公开(公告)号：CN1318661C

公开(公告)日：2007-05-30

申请号：CN200480000646.4

申请日：2004-04-01

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 中畑成二 ,  上松康二 ,  弘田龙

IPC: C30B29/40 ,  C30B29/38 ,  H01L21/205 ,  H01L21/302 ,  H01L21/20 ,  H01L33/00 ,  H01S5/30

CPC classification number: H01L21/02378 ,  C30B25/02 ,  C30B25/18 ,  C30B29/40 ,  C30B29/403 ,  C30B29/406 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02538 ,  H01L21/02642 ,  H01S5/323 ,  Y10T428/12674 ,  Y10T428/12681

Abstract: 一种可以采用各种各样的基质生产出没有裂纹的高质量III-V族晶体的方法，该方法成本低而且容易简单。一种生产III-V族晶体的方法，其特征在于包括：在基质上(1)沉积金属膜(2)的步骤；在含有形成图案的化合物的气氛下热处理金属膜(2)的步骤；以及在热处理后的金属膜上生长III-V族晶体(4)的步骤。另外一种生产III-V族晶体的方法，其特征在于包括：在热处理后的金属膜上生长III-V族化合物缓冲膜的步骤；在III-V族化合物缓冲膜上生长III-V族晶体的步骤。

公开(公告)号：CN1405903A

公开(公告)日：2003-03-26

申请号：CN02142450.0

申请日：2002-09-19

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 元木健作 ,  冈久拓司 ,  中畑成二 ,  弘田龙 ,  上松康二

IPC: H01L33/00 ,  H01S5/00

CPC classification number: C30B25/02 ,  C30B25/18 ,  C30B25/183 ,  C30B29/406 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02395 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02609 ,  H01L21/02642 ,  H01L21/02647

Abstract: 一种单晶氮化镓基板的生长方法，在衬底基板上有规律地设种子图案，在其长形成凹凸面构成的坑并加以维持，同时让GaN凹凸生长而接着坑底部形成封闭缺陷集合区H，将变位集结于此，实现封闭缺陷集合区H周围的单晶低变位伴随区Z与单晶低变位剩余区Y的低变位化。由于封闭缺陷集合区H是封闭的，所以变位被封闭不会再释放。

公开(公告)号：CN106536794B

公开(公告)日：2020-07-14

申请号：CN201580039559.8

申请日：2015-04-10

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 木山诚 ,  弘田龙 ,  中畑成二

IPC: C30B29/38 ,  C30B33/06

Abstract: 一种氮化镓衬底，具有直径不小于100mm的表面，在边均具有2mm长度的各正方形区域处在微拉曼散射映射测量中的对应于E2H光子模式的峰值的最大峰值处的波数的最大值和最小值之间的差异不小于0.1cm‑1且不大于2cm‑1，正方形区域位于氮化镓衬底的表面上的包括中心位置和四个周边边缘位置的总共五个位置处，在这五个位置中的所有测量点处的对应于E2H光子模式的峰值的最大峰值处的波数的最大值和最小值之间的差异不大于2cm‑1。

公开(公告)号：CN104250853B

公开(公告)日：2020-05-12

申请号：CN201410411963.0

申请日：2010-06-03

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 上松康二 ,  长田英树 ,  中畑成二 ,  藤原伸介

IPC: C30B29/38 ,  C23C16/34 ,  C30B25/20 ,  H01L33/32

Abstract: 本发明提供一种具有主面的III族氮化物晶体衬底，所述主面具有选自{20‑21}、{20‑2‑1}、{22‑41}和{22‑4‑1}中的面取向，所述III族氮化物晶体衬底的特征还在于满足下列条件中的至少一种：1×1016cm‑3以上且4×1019cm‑3以下的氧原子浓度，和6×1014cm‑3以上且5×1018cm‑3以下的硅原子浓度。由此，本发明能够提供具有面取向不同于{0001}的主面的高结晶度III族氮化物晶体。

公开(公告)号：CN104022013B

公开(公告)日：2017-01-04

申请号：CN201410220580.5

申请日：2007-06-14

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 井尻英幸 ,  中畑成二

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/673 ,  H01L21/20 ,  H01L33/00

CPC classification number: H01L33/0075 ,  C30B29/406 ,  C30B33/00

Abstract: 本发明涉及GaN衬底储存方法。提供一种可以用于制造有利性能的半导体器件的储存GaN衬底的方法。在GaN衬底储存方法中，GaN衬底(1)储存在具有18vol.％或以下的氧浓度和/或12g/m3或以下的水蒸汽浓度的气氛中。在由储存方法储存的GaN衬底上的第一主面的表面粗糙度Ra和第二主面的表面粗糙度Ra分别不大于20nm和不大于20μm。另外，实施该GaN衬底以使得主面与上为0.05°到2°，以及在 方向上为0°到1°。(0001)面形成偏轴角，该偏轴角在 方向

公开(公告)号：CN1896343B

公开(公告)日：2012-07-04

申请号：CN200610093296.1

申请日：2006-06-23

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 石桥惠二 ,  楫登纪子 ,  中畑成二 ,  西浦隆幸

IPC: C30B29/38 ,  H01L21/08 ,  H01L21/18 ,  H01L21/20

CPC classification number: G01N23/207 ,  C30B25/186 ,  C30B25/20 ,  C30B29/38 ,  C30B29/403 ,  C30B29/406 ,  C30B33/00 ,  C30B33/10 ,  G01B15/08 ,  G01N2223/602 ,  G01N2223/634 ,  H01L21/02389 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/0254 ,  H01L22/12 ,  H01L29/04 ,  H01L29/045 ,  H01L29/2003 ,  Y10T428/2978

