-06-06
申请号：CN200580022037.3
申请日：2005-06-29
Applicant: 住友金属矿山株式会社
CPC classification number: G02F1/0147 , G02F1/225 , G02F2201/12
Abstract: 一种波导型光控制元件，具有：光波导，其由具有电光效应或热光效应的绝缘材料构成；控制用电极，其接触或接近于光波导而被设置，并且，光波导的传播损耗在波长为1.3～1.6μm时为1dB/cm以下，其特征在于，由其载流子电子浓度为5.5×1020个/cm3以下、且电阻率在9.5×10－4Ωcm以下的导电氧化物膜构成上述控制用电极，而且导电氧化物膜对波长为1.55μm的光波的衰减系数为0.240以下。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1446940A
公开(公告)日：2003-10-08
申请号：CN03121240.9
申请日：2003-03-27
Applicant: 住友金属矿山株式会社
Inventor： 阿部能之
CPC classification number: H01L51/5234 , C04B35/01 , C04B35/62695 , C04B37/026 , C04B2235/3258 , C04B2235/3286 , C04B2235/3287 , C04B2235/3293 , C04B2235/3418 , C04B2235/5436 , C04B2235/5445 , C04B2235/5481 , C04B2235/6565 , C04B2235/6585 , C04B2235/6586 , C04B2235/81 , C04B2235/963 , C04B2237/12 , C04B2237/34 , C04B2237/407 , C23C14/08 , C23C14/086 , C23C14/3414 , H01B1/08 , H01L31/022466 , H01L31/022483 , H01L31/1884 , H01L51/5206 , H01L51/5221 , Y02E10/50 , Y10S428/917 , Y10S428/918
Abstract: 本发明提供透明导电性薄膜、具有该透明导电性薄膜的显示屏用透明导电性基体材料及发光特性优良的有机电发光元件。透明导电性薄膜，通过使用烧结体靶的溅射喷镀等可以容易地形成，不需要腐蚀和研磨加工的后处理，具有低电阻，并且表面平滑性优良，在可见光领域的低波长侧透过率大。透明导电性薄膜是以氧化铟为主要成份含有硅的透明导电性薄膜，其构造实质上是非结晶质，而且硅的含量，对于铟和硅的合计量是0.5～13原子％；或者是以氧化铟为主要成份含有钨和锗的透明导电性薄膜，W/In的原子数比是0.003～0.047及Ge/In的原子数比是0.001～0.190。
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公开(公告)号：CN103641449B
公开(公告)日：2016-04-06
申请号：CN201310524759.5
申请日：2008-07-02
Applicant: 住友金属矿山株式会社
CPC classification number: C23C14/3414 , C03C17/245 , C04B35/01 , C04B2235/3229 , C04B2235/3232 , C04B2235/3244 , C04B2235/3251 , C04B2235/3256 , C04B2235/3258 , C04B2235/3286 , C04B2235/3287 , C04B2235/3293 , C04B2235/3418 , C04B2235/5445 , C04B2235/76 , C04B2235/762 , C04B2235/77 , C04B2235/786 , C04B2235/80 , C23C14/086 , C23C14/3407 , H01B1/08 , Y10T428/24355 , Y10T428/268 , Y10T428/30 , Y10T428/31507 , Y10T428/31786 , Y10T428/31935
Abstract: 本发明提供可以实现高速成膜和无结节的溅射用靶或离子电镀用片料，用于得到它们的最佳氧化物烧结体及其制造方法，以及使用该氧化物烧结体得到的蓝光吸收少的低电阻透明导电膜。本发明提供的氧化物烧结体等的特征在于：在含有铟和镓作为氧化物的烧结体中，方铁锰矿型结构的In2O3相为主结晶相，在主结晶相中，β-Ga2O3型结构的GaInO3相、或GaInO3相和(Ga,In)2O3相以平均粒径为5μm以下的晶粒微细地分散，镓含量以Ga/(In+Ga)原子数比计，为10原子%以上、小于35原子%。
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公开(公告)号：CN103030381B
公开(公告)日：2015-05-27
申请号：CN201210572958.9
申请日：2008-07-02
Applicant: 住友金属矿山株式会社