Abstract: 一种氮化物晶体的特征在于，关于氮化物晶体(1)的任意特定平行晶格平面(1d)的平面间距，由|d1-d2|/d2的值表示的所述晶体的表面层(1a)上的均匀畸变等于或低于2.1×10-3，其中在满足所述特定平行晶格平面(1d)的X-射线衍射条件的同时通过改变X-射线从晶体表面的穿透深度来进行X-射线衍射测量而获得所述平面间距，由在0.3μm的X-射线穿透深度处的平面间距d1和在5μm的X-射线穿透深度处的平面间距d2获得所述|d1-d2|/d2的值。上述构造提供了具有晶体表面层的氮化物晶体，该晶体表面层在不破坏晶体的情况下直接和可靠地被评估，因此它可以以优选方式用作半导体器件的衬底以及上述构造还提供氮化物晶体衬底、含有外延层的氮化物晶体衬底、半导体器件以及制备它们的方法。

公开(公告)号：CN101466878B

公开(公告)日：2012-06-13

申请号：CN200680055009.6

申请日：2006-06-16

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 宫永伦正 ,  水原奈保 ,  藤原伸介 ,  中畑成二 ,  中幡英章

IPC: C30B29/38

CPC classification number: C30B23/005 ,  C30B29/403 ,  C30B35/002 ,  Y10T428/2982

Abstract: 本发明提供了生长结晶度良好的第III族氮化物单晶的方法，所述方法具有优良的再现性，并提供了通过所述生长方法形成的第III族氮化物晶体。本发明的一个方面是在晶体生长容器(11)内生长第III族氮化物单晶(3)的方法，所述方法的特征在于，由金属碳化物形成的孔隙率为0.1％～70％的多孔体被用作所述晶体生长容器(11)的至少一部分。使用晶体生长容器(11)，可将晶体生长容器(11)内1％～50％的原料气体(4)经由多孔体中的孔而排放至晶体生长容器(11)的外部。

公开(公告)号：CN102471932A

公开(公告)日：2012-05-23

申请号：CN201080029618.0

申请日：2010-07-13

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 中畑成二

IPC: C30B29/38 ,  C23C16/34 ,  H01L21/205 ,  H01L33/32

CPC classification number: C30B29/406 ,  C30B33/00 ,  H01L21/02389 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/0254 ,  H01L33/0075 ,  H01L33/16 ,  H01L33/46

Abstract: 本发明提供一种GaN衬底保存方法，所述方法将GaN衬底(1)保存在氧浓度不大于15体积％且水蒸气浓度不大于20g/m3的气氛中，其中所述GaN衬底(1)具有平坦的第一主面(1m)，并且所述GaN衬底(1)的所述第一主面(1m)上的与其外部边缘隔开3mm以上的任意点(P)处的面取向，相对于任意指定的晶面(1a)的面取向具有-10°以上且10°以下的倾斜角Δα，所述晶面(1a)相对于通过所述任意点的面(1c)倾斜50°～90°，所述面(1c)为(0001)面或()面。以这种方式，可获得保存如下GaN衬底的方法，所述GaN衬底的主面面取向不同于(0001)或()，利用所述GaN衬底能够制造性能有利的半导体器件。

公开(公告)号：CN102414351A

公开(公告)日：2012-04-11

申请号：CN201080018752.0

申请日：2010-06-28

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 长田英树 ,  上松康二 ,  中畑成二 ,  中西文毅

IPC: C30B29/38 ,  C23C16/01 ,  C30B25/20

CPC classification number: C30B29/403 ,  C30B25/186 ,  C30B29/406

Abstract: 提供一种抑制多晶生长、可高效制造以非极性面为主表面的氮化物半导体基板的制造方法，作为氮化物半导体基板的GaN基板的制造方法具有以下工序：准备衬底基板的工序(S10、S20)，该衬底基板由GaN构成，具有相对{1-100}面的偏离角为4.1°以上47.8°以下的主表面；在衬底基板的主表面上外延生长由GaN构成的半导体层的工序(S40)；从半导体层获取主表面是m面的GaN基板的工序(S50)。

公开(公告)号：CN102315103A

公开(公告)日：2012-01-11

申请号：CN201110308166.6

申请日：2006-12-26

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 笠井仁 ,  冈久拓司 ,  藤田俊介 ,  松本直树 ,  井尻英幸 ,  佐藤史隆 ,  元木健作 ,  中畑成二 ,  上松康二 ,  弘田龙

IPC: H01L21/205

CPC classification number: H01L21/02617 ,  C23C16/303 ,  C23C16/4405 ,  C23C16/4488 ,  C30B23/02 ,  C30B25/02 ,  C30B29/403

Abstract: 一种第III族氮化物晶体物质的制造方法包括以下步骤：通过向反应室(110)中引入HCl气体(1)而清洁反应室(110)的内部，以及第III族氮化物晶体物质在清洁的反应室(110)中气相沉积。一种第III族氮化物晶体物质的制造装置包括：将HCl气体(1)引入到反应室(110)中的结构，和由HVPE生长第III族氮化物晶体物质(11)的结构。因此，提供一种第III族氮化物晶体物质的制造方法以及在该制造方法中采用的制造装置，其中所述的制造方法包括有效地清洁在晶体生长的过程中粘附在反应室内部的沉积物的方法。