CPC classification number: C23C14/3414 , C03C17/245 , C04B35/01 , C04B2235/3229 , C04B2235/3232 , C04B2235/3244 , C04B2235/3251 , C04B2235/3256 , C04B2235/3258 , C04B2235/3286 , C04B2235/3287 , C04B2235/3293 , C04B2235/3418 , C04B2235/5445 , C04B2235/76 , C04B2235/762 , C04B2235/77 , C04B2235/786 , C04B2235/80 , C23C14/086 , C23C14/3407 , H01B1/08 , Y10T428/24355 , Y10T428/268 , Y10T428/30 , Y10T428/31507 , Y10T428/31786 , Y10T428/31935
Abstract: 本发明涉及一种氧化物烧结体及其制造方法、靶、使用该靶得到的透明导电膜以及透明导电性基材。本发明提供可以实现高速成膜和无结节的溅射用靶或离子电镀用片料，用于得到它们的最佳氧化物烧结体及其制造方法，以及使用该氧化物烧结体得到的蓝光吸收少的低电阻透明导电膜。本发明提供的氧化物烧结体等的特征在于：在含有铟和镓作为氧化物的烧结体中，方铁锰矿型结构的In2O3相为主结晶相，在主结晶相中，β-Ga2O3型结构的GaInO3相、或GaInO3相和(Ga,In)2O3相以平均粒径为5μm以下的晶粒微细地分散，镓含量以Ga/(In+Ga)原子数比计，为10原子%以上、小于20原子%。
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公开(公告)号：CN102134700B
公开(公告)日：2015-04-15
申请号：CN201010583539.6
申请日：2010-12-07
Applicant: 住友金属矿山株式会社
CPC classification number: H01B1/08 , C04B35/01 , C04B35/6261 , C04B2235/3229 , C04B2235/3286 , C04B2235/5445 , C04B2235/6562 , C04B2235/6565 , C04B2235/6585 , C04B2235/6586 , C04B2235/77 , C04B2235/786 , C23C14/0015 , C23C14/08
Abstract: 本发明的氧化物蒸镀材料，其特征在于，由以氧化铟作为主要成分且铈含量以Ce/In原子数比为超过0.110且为0.538以下的烧结体构成，CIE1976色系中的L*值为62～95。由于L*值为62～95的上述氧化物蒸镀材料具有最佳氧量，因此，即使向成膜真空槽中的氧气导入量少，也能够以真空蒸镀法制造出波长550nm下的折射率为2.15～2.51的、低电阻且可见光～近红外光区域中为高透过性的高折射率透明膜，并且，由于氧气导入量少，所以能够减小膜与蒸镀材料之间的组成偏差。
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公开(公告)号：CN102102173B
公开(公告)日：2014-11-05
申请号：CN201010559242.6
申请日：2010-11-22
Applicant: 住友金属矿山株式会社
IPC: C23C14/08 , C23C14/24 , H01L31/0224
CPC classification number: H01B1/08 , C04B35/01 , C04B2235/3229 , C04B2235/3256 , C04B2235/3258 , C04B2235/3286 , C04B2235/3293 , C04B2235/5436 , C04B2235/5445 , C04B2235/608 , C04B2235/6562 , C04B2235/6565 , C04B2235/6567 , C04B2235/658 , C04B2235/6585 , C04B2235/6586 , C04B2235/77 , C04B2235/786 , C04B2235/9646 , C23C14/08 , C23C14/3414 , C23C30/005 , H01L31/022466 , H01L31/022475 , H01L31/0749 , H01L31/1884 , Y02E10/541
Abstract: 本发明的氧化物蒸镀材料，其特征在于，由以氧化铟为主要成分且以Ce/In原子数比计含0.001～0.110的铈的烧结体构成，且CIE1976表色系中的L*值为62～95。L*值为62～95的上述氧化物蒸镀材料具有最佳氧量，因此，即使向成膜真空槽导入的氧气量少的情况下，也能够通过真空蒸镀法制造出低电阻且在可见光到近红外区域具有高透过性的透明导电膜，且由于氧气导入量少，能够缩小膜与蒸镀材料之间的组成差，由此，也能够减少批量生产时膜组成的变动和特性的变动。
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